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事件：公司發(fā)布公告，擬非公開(kāi)發(fā)行股票募集資金不超過(guò)65億元，除補(bǔ)充流動(dòng)資金16.5億元以外，其余資金將投入士蘭集昕36萬(wàn)片/年12寸產(chǎn)能建設(shè)項(xiàng)目、SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目（一期）建設(shè)。
　　12寸功率半導(dǎo)體產(chǎn)能持續(xù)加碼，品類齊全布局長(zhǎng)遠(yuǎn)。公司子公司士蘭集昕將新增建設(shè)年產(chǎn)36萬(wàn)片12寸晶圓產(chǎn)能，其中FS-IGBT產(chǎn)能12萬(wàn)片/年，T-DPMOSFET產(chǎn)能12萬(wàn)片/年，SGT-MOSFET產(chǎn)能12萬(wàn)片/年；建設(shè)周期3年，總投資額39億元，其中募集資金30億元。公司新增產(chǎn)能布局涵蓋低、中、高壓等級(jí)產(chǎn)品，品類全面，彰顯公司12寸硅功率半導(dǎo)體工藝平臺(tái)技術(shù)實(shí)力，有力支撐公司長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展。
　　碳化硅產(chǎn)線持續(xù)推進(jìn)。子公司士蘭明鎵將建設(shè)年產(chǎn)SiCMOSFET芯片12萬(wàn)片+SiCSBD芯片2.4萬(wàn)片產(chǎn)能（均為6寸）；建設(shè)周期3年，總投資額15億元，其中募集資金7.5億元。公司SiC功率器件產(chǎn)品技術(shù)成熟，且公司IGBT器件已在電動(dòng)汽車大規(guī)模應(yīng)用，SiC功率器件與原有業(yè)務(wù)有良好協(xié)同效應(yīng)，產(chǎn)能擴(kuò)張有望助力公司在第三代半導(dǎo)體浪潮中奪得先機(jī)。
　　封測(cè)產(chǎn)能加碼，助力產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)。公司子公司成都士蘭一期將建設(shè)年產(chǎn)720萬(wàn)塊汽車級(jí)功率模塊產(chǎn)能，建設(shè)周期3年，總投資額30億元，其中募集資金11億元。目前，公司已具備7萬(wàn)只/月汽車級(jí)PIM模塊的生產(chǎn)能力，向比亞迪、零跑、匯川等下游廠家實(shí)現(xiàn)批量供貨。隨著車規(guī)模塊封測(cè)產(chǎn)能釋放，消除產(chǎn)能瓶頸，公司汽車級(jí)模塊收入規(guī)模有望進(jìn)一步擴(kuò)大。
　　持續(xù)看好公司產(chǎn)能規(guī)模、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)雙提升。根據(jù)英飛凌數(shù)據(jù)，相比8寸產(chǎn)線，12寸產(chǎn)線具備20-30%的單芯片成本優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)產(chǎn)所需要的邊際投資額亦減少約30%。我們持續(xù)看好公司的長(zhǎng)期成本、規(guī)模優(yōu)勢(shì)，伴隨著產(chǎn)能逐步釋放，公司收入利潤(rùn)有望穩(wěn)步提升。
　　盈利預(yù)測(cè)與投資建議：我們預(yù)計(jì)公司2022/2023/2024年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)14.57/18.86/23.88億元，對(duì)應(yīng)10月17日收盤(pán)價(jià)PE為31.44/24.29/19.18倍。維持“增持”評(píng)級(jí)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：產(chǎn)能釋放不及預(yù)期，宏觀需求下行風(fēng)險(xiǎn)，行業(yè)景氣度下行風(fēng)險(xiǎn)。