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>> 中郵證券-炬芯科技(688049)存內(nèi)計(jì)算賦能端側(cè)AI-241230
上傳日期:   2024/12/30 大小:   450KB
格式:   pdf  共5頁 來源:   中郵證券
評(píng)級(jí):   買入 作者:   吳文吉
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投資要點(diǎn)
  存內(nèi)計(jì)算引領(lǐng)AI新方向。弱化或消除“存儲(chǔ)墻”及“功耗墻”問題的方法是采用存內(nèi)計(jì)算Computing-in-Memory(CIM)結(jié)構(gòu)。其核心思想是將部分或全部的計(jì)算移到存儲(chǔ)中,讓存儲(chǔ)單元具有計(jì)算能力,數(shù)據(jù)不需要單獨(dú)的運(yùn)算部件來完成計(jì)算,而是在存儲(chǔ)單元中完成存儲(chǔ)和計(jì)算,消除了數(shù)據(jù)訪存延遲和功耗,是一種真正意義上的存儲(chǔ)與計(jì)算融合。同時(shí),由于計(jì)算完全依賴于存儲(chǔ),因此可以開發(fā)更細(xì)粒度的并行性,大幅提升性能尤其是能效比。要在存儲(chǔ)上做計(jì)算,存儲(chǔ)介質(zhì)的選擇是成本關(guān)鍵。單芯片為王,炬芯的目標(biāo)是將低功耗端側(cè)AI的計(jì)算能力和其他SoC的模塊集成于一顆芯片中,于是使用特殊工藝的DDRRAM和Flash無法在考慮范圍內(nèi)。而采用標(biāo)準(zhǔn)SoC適用的CMOS工藝中的SRAM和新興NVRAM(如RRAM或者M(jìn)RAM)進(jìn)入視野。SRAM工藝非常成熟,且可以伴隨著先進(jìn)工藝升級(jí)同步升級(jí),讀寫速度快、能效比高,并可以無限多次讀寫。唯一缺陷是存儲(chǔ)密度較低,但對(duì)于絕大多數(shù)端側(cè)AI的算力需求,該缺陷不會(huì)成為阻力。短期內(nèi),SRAM是在低功耗端側(cè)AI設(shè)備上打造高能效比的最佳技術(shù)路徑,且可以快速落地,沒有量產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。
  新存內(nèi)計(jì)算產(chǎn)品打開業(yè)界新增量。公司創(chuàng)新性的采用了基于模數(shù)混合設(shè)計(jì)的電路實(shí)現(xiàn)CIM,在SRAM介質(zhì)內(nèi)用客制化的模擬設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)數(shù)字計(jì)算電路,既實(shí)現(xiàn)了真正的CIM,又保證了計(jì)算精度和量產(chǎn)一致性。炬芯科技選擇基于模數(shù)混合電路的SRAM存內(nèi)計(jì)算(Mixed-ModeSRAM based CIM,簡(jiǎn)稱MMSCIM)的技術(shù)路徑,具有以下幾點(diǎn)顯著的優(yōu)勢(shì):
  第一,比純數(shù)字實(shí)現(xiàn)的能效比更高,并幾乎等同于純模擬實(shí)現(xiàn)的能效比;
  第二,無需ADC/DAC,數(shù)字實(shí)現(xiàn)的精度,高可靠性和量產(chǎn)一致性,這是數(shù)字化天生的優(yōu)勢(shì);
  第三,易于工藝升級(jí)和不同F(xiàn)AB間的設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換;
  第四,容易提升速度,進(jìn)行性能/功耗/面積(PPA)的優(yōu)化;
  第五,自適應(yīng)稀疏矩陣,進(jìn)一步節(jié)省功耗,提升能效比。
  而對(duì)于高質(zhì)量的音頻處理和語音應(yīng)用,MMSCIM是最佳的未來低功耗端側(cè)AI音頻技術(shù)架構(gòu)。由于減少了在內(nèi)存和存儲(chǔ)之間數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨?,它可以大幅降低延遲,顯著提升性能,有效減少功耗和熱量產(chǎn)生。對(duì)于要在追求極致能效比電池供電IoT設(shè)備上賦能AI,在每毫瓦下打造盡可能多的AI算力,公司采用的MMSCIM技術(shù)是真正實(shí)現(xiàn)端側(cè)AI落地的最佳解決方案。
  存內(nèi)計(jì)算產(chǎn)品路線開創(chuàng)新領(lǐng)域。1、炬芯第一代(GEN1)MMSCIM已經(jīng)在2024年落地,GEN1 MMSCIM采用22納米制程,每一個(gè)核可以提供100 GOPS的算力,能效比高達(dá)6.4 TOPS/W @INT8;2、到2025年,炬芯科技將推出第二代(GEN2)MMSCIM,GEN2 MMSCIM采用22納米制程,性能將相較第一代提高三倍,每個(gè)核提供300GOPS算力,直接支持Transformer模型,能效比也提高到7.8TOPS/W @INT8;3、到2026年,推出新制程12納米的第三代(GEN3)MMSCIM,GEN3MMSCIM每個(gè)核達(dá)到1 TOPS的高算力,支持Transformer,能效比進(jìn)一步提升至15.6TOPS/W @INT8。以上每一代MMSCIM技術(shù)均可以通過多核疊加的方式來提升總算力,比如MMSCIMGEN2單核是300 GOPS算力,可以通過四個(gè)核組合來達(dá)到高于1TOPS的算力。
  投資建議:
  我們預(yù)計(jì)公司2024-2026年歸母凈利潤(rùn)0.9/1.4/2.0億元,維持“買入”評(píng)級(jí)。
  風(fēng)險(xiǎn)提示:
  產(chǎn)品研發(fā)及技術(shù)創(chuàng)新不及預(yù)期;行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局加劇風(fēng)險(xiǎn);國(guó)際貿(mào)易摩擦風(fēng)險(xiǎn);產(chǎn)品推廣不及預(yù)期。
  
炬芯科技股票研究報(bào)告
 
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