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本周復(fù)盤：現(xiàn)貨市場(chǎng)流速緩慢，供需雙方博弈激烈
　　指數(shù)方面：據(jù)閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)，2024年第11周存儲(chǔ)市場(chǎng)有所分化，NAND指數(shù)單周提升0.63%，DRAM指數(shù)單周下降0.02%，基本持平。價(jià)格方面：NANDFlash Wafer價(jià)格持平不變，DDR4 eTT資源跟隨實(shí)際成交價(jià)小幅調(diào)漲；渠道市場(chǎng)方面，一季度淡季渠道需求平淡，渠道出現(xiàn)少量拋貨現(xiàn)象，而成本端并未下降，因此行情整體變動(dòng)不大，價(jià)格持平不變；行業(yè)市場(chǎng)方面，近期行業(yè)市場(chǎng)以少量備貨需求為主，整體需求較淡，還有延遲提貨的跡象，本周行業(yè)價(jià)格持平不變；嵌入式Flash方面，由于嵌入式資源供應(yīng)依然有限，伴隨現(xiàn)貨市場(chǎng)嵌入式產(chǎn)品需求穩(wěn)固，本周部分嵌入式價(jià)格上調(diào)：eMCP和uMCP價(jià)格全面上漲（周環(huán)比+2.8%/+5.5%），部分eMMC和UFS價(jià)格上調(diào)（周環(huán)比+1.5%/+1.4%），嵌入式LPDDR價(jià)格持平不變。
　　利基型市場(chǎng)：DDR3供不應(yīng)求，Q2價(jià)格有望調(diào)漲20%
　　供給方面，據(jù)閃德資訊報(bào)道，三星、SK海力士、美光三大原廠全力搶占HBM、DDR5等新興市場(chǎng)，新產(chǎn)能均投入相關(guān)新品，逐漸退出DDR3市場(chǎng)，利基型DRAM產(chǎn)能供給減少。需求方面，近期隨著AI、網(wǎng)通的需求增加，AI技術(shù)導(dǎo)入后終端產(chǎn)品對(duì)DDR3有容量升級(jí)的需求。價(jià)格方面，三大原廠已陸續(xù)于2023Q4起喊漲DDR3價(jià)格，隨著市場(chǎng)供不應(yīng)求，華邦也計(jì)劃在2024Q2跟進(jìn)漲價(jià)，將DDR3價(jià)格調(diào)升20%，幅度可觀。2023H2以來(lái)，主流存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格已明顯回暖，隨著利基型市場(chǎng)供需結(jié)構(gòu)改善，DDR3等利基型存儲(chǔ)產(chǎn)品有望接力上漲，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片的全品類復(fù)蘇，板塊景氣度持續(xù)提升。
　　大廠近況：開工率逐步提升，中國(guó)臺(tái)廠營(yíng)收連續(xù)多月同比高增
　　據(jù)閃德資訊報(bào)道，隨著庫(kù)存調(diào)整和智能手機(jī)市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)好，三星西安工廠稼動(dòng)率正持續(xù)提升，目前已達(dá)70%；與此同時(shí)，鎧俠計(jì)劃在3月內(nèi)將NAND稼動(dòng)率提升至90%，大廠近期稼動(dòng)率調(diào)升動(dòng)作頻繁，反應(yīng)需求正逐步向好。大廠表現(xiàn)方面，隨著價(jià)格逐步回暖，韓國(guó)2月存儲(chǔ)芯片出口額同環(huán)比大幅雙增（同比+108%/環(huán)比+14%），多家中國(guó)存儲(chǔ)臺(tái)廠營(yíng)收連續(xù)多月同比上漲，南亞科技、十銓等企業(yè)連續(xù)三月同比增長(zhǎng)30%以上，勢(shì)頭良好。隨著板塊持續(xù)復(fù)蘇，以及HBM和DDR5等產(chǎn)品的需求增長(zhǎng)，相關(guān)公司有望充分受益，受益標(biāo)的：
　?。?）存儲(chǔ)芯片：兆易創(chuàng)新、普冉股份、東芯股份、北京君正等；
　　（2）存儲(chǔ)模組：江波龍、德明利、協(xié)創(chuàng)數(shù)據(jù)、佰維存儲(chǔ)等；
　?。?）存儲(chǔ)接口：瀾起科技、聚辰股份等；
　?。?）存儲(chǔ)封測(cè)及HBM產(chǎn)業(yè)鏈：長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技、香農(nóng)芯創(chuàng)等
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：需求復(fù)蘇不及預(yù)期，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇，公司新品研發(fā)進(jìn)度不及預(yù)期。