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基于對(duì)先進(jìn)技術(shù)和解決方案開展的研究，存儲(chǔ)巨頭競(jìng)逐HBM。作為存儲(chǔ)市場(chǎng)重要組成部分，DRAM技術(shù)不斷地升級(jí)衍生。DRAM從2D向3D技術(shù)發(fā)展，其中HBM是主要代表產(chǎn)品。HBM將多個(gè)DDR芯片堆疊后和GPU封裝在一起，實(shí)現(xiàn)大容量、高位寬的DDR組合陣列。通過增加帶寬，擴(kuò)展內(nèi)存容量，讓更大的模型，更多的參數(shù)留在離核心計(jì)算更近的地方，從而減少內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案帶來的延遲。
　　從技術(shù)角度看，HBM使DRAM從傳統(tǒng)2D轉(zhuǎn)變?yōu)榱Ⅲw3D，充分利用空間、縮小面積，契合半導(dǎo)體行業(yè)小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)。HBM突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，被視為新一代DRAM解決方案，業(yè)界認(rèn)為這是DRAM通過存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)的多樣化開辟一條新的道路，革命性提升DRAM的性能。
　　隨著應(yīng)用對(duì)AI的依賴度增加，需要HBM的加入來支援硬件。根據(jù)全球半導(dǎo)體觀察微信公眾號(hào)援引TrendForce集邦咨詢，2021年HBM位元需求占整體DRAM市場(chǎng)仍未達(dá)1%，主要?dú)w因于：（1）消費(fèi)級(jí)應(yīng)用因成本考量下幾乎未采用HBM；（2）服務(wù)器市場(chǎng)中作為AI功能的建置低于1%，即服務(wù)器搭載相關(guān)AI運(yùn)算卡的比重仍小于1%，且多數(shù)存儲(chǔ)器仍使用GDDR5(x)、GDDR6來支持其算力。根據(jù)全球半導(dǎo)體觀察微信公眾號(hào)援引TrendForce集邦咨詢，HBM有助于突破AI發(fā)展中受限的硬件頻寬瓶頸，未來市場(chǎng)上將出現(xiàn)更多相關(guān)應(yīng)用。隨著英偉達(dá)使用HBMDRAM，數(shù)據(jù)中心或?qū)⒂瓉硇乱惠喌男阅芨锩?021年10月，SK海力士開發(fā)完成全球首款HBM3，2022年6月量產(chǎn)HBM3 DRAM芯片并供貨英偉達(dá)，持續(xù)鞏固其市場(chǎng)領(lǐng)先地位。
　　HBM及CXL交互合作共同促進(jìn)高算力AI發(fā)展，實(shí)際應(yīng)用于2023年將更有能見度。根據(jù)全球半導(dǎo)體觀察微信公眾號(hào)援引TrendForce集邦咨詢，CXL導(dǎo)入將隨著未來CPU內(nèi)建CXL功能而普及化，而未來AI服務(wù)器的硬件建置，將能見到更多同時(shí)采用HBM及CXL的設(shè)計(jì)。其中HBM能分別增加CPU及加速器各自的頻寬，加速數(shù)據(jù)處理速度；CXL則建立彼此間溝通的高速互聯(lián)性，兩者交互有助于擴(kuò)展AI算力從而加速AI發(fā)展。
　　投資建議：建議關(guān)注：瀾起科技、國(guó)芯科技、通富微電、兆易創(chuàng)新、北京君正
　　風(fēng)險(xiǎn)提示。AI終端應(yīng)用發(fā)展不及預(yù)期；AIGC技術(shù)發(fā)展不及預(yù)期；半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程不及預(yù)期。