>> 甬興證券-存儲芯片行業(yè)周度跟蹤：NAND大廠或減產(chǎn)穩(wěn)價，存儲現(xiàn)貨行情平穩(wěn)-250205
| 上傳日期： |
2025/2/6 |
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| 720KB |
| 格式： |
pdf 共10頁 |
來源： |
甬興證券 |
| 評級： |
增持 |
作者： |
陳宇哲 |
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核心觀點
NAND：NAND閃存過剩，三星、SK海力士、美光等制造商計劃2025年減產(chǎn)以穩(wěn)定價格。根據(jù)DRAMexchange，上周（20250120-0124）NAND顆粒22個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-1.23%至2.50%，平均漲跌幅為0.42%。其中10個料號價格持平，9個料號價格上漲，3個料號價格下跌。根據(jù)科創(chuàng)板日報援引TechPowerup報道，如今全球NAND閃存持續(xù)供過于求，相應市場面臨嚴峻挑戰(zhàn)，除了企業(yè)級SSD有動能支撐外，其他終端產(chǎn)品銷量均普遍不如預期，供貨商庫存持續(xù)上升，訂單需求下降。三星、SK海力士、鎧俠、美光均已開始研究NAND閃存減產(chǎn)計劃，從而緩解供需失衡并穩(wěn)定價格，預計相關廠商計劃會按照市場實際情況分階段進行。
DRAM:南亞科預計DRAM市場第2季開始復蘇。根據(jù)DRAMexchange，上周（20250120-0124）DRAM 18個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-1.07%至1.36%，平均漲跌幅為0.09%。上周8個料號呈上漲趨勢，10個料號呈下降趨勢，0個料號價格持平。南亞科技總經(jīng)理李培瑛表示，隨著區(qū)域經(jīng)濟體發(fā)布刺激方案，客戶態(tài)度已轉趨積極，預計DRAM市場可望于第2季開始復蘇。
HBM：美光臺灣2025年將量產(chǎn)1γ制程，HBM4或于2026年量產(chǎn)。根據(jù)CFM閃存市場報道，臺灣美光董事長盧東暉表示，美光在臺灣地區(qū)投資滿30年，至2024年美光累積在臺灣投資新臺幣1.1兆元。受惠AI需求暢旺，以及看好臺灣地區(qū)優(yōu)勢，美光最先進制程將在臺量產(chǎn)，2025年1-Beta產(chǎn)能將持續(xù)拉升，先進制程預計2025年將推進至1γ制程，而新一代高頻寬記憶體(HBM4)預計2026年量產(chǎn)。
市場端：整體存儲現(xiàn)貨行情普遍維持平穩(wěn)。根據(jù)CFM閃存市場報道，存儲市場普遍進入休整期，整體交易相對寡淡，本周存儲現(xiàn)貨市場普遍以平穩(wěn)度過為主。2024年三季度以來，雖存儲原廠為應對部分應用市場供應過剩已積極實施轉產(chǎn)和減產(chǎn)舉措，但目前整體上存儲市場仍處于供需失衡狀態(tài)，而存儲價格也從2024年四季度起，除AI服務器外的應用市場外普遍走跌，行情的轉變正逐漸傳導并反映至存儲原廠和國內外存儲品牌廠商的業(yè)績當中。
投資建議
我們持續(xù)看好受益先進算力芯片快速發(fā)展的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、以存儲為代表的半導體周期復蘇主線。
HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相關產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來加速成長，建議關注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠科等；
存儲芯片：受益于供應端推動漲價、庫存逐漸回歸正常、AI帶動HBM、SRAM、DDR5需求上升，產(chǎn)業(yè)鏈有望探底回升。推薦東芯股份，建議關注兆易創(chuàng)新、恒爍股份、佰維存儲、江波龍、德明利等。
風險提示
中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預期、國產(chǎn)替代不及預期等。
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