>> 方正證券-融資融券研究日報內(nèi)參-230515
| 上傳日期： |
2023/5/15 |
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| 1217KB |
| 格式： |
pdf 共12頁 |
來源： |
方正證券 |
| 評級： |
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作者： |
夏子衍 |
| 下載權(quán)限： |
此報告為加密報告 |
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【兩融市場數(shù)據(jù)】
截至2023年5月11日，兩市融資融券余額16,204.01億元，其中融資余額為15,274.31億元，融券余額為929.70億元。
滬深兩市融資買入額645.51億元，融券賣出額為56.85億元。
上一交易日，市場主要指數(shù)表現(xiàn)：上證綜指（-1.12%），深證成指（-1.23%），創(chuàng)業(yè)板指（-1.06%）。
【行業(yè)首席策略】
刻蝕行業(yè)觀點（電子首席分析師吳文吉）：刻蝕是半導(dǎo)體器件制造中選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。在半導(dǎo)體器件的整個制造過程中，刻蝕步驟多達(dá)上百個，是半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一。新電子材料的集成和加工器件尺寸的不斷縮小為刻蝕設(shè)備帶來了新的技術(shù)挑戰(zhàn)，同時對性能的要求（刻蝕均勻性、穩(wěn)定性和可靠性）越來越高。分別從邏輯器件和存儲器件的技術(shù)演進(jìn)路線看刻蝕工藝應(yīng)用：在28納米及以下的邏輯器件生產(chǎn)工藝中，一體化大馬士革刻蝕工藝，需要一次完成通孔和溝槽的刻蝕，是技術(shù)要求最高、市場占有率最大的刻蝕工藝之一。存儲器件2D到3D的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變使等離子體刻蝕成為最關(guān)鍵的加工步驟。在存儲器件中，極高深寬比刻蝕是最為困難和關(guān)鍵的工藝，是在多種膜結(jié)構(gòu)上，刻蝕出極高深寬比（ >40:1）的深孔/深槽。刻蝕設(shè)備市場情況：微縮化+3D化，推動刻蝕用量增加；根據(jù)Gartner統(tǒng)計，2022年全球刻蝕設(shè)備占晶圓制造設(shè)備價值量約22%，約230億美元市場規(guī)模。刻蝕設(shè)備呈現(xiàn)日美廠商頭部集中、中國廠商崛起的競爭格局。
【風(fēng)險提示】
宏觀經(jīng)濟大幅不達(dá)預(yù)期，大盤發(fā)生大幅異常波動，本報告基于兩融數(shù)據(jù)統(tǒng)計，不構(gòu)成投資建議。
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