>> 國泰君安-半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)事件點(diǎn)評：半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口受阻或加劇，國產(chǎn)化有望加速-241124
| 上傳日期： |
2024/11/25 |
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| 623KB |
| 格式： |
pdf 共3頁 |
來源： |
國泰君安 |
| 評級： |
增持 |
作者： |
肖群稀,李啟文 |
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本報告導(dǎo)讀：
美國對華新一輪半導(dǎo)體設(shè)備出口限制政策或出臺，美系廠商主導(dǎo)的刻蝕、沉積、量檢測、離子注入等主要前道設(shè)備進(jìn)口或進(jìn)一步受阻，倒逼國產(chǎn)設(shè)備加速替代。
投資要點(diǎn)：
投資建議：美系半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口或進(jìn)一步受阻，對標(biāo)國產(chǎn)設(shè)備有望加速替代。此外先進(jìn)封裝作為提升芯片性能的又一利器，或加速發(fā)展對沖國內(nèi)前道制造落后狀態(tài)。推薦標(biāo)的：1）量檢測環(huán)節(jié)：中科飛測、精測電子；2）離子注入環(huán)節(jié)：華海清科；3）鍵合設(shè)備：快克智能。受益標(biāo)的包括北方華創(chuàng)（刻蝕、沉積）、中微公司（刻蝕、沉積、量檢測）、拓荊科技（沉積、鍵合）、芯源微（鍵合）、盛美上海（清洗等）等。
事件：根據(jù)集微網(wǎng)消息，拜登政府或于感恩節(jié)（2024年11月28日）假期前公布對華半導(dǎo)體新的出口限制，預(yù)計將有多達(dá)200家中國芯片制造商列入貿(mào)易限制名單，禁止大多數(shù)美國供應(yīng)商向目標(biāo)公司供貨。此外對高帶寬內(nèi)存芯片（HBM）的限制措施或于2024年12月推出。
美系廠商主導(dǎo)的刻蝕、沉積、量檢測、離子注入等主要前道設(shè)備進(jìn)口或進(jìn)一步受阻，倒逼國產(chǎn)設(shè)備加速替代。自2018年，美國對華先進(jìn)制程相關(guān)芯片生產(chǎn)制造的限制持續(xù)加強(qiáng)。美系半導(dǎo)體設(shè)備廠商應(yīng)用材料、Lam Research、KLA等在刻蝕、沉積、量檢測、離子注入等關(guān)鍵前道設(shè)備領(lǐng)域均接近壟斷地位，尤其是先進(jìn)制程。本輪出口限制涉及多達(dá)200家中國芯片制造商，涉及范圍較廣。該政策若出臺，國內(nèi)芯片廠商獲得上述美系設(shè)備難度將進(jìn)一步提升，有望倒逼相關(guān)國產(chǎn)設(shè)備加速替代。國產(chǎn)廠商目前涉及上述領(lǐng)域的有：①刻蝕設(shè)備：北方華創(chuàng)、中微公司；②薄膜沉積：拓荊科技、北方華創(chuàng)、中微公司等。③離子注入：華海清科（參股公司芯崳半導(dǎo)體）、萬業(yè)企業(yè)、中科信等；④量檢測設(shè)備：中科飛測、精測電子、中微公司、天準(zhǔn)科技等。
作為提升芯片性能的另一利器，先進(jìn)封裝擴(kuò)產(chǎn)有望提速。摩爾定律驅(qū)動下，芯片性能提升主要依賴前道制程微縮實(shí)現(xiàn)。前道制程微縮帶動的芯片性能提升的投入產(chǎn)出比日益降低，先進(jìn)封裝正成為超越摩爾定律的另一項(xiàng)手段來實(shí)現(xiàn)芯片性能的提升。若國內(nèi)7nm芯片進(jìn)口受限，在國內(nèi)前道加速突破的同時，先進(jìn)封裝亦有望同步推進(jìn)帶動國內(nèi)早日突破7nm及以下制程的封鎖。與傳統(tǒng)封裝相比，先進(jìn)封裝新增工藝以前道工藝為主，其中增量明顯的工藝來自于清洗、CMP、鍵合、刻蝕、薄膜沉積等。上述領(lǐng)域設(shè)備有望受益于國內(nèi)先進(jìn)封裝擴(kuò)產(chǎn)。
風(fēng)險提示：國產(chǎn)替代不及預(yù)期、行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期、市場競爭加劇
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