>> 海通證券-半導(dǎo)體存儲行業(yè)跟蹤：24FQ3美光業(yè)績環(huán)比增長，數(shù)據(jù)中心成長顯著-240716
| 上傳日期： |
2024/7/16 |
大小： |
1561KB |
| 格式： |
pdf 共21頁 |
來源： |
海通證券 |
| 評級： |
優(yōu)于大市 |
作者： |
張曉飛 |
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美光發(fā)布公司24FQ3財季業(yè)績，24FQ3（截止24年5月）實現(xiàn)營業(yè)收入68.11億美元，同比+81.53%，環(huán)比+16.95%；實現(xiàn)凈利潤3.32億美元，同比+117.51%，環(huán)比-58.13%；單季度銷售毛利率26.90%，環(huán)比+8.37pcts。美光24FQ3單季度實現(xiàn)DRAM業(yè)務(wù)營收47億美元，占比69%，環(huán)比增長13%，位元出貨量環(huán)比減少中個位數(shù)百分點，ASP環(huán)比提升20%左右；實現(xiàn)NAND業(yè)務(wù)營收21億美元，占比30%，環(huán)比增長32%，位元出貨量環(huán)比增長高個位數(shù)百分點，ASP環(huán)比增長20%左右。
劃分各業(yè)務(wù)部門來看，24FQ3美光計算與網(wǎng)絡(luò)部門（CNBU）實現(xiàn)營收25.73億美元，同比+85%，環(huán)比+18%；手機部門（MBU）實現(xiàn)營收15.88億美元，同比+94%，環(huán)比-1%；嵌入式部門（EBU）實現(xiàn)營收12.94億美元，同比+42%，環(huán)比+16%；存儲部門（SBU）實現(xiàn)營收13.5億美元，同比+116%，環(huán)比+50%。
24FQ4業(yè)績指引方面，以NON-GAAP口徑，美光預(yù)計24FQ4營收區(qū)間在76±2億美元，中值環(huán)比+11.58%；毛利率在34.5%±1%，中值環(huán)比+7.6pcts。此外，公司預(yù)計CY24 DRAM及NAND存儲位元需求都將以mid-teens百分點成長，中期DRAM及NAND分別以mid-teens及high-teens增速成長，CY24年供給將低于需求。
HBM：根據(jù)TrendForce集邦微信公眾號，受惠于HBM銷售單價較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機會逾三成。
供給端：根據(jù)TrendForce集邦微信公眾號，受到HBM產(chǎn)能排擠，若先進制程產(chǎn)能擴張不足，DRAM產(chǎn)品恐面臨供不應(yīng)求。若投資沒有明顯擴大，因各家產(chǎn)能規(guī)劃皆以HBM為優(yōu)先，在產(chǎn)能排擠的效應(yīng)之下，DRAM產(chǎn)品恐有供應(yīng)不及的可能性。
投資建議：我們看好24年全球先進制程產(chǎn)能不足情況下全年主流存儲維持漲價，建議長期關(guān)注主流存儲模組企業(yè)中具備存儲+先進封裝邏輯的企業(yè)，以及利基存儲IC設(shè)計企業(yè)中符合一定漲價邏輯或具備較大國產(chǎn)滲透空間且與晶圓廠綁定更為緊密的存儲IC企業(yè)。
風(fēng)險提示：存儲芯片漲價不及預(yù)期；終端需求回暖不及預(yù)期；半導(dǎo)體國產(chǎn)替代進程不及預(yù)期。
個股風(fēng)險提示：美光公司產(chǎn)品終端漲價不及預(yù)期；技術(shù)研發(fā)進展不及預(yù)期。
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