>> 方正證券-電子行業(yè)事件點評報告：存儲行業(yè)漲價持續(xù)超預(yù)期，看好模組環(huán)節(jié)核心受益-251118
| 上傳日期： |
2025/11/19 |
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| 212KB |
| 格式： |
pdf 共2頁 |
來源： |
方正證券 |
| 評級： |
推薦 |
作者： |
馬天翼,金晶 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
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存儲行業(yè)漲價持續(xù)超預(yù)期，有望迎來超級大周期。1）從產(chǎn)業(yè)報價來看，9月起美光通知客戶，DDR4、DDR5等存儲產(chǎn)品全部停止報價，價格或?qū)⒄{(diào)漲20%-30%。閃迪于11月第三次調(diào)漲NAND閃存合約價格，漲幅高達50%，三星也于11月宣布內(nèi)存芯片的價格較9月上調(diào)了30%-60%。2）從存儲指數(shù)及現(xiàn)貨價格來看，DRAM和NAND指數(shù)今年3月11日為年內(nèi)最低點，9月底較最低點DRAM/NAND指數(shù)漲幅分別為99%/19%，截至11月18日，較9月底僅1個半月時間DRAM/NAND指數(shù)漲幅分別為90%/70%，從現(xiàn)貨價格來看，以DDR516Gb為例，截至11月18日價格為24.83美元，相較于9月30日價格7.68美元漲幅為224%，以512Gb TLC wafer為例，截至11月10日為6.46美元，相較于9月29日價格3.12美元漲幅為107%。
AI點燃下游需求，供給錯配周期持續(xù)性超預(yù)期。與以往主要依賴于消費端需求的3至4年周期性波動不同，當前的存儲市場增長主要由企業(yè)級人工智能相關(guān)的資本支出所驅(qū)動。TrendForce將2025年全球八大主要CSPs資本支出(CapEx)總額年增率從原本的61%上修至65%，合計資本支出超出4300億美元，約為2023年與2024年資本支出相加的水平，預(yù)期2026年CSPs仍將維持積極的投資節(jié)奏，合計資本支出將進一步推升至6,000億美元以上，年增長40%。供給側(cè)，三星、SK海力士、美光等存儲原廠資本開支與產(chǎn)線繼續(xù)向HBM/DDR5/QLC傾斜，并已宣布DDR4產(chǎn)線停產(chǎn)，計劃于2025年下半年集體削減NANDFlash晶圓產(chǎn)量，以推動市場價格回升。
存儲模組庫存鑄造業(yè)績底，持續(xù)缺貨看保供能力。存儲模組環(huán)節(jié)在周期上行時具備囤低價庫存持續(xù)釋放利潤的商業(yè)模式特點，使得模組環(huán)節(jié)釋放出超預(yù)期利潤，以德明利為例24Q1單季度毛利率/凈利率高達37.3%/24.1%。本輪周期自3月見底，模組廠佰維存儲、德明利、江波龍持續(xù)加大庫存，截至25Q3，存貨分別為57/59/85億元，隨著周期上行存儲價格持續(xù)上漲有望鑄造業(yè)績底。持續(xù)缺貨行情下，具備原廠保供能力廠商有望脫穎而出，江波龍、佰維存儲均表示公司與主要存儲晶圓原廠簽訂LTA（長期供應(yīng)合約），德明利已與包括長江存儲、長鑫存儲在內(nèi)的多家核心原廠建立深度合作。
周期上行，內(nèi)生外延模組廠商打造穿越周期的內(nèi)功。佰維存儲布局松山湖晶圓級封裝廠、存儲測試設(shè)備產(chǎn)品，并投資GPU公司北京行云，江波龍品牌及全球化布局，德明利高度重視企業(yè)級存儲業(yè)務(wù)發(fā)展，已與多家頭部互聯(lián)網(wǎng)及服務(wù)器廠商達成深度合作，模組廠有望持續(xù)內(nèi)生外延深化內(nèi)功穿越周期。
投資建議：通過對產(chǎn)業(yè)鏈主要企業(yè)減產(chǎn)動作、庫存及價格逐漸見底等觀測，我們認為當前存儲行業(yè)上行持續(xù)性有望超預(yù)期，疊加AI持續(xù)催化，我們在當前時點看好存儲產(chǎn)業(yè)尤其是國產(chǎn)化進程加速，建議重點關(guān)注企業(yè)級存儲相關(guān)廠商及端側(cè)AI拉動存儲需求：
1）存儲模組:佰維存儲、德明利、江波龍、香農(nóng)芯創(chuàng)、聯(lián)蕓科技、天山電子、帝科股份、朗科科技、開普云等；2）端側(cè)AI存儲：兆易創(chuàng)新、北京君正、普冉股份、東芯股份、恒爍股份等；3）存儲接口芯片：瀾起科技、聚辰股份等。
風(fēng)險提示：AI技術(shù)進展不及預(yù)期風(fēng)險，下游需求復(fù)蘇不及預(yù)期風(fēng)險，存儲周期上行持續(xù)性不及預(yù)期風(fēng)險
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