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甬興證券-電子行業(yè)存儲(chǔ)芯片周度跟蹤:1Q25全球NAND市場(chǎng)環(huán)比下降,HBM4溢價(jià)幅度或超30%-250526
上傳日期:
2025/5/26
大小:
709KB
格式:
pdf 共9頁(yè)
來(lái)源:
甬興證券
評(píng)級(jí):
增持
作者:
陳宇哲
,
劉奕司
行業(yè)名稱:
電子
下載權(quán)限:
此報(bào)告為加密報(bào)告
核心觀點(diǎn)
NAND:2025年一季度企業(yè)級(jí)市場(chǎng)需求放緩,1Q25全球NAND市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比減少25%。根據(jù)DRAMexchange,上周(20250519-0523)NAND顆粒22個(gè)品類現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為0.00%至2.41%,平均漲跌幅為1.38%。其中1個(gè)料號(hào)價(jià)格持平,21個(gè)料號(hào)價(jià)格上漲,0個(gè)料號(hào)價(jià)格下跌。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道,2025年一季度采購(gòu)需求出現(xiàn)環(huán)比減少,市場(chǎng)供過(guò)于求明顯。2025年一季度全球NANDFlash市場(chǎng)規(guī)模達(dá)130.1億美元,環(huán)比減少25.3%,同比減少14.2%。
DRAM:TrendForce稱DDR4產(chǎn)品價(jià)格漲幅大于DDR5產(chǎn)品價(jià)格。根據(jù)DRAMexchange,上周(20250519-0523)DRAM 18個(gè)品類現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-0.81%至6.39%,平均漲跌幅為2.22%。上周14個(gè)料號(hào)呈上漲趨勢(shì),4個(gè)料號(hào)呈下降趨勢(shì),0個(gè)料號(hào)價(jià)格持平。根據(jù)科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)報(bào)道,根據(jù)TrendForce的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告,DRAM方面,由于預(yù)期未來(lái)供應(yīng)將趨緊,現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR4產(chǎn)品價(jià)格漲幅大于DDR5產(chǎn)品價(jià)格。同時(shí),由于模組廠積極備貨,DDR5產(chǎn)品價(jià)格也持續(xù)小幅上漲。集邦咨詢認(rèn)為,整體來(lái)看,2025年第二季現(xiàn)貨價(jià)格將維持上漲趨勢(shì),DDR4與DDR5產(chǎn)品價(jià)差將進(jìn)一步縮小。
HBM:TrendForce稱HBM4新規(guī)格拉高制造門檻,預(yù)期溢價(jià)幅度逾30%。根據(jù)科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)報(bào)道,根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究,HBM技術(shù)發(fā)展受AIServer需求帶動(dòng),三大原廠積極推進(jìn)HBM4產(chǎn)品進(jìn)度。由于HBM4的I/O(輸入/輸出接口)數(shù)增加,復(fù)雜的芯片設(shè)計(jì)使得晶圓面積增加,且部分供應(yīng)商產(chǎn)品改采邏輯芯片架構(gòu)以提高性能,皆推升了成本。鑒于HBM3e剛推出時(shí)的溢價(jià)比例約為20%,預(yù)計(jì)制造難度更高的HBM4溢價(jià)幅度將突破30%。
市場(chǎng)端:部分原廠DDR4停產(chǎn)引發(fā)“蝴蝶效應(yīng)”,上周行業(yè)DDR4內(nèi)存條和服務(wù)器DDR4內(nèi)存條報(bào)價(jià)大幅上調(diào)。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道,上周部分原廠DDR4停產(chǎn)引發(fā)“蝴蝶效應(yīng)”,令部分高規(guī)格DDR4顆粒價(jià)格大幅跳漲,行業(yè)DDR4 SODIMM和服務(wù)器DDR4RDIMM跟漲。低容量eMMC受MLC和256Gb TLCNAND停產(chǎn)影響,供應(yīng)持續(xù)緊缺使得成品價(jià)格大幅拉漲;部分大容量eMMC資源價(jià)格上漲且Tier1客戶正常補(bǔ)庫(kù)需求驅(qū)動(dòng)下,大容量eMMC成品價(jià)格也上調(diào)報(bào)價(jià);LPDDR4X供應(yīng)持續(xù)趨緊助推相應(yīng)成品漲價(jià)繼續(xù)保持。
投資建議
我們持續(xù)看好受益先進(jìn)算力芯片快速發(fā)展的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、以存儲(chǔ)為代表的半導(dǎo)體周期復(fù)蘇主線。
HBM:受益于算力芯片提振HBM需求,相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來(lái)加速成長(zhǎng),建議關(guān)注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠(chéng)科等;
存儲(chǔ)芯片:受益于供應(yīng)端推動(dòng)漲價(jià)、庫(kù)存逐漸回歸正常、AI帶動(dòng)HBM、SRAM、DDR5需求上升,產(chǎn)業(yè)鏈有望探底回升。推薦東芯股份,建議關(guān)注兆易創(chuàng)新、恒爍股份、佰維存儲(chǔ)、江波龍、德明利等。
風(fēng)險(xiǎn)提示
中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預(yù)期、國(guó)產(chǎn)替代不及預(yù)期等。
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