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集成電路制程推進(jìn)需要降低導(dǎo)線電阻率，銅大馬士革成為主要互連工藝。隨著集成電路尺寸不斷微縮，芯片內(nèi)金屬互連導(dǎo)線電阻對(duì)器件性能的影響開(kāi)始變得顯著，需要引入電阻較小的銅互連替代傳統(tǒng)鋁互連。當(dāng)互連工藝從鋁互連向銅互連過(guò)渡時(shí)，銅的刻蝕遇到了很大的挑戰(zhàn)，大馬士革工藝應(yīng)運(yùn)而生。在大馬士革工藝中，先形成圖案化的介質(zhì)層，再填充銅并通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光拋光以形成金屬導(dǎo)線，避免了金屬刻蝕。大馬士革工藝的引入使得金屬刻蝕的使用減少，而介質(zhì)層刻蝕的使用增加。銅大馬士革工藝可以進(jìn)一步分為單大馬士革工藝和雙大馬士革工藝，其中雙大馬士革工藝所需的步驟更少、成本更低。
　　刻蝕設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊，中微公司大馬士革刻蝕設(shè)備進(jìn)展良好。目前中微公司是國(guó)內(nèi)大馬士革刻蝕的主要供應(yīng)商。中微公司針對(duì)邏輯器件的一體化大馬士革刻蝕工藝進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)，并取得良好進(jìn)展。在28納米及以下的邏輯器件生產(chǎn)工藝中，一體化大馬士革刻蝕工藝需要一次完成通孔和溝槽的刻蝕，是技術(shù)要求最高、市場(chǎng)占有率最大的刻蝕工藝之一。公司針對(duì)該刻蝕工藝，開(kāi)發(fā)了可調(diào)節(jié)電極間距的刻蝕機(jī)，在刻蝕過(guò)程中，反應(yīng)腔的極板間距可動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)，以同時(shí)滿足通孔和溝槽刻蝕的不同工藝要求。未來(lái)，伴隨相關(guān)工藝技術(shù)驗(yàn)證的推進(jìn)、下游客戶(hù)制程節(jié)點(diǎn)進(jìn)步及產(chǎn)能擴(kuò)張，公司有望充分受益于邏輯器件對(duì)大馬士革刻蝕工藝需求的提升。
　　投資建議。大馬士革銅互連是集成電路互連的核心技術(shù)。隨著本土晶圓產(chǎn)能的持續(xù)擴(kuò)張，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商有望依托自身的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力、廣闊的份額增長(zhǎng)空間和品類(lèi)擴(kuò)張能力，加速提升相關(guān)領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)替代份額。建議關(guān)注在領(lǐng)域處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位的中微公司。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示。下游擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期；國(guó)產(chǎn)廠商技術(shù)研發(fā)不及預(yù)期；零部件供應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)。