>> 方正證券-北方華創(chuàng)(002371)公司點評報告：高投入筑基未來發(fā)展，平臺型技術(shù)能力顯著增強-260419
| 上傳日期： |
2026/4/19 |
大小： |
607KB |
| 格式： |
pdf 共4頁 |
來源： |
方正證券 |
| 評級： |
強烈推薦 |
作者： |
馬天翼,王海維,吳家歡 |
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2025年公司實現(xiàn)營收393.53億元，同比增長30.85%，其中集成電路設備營收同比增長超50%。歸母凈利潤55.22億元，同比減少1.77%，主要系1）持續(xù)加大研發(fā)投入為十五五期間產(chǎn)品突破做充分準備，2025年研發(fā)投入同比增長18.76億元達72.77億元，研發(fā)投入資本化率同比減少7.75個百分點降至34.50%；2）研發(fā)、市場拓展與客戶服務等核心團隊人員大幅增長，全年新增人員4747人（碩士1267人，博士93人）；3）新品在客戶端驗證過程中零部件迭代升級成本增加較多導致毛利率同比減少2.83個百分點降至40.10%。單季度看，25Q4公司營收120.52億元，環(huán)比增長7.99%；歸母凈利潤3.92億元，環(huán)比減少79.63%；四項費用合計金額環(huán)比增長20.70億元增至45.61億元，四項費用率環(huán)比提升15.53個百分點達37.84%。
刻蝕：公司已形成ICP、CCP、干法去膠設備、高選擇性刻蝕設備和Bevel刻蝕設備的多系列產(chǎn)品布局，2025年刻蝕設備營收超百億元。公司累計客戶端ICP裝機超8000腔，月度穩(wěn)定量產(chǎn)12英寸產(chǎn)品超500萬片。全新一代12英寸NMC612HICP刻蝕設備將ICP小尺寸刻蝕的深寬比提升到數(shù)百比一，均勻性達埃米級，同時具備同腔室內(nèi)任意交替使用ALD沉積和刻蝕工藝能力。NMC612系列ICP刻蝕產(chǎn)品已深度嵌入國內(nèi)各主流Fab產(chǎn)線。
薄膜：公司已形成PVD、CVD、外延、ALD、電鍍和MOCVD設備的全系列布局，2025年薄膜沉積設備營收超百億元。PVD設備實現(xiàn)邏輯、存儲、特色工藝、先進封裝等主流晶圓制造場景的全面覆蓋，并完成第1000臺整機交付。12英寸先進低壓化學氣相硅沉積立式爐設備面向高端邏輯芯片與存儲芯片領域非晶硅、多晶硅薄膜沉積技術(shù)，成功攻克高深寬比結(jié)構(gòu)填充、高平坦度薄膜生長和兼容低溫工藝三大技術(shù)瓶頸，已通過多家領先晶圓廠的嚴格驗證，實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)并持續(xù)獲得重復訂單。
熱處理設備領域，公司已形成管式氧化設備、管式退火設備和快速熱處理設備的全系列布局，立式爐累計出貨量突破1000臺。濕法設備領域，公司通過整合芯源微，12英寸濕法設備涵蓋單片，槽式和Scrubber三大類型共近10款設備平臺，實現(xiàn)濕法全流程工藝覆蓋度超97%。中前段單片結(jié)合芯源微的單片濕法設備實現(xiàn)SCCO？、Hot SPM等絕大部分工藝的覆蓋；后段單片等設備實現(xiàn)了AIOBASF-R等工藝全覆蓋。離子注入設備領域，公司現(xiàn)已推出兩款12英寸離子注入設備，其中浸沒式設備面向存儲和邏輯領域的互補金屬氧化物半導體器件的摻雜、加氫鈍化、超淺結(jié)摻雜、SOI等工藝應用需求。
先進封裝領域，公司已構(gòu)建起覆蓋3D集成全流程的完整工藝裝備解決方案。TSV電鍍設備Ausip T830成功攻克了＞20:1等高深寬比結(jié)構(gòu)的無空洞填充難題，片內(nèi)均勻性穩(wěn)定控制在1%以內(nèi)。此外，公司是國內(nèi)率先完成D2W混合鍵合設備客戶端工藝驗證的廠商，同步研發(fā)的12英寸W2W混合鍵合設備Gluoner R50集成納米級全域?qū)?、精細的界面活化處理、鍵合波控制及大翹曲晶圓自適應等關鍵技術(shù)，可實現(xiàn)更高對準精度、更高質(zhì)量的混合鍵合。
投資建議：北方華創(chuàng)持續(xù)加大研發(fā)投入，平臺型技術(shù)能力顯著增強，主力設備系列市占率穩(wěn)步提升，高端新品快速落地形成新增量。我們預計公司2026-2028年營收分別為503.36/628.86/780.47億元，歸母凈利潤分別為71.75/93.12/119.18億元。維持“強烈推薦”評級。
風險提示：新技術(shù)、新工藝、新產(chǎn)品無法如期產(chǎn)業(yè)化風險，市場競爭加劇風險，晶圓廠產(chǎn)能擴充進度不及預期的風險，系統(tǒng)性風險等。
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