>> 中郵證券-電子行業(yè)：拐點(diǎn)將至-230917
| 上傳日期： |
2023/9/18 |
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| 445KB |
| 格式： |
pdf 共5頁(yè) |
來源： |
中郵證券 |
| 評(píng)級(jí)： |
強(qiáng)于大市 |
作者： |
吳文吉 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
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存儲(chǔ)行業(yè)供需格局改善，逐步走出囚徒困境
存儲(chǔ)芯片主要分為閃存和內(nèi)存，閃存包括NANDFlash和NORFlash，內(nèi)存主要為DRAM。其中，DRAM和NANDFlash兩者的銷售額合計(jì)占整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)的97%左右。存儲(chǔ)芯片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化程度較高，具備科技大宗商品屬性，在集成電路各細(xì)分領(lǐng)域中存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的彈性更大，通常遵循3-4年為一個(gè)波動(dòng)周期。自2021年中開始，存儲(chǔ)芯片供給過剩，現(xiàn)貨價(jià)格開始持續(xù)下行，目前產(chǎn)品價(jià)格已處于磨底階段，繼續(xù)降價(jià)去庫(kù)存效果有限，在維穩(wěn)價(jià)格的需求下，大廠舉行減產(chǎn)措施以進(jìn)行供給側(cè)的改善，并牽頭拉高wafer報(bào)價(jià)，目前部分細(xì)分品類價(jià)格端已初步顯現(xiàn)成效，下半年行業(yè)有望持續(xù)向好。
◆價(jià)格端：穩(wěn)定價(jià)格為先，現(xiàn)貨價(jià)格出現(xiàn)谷底反彈跡象
1）DRAM：跌價(jià)過多的低價(jià)顆粒出現(xiàn)漲價(jià)，需求回溫導(dǎo)致的全面性上漲尚未到來
受益于大廠陸續(xù)減產(chǎn)，三季度跌幅預(yù)計(jì)有望收窄。根據(jù)DRAMexchange數(shù)據(jù)，8月DRAM現(xiàn)貨價(jià)格下滑，9月開始環(huán)比小幅上漲，目前DDR34Gb 512Mx81600MHz產(chǎn)品現(xiàn)貨平均價(jià)格截至9月15日較8月31日價(jià)格已經(jīng)上漲3.54%。根據(jù)TrendForce，受益于DRAM供應(yīng)商陸續(xù)啟動(dòng)減產(chǎn)，整體DRAM供給量逐季減少，加上季節(jié)性需求支撐，減輕供應(yīng)商庫(kù)存壓力，預(yù)期第三季DRAM均價(jià)跌幅將會(huì)收斂至0~5%。
本周（9.11-9.15）最新報(bào)價(jià)：本周DRAM市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)上漲，reball顆粒需求持續(xù)火熱，D3表現(xiàn)較為平穩(wěn)，D4漲幅較多，市場(chǎng)需求上外單需求比較活躍，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求仍一般。目前上游原廠挺價(jià)意愿強(qiáng)烈，看好近月內(nèi)價(jià)格持續(xù)上漲。本周內(nèi)存OEM市場(chǎng)報(bào)價(jià)，除4G容量不變，其它容量呈上漲態(tài)勢(shì)，漲幅區(qū)間在1%-3%左右；D3板塊，所有容量呈上漲態(tài)勢(shì)，漲幅區(qū)間在3%-4%左右。
2）NANDFlASH：原廠成功拉漲wafer合約價(jià)，Q4價(jià)格有望持平或上漲
原廠帶頭拉高wafer合約價(jià)，NANDFlash第四季價(jià)格有望回升。受上游NANDFlash原廠拉高晶圓合約價(jià)影響，新成本相對(duì)提升，根據(jù)Dramexchange數(shù)據(jù)，NANDFlash Wafer合約價(jià)已在8月反彈，且隨著減產(chǎn)幅度擴(kuò)大，客戶備貨力道有望回升，進(jìn)一步支撐9月NANDFlash Wafer合約價(jià)續(xù)漲。根據(jù)DRAMexchange數(shù)據(jù)，NANDFlash價(jià)格自8月已有小幅上漲。根據(jù)TrendForce預(yù)估第4季NANDFlash均價(jià)有望因此持平或小幅上漲，漲幅預(yù)估約0~5%。
本周（9.11-9.15）最新報(bào)價(jià)：FLASHWafer本周128G/64GTLC，固帶晶圓價(jià)格報(bào)至3.4/1.75美金左右，在原廠的控貨策略下，晶圓價(jià)格繼續(xù)走高，成交增多。貿(mào)易商進(jìn)場(chǎng)助推，詢單有明顯增多，INKDIE目前現(xiàn)貨供應(yīng)不多，價(jià)格聯(lián)動(dòng)，交易增多，多數(shù)為國(guó)慶備貨需求。
◆庫(kù)存端：芯片廠庫(kù)存基本穩(wěn)定，部分模組廠在周期低點(diǎn)加強(qiáng)戰(zhàn)略備庫(kù)
海外存儲(chǔ)商為穩(wěn)定價(jià)格不愿大力出貨，庫(kù)存去化緩慢。市場(chǎng)處于供過于求階段之時(shí)，庫(kù)存水位會(huì)持續(xù)上升，廠商通常通過降價(jià)、減產(chǎn)等方式，從而將庫(kù)存水位恢復(fù)到正常的水平。從海外龍頭廠商庫(kù)存水位變化情況看，由于價(jià)格已經(jīng)處于磨底階段，繼續(xù)降價(jià)去庫(kù)存的成效一般，且廠商為穩(wěn)定價(jià)格，繼續(xù)降價(jià)的意愿并不強(qiáng)烈。22Q3/22Q4/23Q1/23Q2，三星電子庫(kù)存分別為約400.12/413.86/419.33/422.10億美元;SK海力士庫(kù)存分別為約102.55/124.22/-/126億美元;美光庫(kù)存分別為約66.63/83.59/81.29/82.38億美元。
存儲(chǔ)芯片廠商庫(kù)存波動(dòng)不大，模組廠商二季度庫(kù)存仍偏高。23Q2，根據(jù)國(guó)內(nèi)6家存儲(chǔ)芯片廠商以及3家模組廠商庫(kù)存水位來看，6家存儲(chǔ)芯片廠商中有3家Q2庫(kù)存環(huán)比略有提升，兆易創(chuàng)新/北京君正/東芯股份/普冉股份/瀾起科技/聚辰股份的庫(kù)存環(huán)比分別為-4.67%/1.09%/6.99%/-20.64%/-10.09%/2.32%；3家模組廠商中庫(kù)存全部較Q1環(huán)比有較大幅度提升，佰維存儲(chǔ)/江波龍/德明利的庫(kù)存環(huán)比分別為19.79%/8.93%/11.92%，其中佰維存儲(chǔ)表示其在庫(kù)存策略上，在周期低點(diǎn)加強(qiáng)戰(zhàn)略備庫(kù)，為行業(yè)復(fù)蘇積極準(zhǔn)備。
◆供給端：大力減產(chǎn)以去化庫(kù)存
原廠減產(chǎn)助力庫(kù)存去化加速，減產(chǎn)效益有望下半年顯現(xiàn)。從減產(chǎn)計(jì)劃來看，22Q4起SK海力士，美光，鎧俠已率先啟動(dòng)減產(chǎn)，三星自23Q2才啟動(dòng)NANDFlash減產(chǎn)，是自1998年金融危機(jī)以來三星時(shí)隔25年首次正式進(jìn)行減產(chǎn)，預(yù)計(jì)減產(chǎn)效益將于下半年體現(xiàn)。近日，三星宣布9月起擴(kuò)大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，據(jù)調(diào)查，其他供應(yīng)商預(yù)計(jì)也將跟進(jìn)擴(kuò)大第4季減產(chǎn)幅度，目的加速庫(kù)存去化速度。
◆臺(tái)股存儲(chǔ)：月度營(yíng)收環(huán)比持續(xù)改善，同比跌幅收窄
23M8，臺(tái)股存儲(chǔ)市場(chǎng)好轉(zhuǎn)跡象持續(xù)。主業(yè)為DRAM的南亞科8月實(shí)現(xiàn)營(yíng)收25.75億新臺(tái)幣，環(huán)比+5.65%，同比收窄19.87個(gè)pcts至24.69%，單月營(yíng)收再創(chuàng)今年新高。受益于急單挹注，營(yíng)運(yùn)持續(xù)回穩(wěn)態(tài)勢(shì)，后續(xù)仍關(guān)注實(shí)際需求復(fù)蘇狀況。據(jù)南亞科表示，預(yù)計(jì)Q4存儲(chǔ)器價(jià)格將持平甚至小幅成長(zhǎng)，加上明年需求復(fù)蘇，以及DDR5產(chǎn)品將于2024上半年開始出貨，推動(dòng)DDR5滲透率提升，多重因素下有望推動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè)重回上升通道。主業(yè)為NOR/NANDFlash的旺宏8月實(shí)現(xiàn)營(yíng)收26.01億新臺(tái)幣，環(huán)比+19.23%，同比收窄9.25個(gè)pcts至-30.23%。據(jù)旺宏表示，其對(duì)車用市
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