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“后摩爾時(shí)代”，先進(jìn)封裝成為晶圓制造主流技術(shù)發(fā)展路線：晶圓制造物理性能接近極限，英特爾CEO基辛格曾表示“摩爾定律”的節(jié)奏正在放緩至三年。先進(jìn)封裝技術(shù)通過(guò)優(yōu)化芯片間互連，在系統(tǒng)層面實(shí)現(xiàn)算力、功耗和集成度等方面的提升，是突破摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)方向。
　　先進(jìn)封裝工藝仍處于起步階段，不同工藝仍在向前發(fā)展：Bump、RDL、TSV、Wafer具備任意一個(gè)均可以被稱為先進(jìn)封裝。Bump（凸點(diǎn)）大小和間距逐步縮小直至被無(wú)凸點(diǎn)的混合鍵合技術(shù)取代；RDL（重布線層）的線寬和線距都在變?。籘SV（硅通孔）的深寬比提升的同時(shí)孔直徑在縮小。
　　國(guó)際巨頭提前進(jìn)行技術(shù)布局，推出多種基于Chiplet的解決方案：臺(tái)積電提前布局先進(jìn)封裝，3DFabric系統(tǒng)整合技術(shù)整合資源，展示了通過(guò)硅中介層進(jìn)行子系統(tǒng)集成的技術(shù)框架，這一技術(shù)框架即為CoWoS的關(guān)鍵技術(shù)；英特爾的先進(jìn)封裝主要關(guān)注互連密度、功率效率和可擴(kuò)展性三個(gè)方面，F(xiàn)overos和混合鍵合技術(shù)主要關(guān)注功率效率、互連密度方面，而Co-emib和ODI技術(shù)則聚焦于可擴(kuò)展性特點(diǎn)；沿著水平集成和垂直集成的方向，三星也開(kāi)發(fā)出2.5D封裝技術(shù)，如I-Cube和H-Cube，以及3D封裝技術(shù)X-Cube。
　　先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)眾多，不同環(huán)節(jié)材料需求不同：IC載板是芯片封裝的關(guān)鍵材料，是裸芯片和外界電路之間的橋梁；電鍍液廣泛應(yīng)用在凸點(diǎn)（bump）和再布線層（RDL）的制造，和硅通孔（TSV）的金屬填充中；環(huán)氧塑封料（EMC）主要用于保護(hù)半導(dǎo)體芯片不受外界環(huán)境的影響，并提供導(dǎo)熱、絕緣、耐濕、耐壓、支撐等復(fù)合功能；電子膠粘劑主要用于電子相關(guān)產(chǎn)品的電子元器件保護(hù)、電氣連接、結(jié)構(gòu)粘接和密封、熱管理、電磁屏蔽等；硅微粉是IC載板、環(huán)氧塑封料、底部填充膠的主要無(wú)機(jī)填充物；臨時(shí)鍵合膠是把晶圓和臨時(shí)載板黏接在一起的中間層材料，是晶圓減薄的關(guān)鍵材料。
　　投資建議：先進(jìn)封裝是未來(lái)半導(dǎo)體制造主要技術(shù)路徑，各大芯片廠商均需通過(guò)先進(jìn)封裝手段提升芯片性能。建議關(guān)注興森科技、天承科技、鼎龍股份、德邦科技、金宏氣體、深南電路、艾森股份、上海新陽(yáng)、華海誠(chéng)科、路維光電、清溢光電、華正新材、安集科技、聯(lián)瑞新材、雅克科技、華特氣體。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝需求不及預(yù)期；海外先進(jìn)封裝產(chǎn)能擴(kuò)充不及預(yù)期；國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝材料客戶導(dǎo)入不及預(yù)期。