>> 萬聯(lián)證券-電子行業(yè)快評報告：供需格局優(yōu)化或推動存儲價格調(diào)漲，AI端側(cè)滲透有望提振需求-250326
| 上傳日期： |
2025/3/26 |
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| 461KB |
| 格式： |
pdf 共2頁 |
來源： |
萬聯(lián)證券 |
| 評級： |
強于大市 |
作者： |
夏清瑩,陳達 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
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行業(yè)核心觀點：
2024年Q4以來，存儲原廠積極調(diào)控產(chǎn)能以實現(xiàn)庫存逐步去化，在原廠干預(yù)下存儲供給格局有所優(yōu)化，同時AI端側(cè)產(chǎn)品的加速滲透有望推動存儲需求提升，進而帶動存儲整體供需格局改善。
投資要點：
存儲庫存去化順利，原廠宣布產(chǎn)品價格有望調(diào)漲：2024年由于存儲行業(yè)供給端庫存壓力較大，產(chǎn)品價格整體維持震蕩下行態(tài)勢，至2024年Q4原廠減產(chǎn)干預(yù)后，存儲庫存去化順利，價格逐步企穩(wěn)。根據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)測，1）NANDFlash方面，原廠減產(chǎn)疊加消費電子品牌提前備貨，PC、智能手機和數(shù)據(jù)中心重建庫存，預(yù)計2025年第二季度價格有所回升，Client SSD價格季增3-8%，Enterprise SSD持平，eMMC和UFS價格持平，而NANDFlash Wafer則季增10-15%。2）DRAM方面，因HBM3e放量和庫存去化，均價或季增3-8%，其中PC/ServerDRAM價格持平，Mobile DRAM的LPDDR5X價格有望季增0-5%，而Consumer DDR4受新基建推動可能季增0-5%。3）原廠供應(yīng)策略方面，根據(jù)閃存市場微信公眾號，近日存儲原廠閃迪向客戶發(fā)送漲價函稱，由于存儲行業(yè)供需狀態(tài)變化，所有面向渠道和消費類產(chǎn)品將于2025年4月1日起漲價10%，且不排除后續(xù)季度還有漲價。根據(jù)鈦媒體硅基世界報道，其他存儲原廠美光、三星和SK海力士預(yù)計也將于4月對閃存價格進行調(diào)整，其中美光預(yù)計提高旗下閃存產(chǎn)品價格超10%。
AI端側(cè)產(chǎn)品加速滲透，有望推動消費級存儲需求提升：以DeepSeek為代表的開源大模型有望憑借其低成本部署、高性能推理等特點，推動生成式AI在手機、PC、眼鏡等端側(cè)設(shè)備加速落地。SK海力士認為2025年AIPC、AI手機將加速滲透，預(yù)計AIPC/AI手機滲透分別達到30%-40%/約30%。IDC預(yù)計，2025年全球智能眼鏡市場預(yù)計出貨1205萬臺，同比增長18.3%。我們認為隨著AIPC、AI手機及AI可穿戴產(chǎn)品等端側(cè)設(shè)備的加速滲透，消費級存儲需求有望提升，例如16/24/32GBDRAM將得到廣泛采用以支持AI應(yīng)用，高性能嵌入式存儲如LPDDR5X/LPDDR5T的需求有望增長。
投資建議：我們認為2025年第二季度全球存儲芯片市場有望呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性復(fù)蘇態(tài)勢，主要受益于DeepSeek技術(shù)降低AI部署成本加速端側(cè)設(shè)備滲透，進一步提升存儲芯片需求，同時原廠調(diào)整供應(yīng)策略有望維持產(chǎn)品價格穩(wěn)中有升態(tài)勢，建議關(guān)注存儲芯片設(shè)計、模組及IDM等領(lǐng)域的龍頭公司。
風險因素：中美科技摩擦加?。籄I端側(cè)滲透不及預(yù)期；AI應(yīng)用發(fā)展不及預(yù)期；技術(shù)研發(fā)不及預(yù)期；市場競爭加劇。
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