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國(guó)產(chǎn)功率參與全球化競(jìng)爭(zhēng)，長(zhǎng)期空間足，板塊估值處歷史底部
　　國(guó)產(chǎn)功率參與全球化競(jìng)爭(zhēng)，產(chǎn)品與技術(shù)從“緩慢追趕”到“逐步領(lǐng)先”，積極拓展海外市場(chǎng)。國(guó)產(chǎn)功率廠商近幾年快速進(jìn)行技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)品迭代，與國(guó)際龍頭廠商差距顯著縮小甚至在特定領(lǐng)域內(nèi)快速取代海外龍頭成為核心供應(yīng)商，并且形成不可逆轉(zhuǎn)的主流趨勢(shì)。在二極管/IGBT模組領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)廠商建立強(qiáng)護(hù)城河，全球市占率顯著提升，替代空間足，同時(shí)運(yùn)用海外品牌或海外建廠等方式積極拓展海外市場(chǎng)，龍頭企業(yè)海外銷售占比有望進(jìn)一步提升。MOSFET方面，AI服務(wù)器的快速放量提供增量空間，國(guó)產(chǎn)MOSFET替代空間足。
　　車規(guī)主驅(qū)IGBT模塊供給格局逐漸穩(wěn)定，2024年為國(guó)產(chǎn)SiCMOSFET主驅(qū)規(guī)模放量元年。車規(guī)IGBT模組供給側(cè)格局逐漸穩(wěn)定，經(jīng)過(guò)過(guò)去3年終端數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，車企更傾向于穩(wěn)定性/可靠性占優(yōu)的龍頭供應(yīng)商，由于缺貨帶來(lái)的多家供應(yīng)的格局將逐漸向頭部龍頭企業(yè)集中。2024年為國(guó)產(chǎn)SiCMOSFET主驅(qū)規(guī)模放量的元年，8寸線逐漸落地，預(yù)計(jì)溝槽型SiCMOSFET也逐步追趕國(guó)際大廠。其中，性能指標(biāo)（包括比導(dǎo)通電阻/短路耐受時(shí)間等）、產(chǎn)能（優(yōu)先考慮產(chǎn)能供給充沛廠商）以及高可靠性成為終端車企關(guān)注重點(diǎn)。我們認(rèn)為，具備領(lǐng)先SiC模塊封裝能力、充分的產(chǎn)能配套能力以及產(chǎn)品高可靠性的龍頭企業(yè)有望充分受益。
　　國(guó)產(chǎn)功率（上市公司）全球市占率約21%，長(zhǎng)期替代空間足，短期需求緩慢恢復(fù)格局優(yōu)化，板塊處于估值底部。根據(jù)我們統(tǒng)計(jì)，上市功率公司2023年?duì)I收合計(jì)為443億元，全球市占率約為21%，Omdia預(yù)計(jì)2026年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至358.65億美元（約2600億元），長(zhǎng)期看國(guó)產(chǎn)功率廠商將與國(guó)際大廠同臺(tái)競(jìng)爭(zhēng)替代空間足，短期來(lái)看，終端需求逐季復(fù)蘇，產(chǎn)能充裕供給側(cè)相對(duì)過(guò)剩，但格局上看會(huì)逐漸向頭部廠商集中優(yōu)化，當(dāng)前功率板塊處于歷史估值底部，建議關(guān)注揚(yáng)杰科技（雙品牌運(yùn)營(yíng)，積極開拓海外市場(chǎng)）、斯達(dá)半導(dǎo)（車規(guī)IGBT龍頭，SiCMOS步入快速放量階段）、華潤(rùn)微（國(guó)產(chǎn)MOSFET領(lǐng)先，12寸產(chǎn)線多品類布局）、新潔能（AI服務(wù)器等新興應(yīng)用占比提升）、芯聯(lián)集成（8寸SiCMOS產(chǎn)線進(jìn)展順利，國(guó)產(chǎn)車規(guī)系統(tǒng)解決方案提供商）。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：下游需求低于預(yù)期、產(chǎn)品同質(zhì)化嚴(yán)重競(jìng)爭(zhēng)激烈盈利能力低于預(yù)期、技術(shù)迭代低于預(yù)期等。