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半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率持續(xù)提升，上市/非上市設(shè)備商持續(xù)推進(jìn)核心設(shè)備布局
　　3月26日-28日Semicon 2025于上海召開，會(huì)議上，我們觀察到1）半導(dǎo)體設(shè)備商北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技等積極推出離子注入、刻蝕、沉積等新產(chǎn)品，持續(xù)擴(kuò)張國產(chǎn)設(shè)備版圖；2）非上市公司中，新凱來關(guān)注度較高，新凱來在本次Semicon發(fā)布包括外延沉積設(shè)備EPI（峨眉山）、原子層沉積設(shè)備ALD（阿里山）、物理氣相沉積設(shè)備PVD（普陀山）、刻蝕設(shè)備ETCH（武夷山）、薄膜沉積設(shè)備CVD（長白山）等數(shù)十款新品。新凱來的參與或?qū)Π雽?dǎo)體設(shè)備行業(yè)供給格局有一定影響，根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，刻蝕、薄膜沉積、離子注入、光刻與量檢測等核心設(shè)備在制程及細(xì)分品類仍有廣闊提升空間，我們看好設(shè)備行業(yè)國產(chǎn)化率提升以及對(duì)上游設(shè)備零部件的拉動(dòng)作用。
　　下游擴(kuò)產(chǎn)需求旺盛，設(shè)備廠全年展望樂觀
　　展望2025年，我們認(rèn)為DeepSeek等開源大模型有望進(jìn)一步帶動(dòng)國產(chǎn)先進(jìn)制程需求，邏輯與存儲(chǔ)芯片廠商先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)擴(kuò)產(chǎn)有望加速，為國產(chǎn)前后道設(shè)備在高端產(chǎn)線商業(yè)化提供良好契機(jī)，我們認(rèn)為后續(xù)有望看到更多國內(nèi)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目落地，有望帶動(dòng)設(shè)備廠下游資本開支維持高位。在國內(nèi)下游持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，以及外部地緣政治風(fēng)險(xiǎn)的兩重因素持續(xù)催化下，我們認(rèn)為國產(chǎn)線設(shè)備國產(chǎn)化率將有望穩(wěn)步上行，Semicon會(huì)議上我們也觀察到國產(chǎn)設(shè)備公司訂單展望樂觀。我們認(rèn)為后續(xù)先進(jìn)制程投產(chǎn)力度以及國產(chǎn)化率提升速度仍有上修空間，建議持續(xù)關(guān)注下游半導(dǎo)體制造商擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度以及國產(chǎn)化率提升情況。
　　設(shè)備廠商大量發(fā)布新品，積極擴(kuò)張產(chǎn)品矩陣
　　本次展會(huì)我們觀察到多家設(shè)備商發(fā)布新品，包括1）北方華創(chuàng)發(fā)布首款離子注入機(jī)Sirius MC 313，進(jìn)一步拓展公司TAM。同時(shí)發(fā)布了首款12英寸電鍍?cè)O(shè)備（ECP）——Ausip T830，主要應(yīng)用于2.5D/3D先進(jìn)封裝領(lǐng)域；2）中微公司發(fā)布首款晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo Halona，并宣布ICP雙反應(yīng)臺(tái)刻蝕機(jī)Primo Twin-Star反應(yīng)臺(tái)之間的刻蝕精度已突破到0.2A；3）拓荊科技發(fā)布ALD系列、3D-IC及先進(jìn)封裝系列（低應(yīng)力熔融鍵合設(shè)備、芯片對(duì)晶圓混合鍵合、激光剝離設(shè)備和鍵合套準(zhǔn)精度量測設(shè)備），CVD系列新品等。我們認(rèn)為設(shè)備公司研發(fā)積累逐步進(jìn)入收獲期，研發(fā)實(shí)力進(jìn)一步增強(qiáng)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：全球半導(dǎo)體行業(yè)下行風(fēng)險(xiǎn)，行業(yè)競爭加劇風(fēng)險(xiǎn)，國產(chǎn)化率提升進(jìn)展不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)，下游擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)，半導(dǎo)體設(shè)備商新品研發(fā)進(jìn)展不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)。