>> 東海證券-中微公司(688012)公司深度報(bào)告：國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備領(lǐng)軍者，薄膜業(yè)務(wù)蓄勢(shì)待發(fā)-251120
| 上傳日期： |
2025/11/21 |
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來(lái)源： |
東海證券 |
| 評(píng)級(jí)： |
買入 |
作者： |
方霽 |
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投資要點(diǎn)：
中微公司是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備的龍頭企業(yè)之一，主要為集成電路、LED外延片、功率器件、MEMS等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造企業(yè)提供刻蝕、薄膜沉積、MOCVD等設(shè)備。公司深耕集成電路制造核心設(shè)備領(lǐng)域，主要產(chǎn)品包括刻蝕與薄膜沉積設(shè)備兩大類：刻蝕設(shè)備方面，公司的等離子體刻蝕設(shè)備已廣泛應(yīng)用于國(guó)際一線芯片制造商的先進(jìn)制程產(chǎn)線；薄膜沉積領(lǐng)域，公司近年來(lái)成功開發(fā)的LPCVD和ALD設(shè)備已通過(guò)客戶驗(yàn)證，多款產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)并獲大批量重復(fù)訂單。在泛半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，公司氮化鎵MOCVD設(shè)備保持全球領(lǐng)先，隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向三五族化合物半導(dǎo)體加速拓展，尤其在Mini/Micro LED新型顯示、新能源汽車功率器件等領(lǐng)域的需求持續(xù)釋放，MOCVD設(shè)備作為關(guān)鍵工藝裝備，市場(chǎng)空間將進(jìn)一步擴(kuò)大。此外，公司積極把握半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)新機(jī)遇，通過(guò)子公司超微、中微惠創(chuàng)、中微匯鏈等在量檢測(cè)設(shè)備、環(huán)保設(shè)備、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域積極拓展，構(gòu)建多元化的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)點(diǎn)。為滿足業(yè)務(wù)快速增長(zhǎng)需求，公司持續(xù)保持高強(qiáng)度研發(fā)投入，2025年前三季度研發(fā)費(fèi)用達(dá)17.94億元，同比增長(zhǎng)96.30%，研發(fā)費(fèi)用率高達(dá)22.25%，未來(lái)五到十年，公司計(jì)劃通過(guò)自主研發(fā)與產(chǎn)業(yè)合作，覆蓋集成電路關(guān)鍵領(lǐng)域超過(guò)60%的設(shè)備市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量可持續(xù)發(fā)展。
公司以CCP刻蝕設(shè)備為核心，并順利研發(fā)ICP刻蝕設(shè)備，覆蓋95%以上的刻蝕應(yīng)用需求，伴隨先進(jìn)制程與三維存儲(chǔ)技術(shù)的迭代，刻蝕設(shè)備的需求將進(jìn)一步提升。制程進(jìn)步伴隨著工藝尺寸的進(jìn)一步縮小大幅度提升了對(duì)刻蝕設(shè)備的需求，根據(jù)SEMI，一片7nm芯片在生產(chǎn)過(guò)程中需經(jīng)歷約140次刻蝕工藝，相比28nm制程所需的40次，增長(zhǎng)超過(guò)2.5倍。公司12英寸高端刻蝕設(shè)備已實(shí)現(xiàn)從65nm至5nm及更先進(jìn)制程的量產(chǎn)應(yīng)用，面向5nm以下節(jié)點(diǎn)，公司正積極推進(jìn)下一代機(jī)型研發(fā)，旨在進(jìn)一步提升刻蝕選擇比、均勻性及量產(chǎn)穩(wěn)定性。三維存儲(chǔ)方面，堆疊層數(shù)的不斷增加不僅對(duì)刻蝕設(shè)備的需求提升，在深寬比能力方面也提出更高要求。公司開發(fā)的超高深寬比掩膜ICP刻蝕設(shè)備與超高深寬比介質(zhì)CCP刻蝕設(shè)備已在先進(jìn)存儲(chǔ)制造產(chǎn)線中大規(guī)模應(yīng)用。目前，公司已成功研制出三代共18種等離子體刻蝕設(shè)備，主要聚焦CCP刻蝕設(shè)備，ICP刻蝕設(shè)備進(jìn)展順利，2025年前三季度，公司刻蝕設(shè)備營(yíng)收61.01億元，同比增長(zhǎng)約38.26%，占總營(yíng)收約76%。
薄膜沉積和MOCVD外延設(shè)備方面，公司已成功發(fā)布六款薄膜沉積產(chǎn)品，覆蓋存儲(chǔ)器件及先進(jìn)邏輯器件的鎢、金屬工藝需求；公司氮化鎵MOCVD設(shè)備保持全球領(lǐng)先，將進(jìn)一步向mini/micro LED和功率器件延伸。1）2025年前三季度，LPCVD和ALD等薄膜設(shè)備收入4.03億元，同比增長(zhǎng)1332.69%。鎢系列產(chǎn)品方面，公司提供CVD鎢、HAR鎢及ALD鎢設(shè)備，可滿足存儲(chǔ)器件所有鎢應(yīng)用場(chǎng)景，包括高深寬比金屬互聯(lián)及三維存儲(chǔ)器件字線應(yīng)用；金屬柵極應(yīng)用領(lǐng)域，公司推出的金屬柵系列產(chǎn)品涵蓋ALD氮化鈦、ALD鈦鋁及ALD氮化鉭等多款設(shè)備，在薄膜均勻性、污染物控制與生產(chǎn)效率等關(guān)鍵指標(biāo)上均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，全面滿足先進(jìn)邏輯制程需求。2）公司2024年MOCVD設(shè)備營(yíng)收3.79億元，同比下降18.03%。公司是氮化鎵基LED市場(chǎng)最大的MOCVD設(shè)備供應(yīng)商，憑借PRISMOA7、HiT3及UniMax等系列產(chǎn)品持續(xù)服務(wù)全球客戶。公司亦積極拓展MOCVD技術(shù)應(yīng)用邊界，新一代硅基氮化鎵設(shè)備與碳化硅外延設(shè)備正分別處于研發(fā)與驗(yàn)證階段。盡管受LED市場(chǎng)波動(dòng)影響，公司通過(guò)向高端顯示、功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域的拓展，有望開辟新的增長(zhǎng)空間。
投資建議：首次覆蓋，給予買入評(píng)級(jí)。作為國(guó)內(nèi)龍頭的半導(dǎo)體設(shè)備公司，公司深耕刻蝕設(shè)備，同時(shí)切入更多細(xì)分市場(chǎng)，進(jìn)一步打開業(yè)績(jī)成長(zhǎng)空間。我們預(yù)計(jì)公司2025-2027年?duì)I業(yè)收入分別為120.74、156.40和197.88億元，同比增速分別為33.19%、29.54%和26.52%；歸母凈利潤(rùn)分別為20.46、32.04和43.44億元，同比增速分別為26.62%、56.60%和35.60%，對(duì)應(yīng)2025-2027年的PE分別為87、55和41倍。
風(fēng)險(xiǎn)提示：產(chǎn)品研發(fā)及驗(yàn)證進(jìn)度不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)；地緣政治風(fēng)險(xiǎn)；下游需求不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)。
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