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    一、 事件概述
    中環(huán)股份公布2011年三季報(bào)：2011年1-9月份，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入22.46億元，同比增長(zhǎng)152.66%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)2.14億元，同比增長(zhǎng)337.23%，實(shí)現(xiàn)EPS0.296元，同比增長(zhǎng)337.07%，預(yù)計(jì)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)比上年同期增長(zhǎng)80% -130%，低于我們預(yù)期?！尽俊?br>    二、 分析與判斷硅片價(jià)格下滑拖累公司業(yè)績(jī)?nèi)径?25單晶硅片由13元/片跌到9元/片，跌幅達(dá)3成，而同期多晶硅價(jià)格下跌15%左右，公司硅片收入占比50%以上，硅片的大幅下降影響公司業(yè)績(jī)?！尽俊９編?kù)存大幅攀升，三季度存貨7.05億元，同比增長(zhǎng)78%。公司單晶拉棒產(chǎn)能年底超過(guò)1GW，明年達(dá)1.8-2GW，預(yù)計(jì)隨著未來(lái)多晶硅價(jià)格企穩(wěn)，公司產(chǎn)能規(guī)模擴(kuò)大，未來(lái)盈利將恢復(fù)。
    完成轉(zhuǎn)型布局
    公司定增項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后完成轉(zhuǎn)型布局，器件部門往新型器件的轉(zhuǎn)型過(guò)程進(jìn)展比較順利，新開發(fā)的高壓IGBT 及VDMOS 系列產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)均處于領(lǐng)先地位，預(yù)計(jì)近兩年內(nèi)器件部門將會(huì)實(shí)現(xiàn)盈利。
    半導(dǎo)體器件關(guān)注大功率IGBT進(jìn)展
    公司1200VIGBT現(xiàn)已批量投產(chǎn)，3300V已小批量投產(chǎn)，而大功率IGBT在研發(fā)中，關(guān)注公司大功率IGBT進(jìn)展，期待明年放量，將對(duì)公司業(yè)績(jī)貢獻(xiàn)較大。
    期待區(qū)容單晶硅片規(guī)?；慨a(chǎn)公司新產(chǎn)品采用CFZ級(jí)硅片將使太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率提高至24%-26%。公司正在充分討論太陽(yáng)能級(jí)CFZ單晶硅片規(guī)?；圃?，并已進(jìn)入商業(yè)談判階段，力爭(zhēng)在較短的時(shí)間內(nèi)將新技術(shù)投入產(chǎn)業(yè)。如果CFZ級(jí)硅片能夠量產(chǎn)并且成本相對(duì)較低，公司將充分受益，我們建議關(guān)注公司區(qū)容單晶硅片的規(guī)?；慨a(chǎn)。