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>> 國(guó)投證券-國(guó)博電子(688375)階段性承壓,新品量產(chǎn)開(kāi)啟第二成長(zhǎng)曲線-251031
上傳日期:   2025/10/31 大小:   840KB
格式:   pdf  共5頁(yè) 來(lái)源:   國(guó)投證券
評(píng)級(jí):   買(mǎi)入 作者:   楊雨南,姜瀚成,馮鑫
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事件:公司發(fā)布2025年三季報(bào),前三季度公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收15.69億元,同比-13.51%;歸母凈利潤(rùn)2.47億元,同比-19.35%;扣非歸母凈利潤(rùn)2.43億元,同比-18.93%。
  業(yè)績(jī)階段性承壓,信用減值損失影響利潤(rùn)
  受T/R組件和射頻模塊收入減少影響,公司三季度收入5.0億元,同比-2.5%,歸母凈利潤(rùn)0.46億元,同比-26.0%,扣非歸母凈利潤(rùn)0.43億元,同比-30.1%。盈利能力方面,公司25Q3毛利率同比下降3.6pct至36.0%,凈利率同比下降2.9pct至9.2%。前三季度公司信用減值損失5194萬(wàn)元,較去年同期增加6500萬(wàn)元,影響當(dāng)期利潤(rùn)。
  功放芯片量產(chǎn)超百萬(wàn)只,新型三代半導(dǎo)體帶動(dòng)第二成長(zhǎng)曲線
  公司披露與國(guó)內(nèi)頭部終端廠商共同研發(fā)的硅基氮化鎵功率放大器芯片,新產(chǎn)品攻克了硅基氮化鎵外延的晶格缺陷比例高的材料難題,在兼顧功率、效率、帶寬等指標(biāo)的前提下,實(shí)現(xiàn)了對(duì)傳統(tǒng)砷化鎵功放的性能提升,并突破了硅基氮化鎵功放芯片的量產(chǎn)技術(shù),在業(yè)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)了硅基氮化鎵功放芯片在終端射頻領(lǐng)域的量產(chǎn)交付,累計(jì)交付數(shù)量超100萬(wàn)只,填補(bǔ)了業(yè)內(nèi)硅基氮化鎵功放終端射頻應(yīng)用的空白。預(yù)計(jì)公司新產(chǎn)品將持續(xù)對(duì)現(xiàn)有砷化鎵終端功放產(chǎn)品形成替代,并有望在終端射頻功放領(lǐng)域全頻段、全場(chǎng)景推廣應(yīng)用,成為公司第二成長(zhǎng)曲線。
  應(yīng)收款項(xiàng)/存貨繼續(xù)增加,經(jīng)營(yíng)活動(dòng)現(xiàn)金流有待改善
  截至3Q25末,公司應(yīng)收款項(xiàng)較2Q25末增長(zhǎng)8.9%至35.6億元,存貨較2Q25末增長(zhǎng)39.0%;前三季度經(jīng)營(yíng)活動(dòng)凈現(xiàn)金流為-0.35億元,去年同期為1.47億元,經(jīng)營(yíng)活動(dòng)現(xiàn)金流有待持續(xù)改善。
  投資建議:
  我們預(yù)計(jì)公司25/26/27年凈利潤(rùn)分別為5.13/7.02/8.98億元,增速分別為5.87%/36.77%/27.96%??紤]到公司是我國(guó)有源相控陣T/R組件及射頻模塊領(lǐng)先企業(yè),同時(shí)在商業(yè)航天和半導(dǎo)體行業(yè)具有長(zhǎng)期成長(zhǎng)性,我們給予公司12個(gè)月目標(biāo)價(jià)為82.42元,維持買(mǎi)入-A的投資評(píng)級(jí)。
  風(fēng)險(xiǎn)提示:下游需求不及預(yù)期,功放芯片量產(chǎn)節(jié)奏不及預(yù)期等。
  
國(guó)博電子股票研究報(bào)告
 
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