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半導(dǎo)體設(shè)備上行周期或持續(xù)：2025全年?duì)I收123.85億元（人民幣，下同），歸母凈利潤(rùn)21.1億元，符合之前預(yù)告/我們的預(yù)期。我們認(rèn)為，受人工智能基建高景氣影響，終端集成電路需求快速上升，晶圓制造產(chǎn)能供不應(yīng)求，加之國(guó)產(chǎn)設(shè)備技術(shù)能力和市占率的進(jìn)一步上升，中微公司作為國(guó)產(chǎn)設(shè)備龍頭公司或顯著受益。
　　刻蝕/薄膜沉積/量檢測(cè)/濕法設(shè)備全面開花：令我們最為鼓舞的是，公司在產(chǎn)品研發(fā)/銷售的深度和廣度上持續(xù)取得進(jìn)展。廣度上，管理層指引總體設(shè)備覆蓋率在今后5-10年從現(xiàn)有的30%的設(shè)備品類上升到60%（包括有機(jī)生長(zhǎng)和并購(gòu)）。刻蝕方面：管理層稱CCP/ICP應(yīng)用覆蓋率分別到達(dá)95%/99%。公司在2025年完成開發(fā)90:1極高深寬比等離子刻蝕機(jī)，并或在之后進(jìn)一步拓展到140：1硅材料的刻蝕機(jī)。公司披露等離子刻蝕設(shè)備已應(yīng)用于海內(nèi)外一線客戶3納米及更先進(jìn)的眾多刻蝕應(yīng)用。管理層之前指ICP在手訂單或多于CCP訂單，我們預(yù)測(cè)公司ICP收入2026年增速快于CCP，CCP/ICP 2026年收入分別為61.8/65.0億元。薄膜沉積方面：2025年實(shí)現(xiàn)收入5.06億元（主要是鎢材料薄膜3DNAND制造），略超過我們的預(yù)測(cè)4.98億元。管理層指出薄膜沉積訂單為7.56億元，我們預(yù)測(cè)公司2026年薄膜沉積設(shè)備收入或達(dá)8億元。薄膜產(chǎn)品技術(shù)進(jìn)步明顯：Si/SiGe EPI（外延）取得均勻性突破。我們認(rèn)為這或幫助公司進(jìn)入GAAFET（邏輯）和3DDRAM（存儲(chǔ)）先進(jìn)產(chǎn)能供應(yīng)鏈。量檢測(cè)方面：我們認(rèn)為電子束量檢測(cè)設(shè)備技術(shù)門檻高，國(guó)產(chǎn)化率低于5%，且使用率隨邏輯電路制造復(fù)雜度上升而上升。公司從零開始組建電子束量檢測(cè)團(tuán)隊(duì)，CD（critical dimension）-SEM設(shè)備開發(fā)在12個(gè)月獲得圖像，18個(gè)月設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)。
　　維持買入評(píng)級(jí)：我們認(rèn)為，在全球集成電路產(chǎn)品供應(yīng)普遍緊缺的條件下，半導(dǎo)體設(shè)備上行周期或持續(xù)至少到2027年。我們微調(diào)2026E/27E營(yíng)收預(yù)測(cè)到162.6億/196.0億元（前值162.0億/193.6億元），調(diào)整2026E/27EEPS到5.56/6.96元（前值5.59/6.91元）。我們繼續(xù)好看國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)前景，上調(diào)目標(biāo)價(jià)到418元（前值415元），對(duì)應(yīng)2027年60倍市盈率（維持不變），維持買入。