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投資要點：
　　投資建議：首次覆蓋，給予“買入”評級。我們預計公司2025–2027年歸母凈利潤分別為21.81/31.59/42.79億元，對應同比增長35.0%/44.8%/35.5%，對應PE為78.61x/54.28x/40.07x。當前估值雖高于部分同業(yè)，但基于公司1）刻蝕設備在主流晶圓廠不斷驗證，應用于先進邏輯節(jié)點；2）薄膜沉積產品線在LPCVD、ALD、金屬柵、金屬鎢等關鍵工序實現(xiàn)突破，新產品已陸續(xù)進入規(guī)模化放量階段，在半導體設備行業(yè)中具備稀缺性，我們認為應給予一定估值溢價。
　　行業(yè)與公司情況：公司是中國前道核心工藝設備領先廠商，刻蝕產品覆蓋CCP與ICP兩大體系，已滿足65nm至5nm及更先進節(jié)點需求，并在國內外一線客戶實現(xiàn)規(guī)?；瘜搿９炯铀俨季直∧こ练e與外延裝備，同時拓展光學與電子束量測及多類泛半導體微加工設備。行業(yè)方面，全球半導體設備市場2024–2027年將保持復蘇，我們預計市場規(guī)模由2024年的1,255億美元增至2027年的1,505億美元，CAGR=11.3%。中國大陸市場在晶圓廠擴產與國產替代推動下，由2024年的491億美元增至2027年的662億美元。
　　關鍵假設點：1）多重圖案化與3D存儲結構驅動刻蝕和薄膜沉積設備需求提升。隨著邏輯制程從7nm向5nm及以下推進，以及3DNAND層數(shù)由100+層向200+層、單deck向雙/三deck演進，刻蝕與沉積的單晶圓片工藝步數(shù)與設備SAM均提升約1.7–2.0倍。我們認為公司憑借在高深寬比刻蝕、金屬柵與鎢填充沉積等關鍵節(jié)點的技術儲備與驗證進展，有較強能力承接先進制程擴容帶來的結構性增量。2）薄膜沉積業(yè)務進入規(guī)?；A段，新增訂單貢獻第二增長曲線。公司LPCVD、ALD等新品相繼通過客戶驗證并形成批量出貨，2025前三季度該業(yè)務收入約4億元，同比增幅超1300%。同時，硅及SiGe外延（EPI）設備已陸續(xù)導入頭部客戶的量產驗證環(huán)節(jié)，外延產品線加速從研發(fā)向商業(yè)化轉變。我們假設沉積設備2025–2027年保持放量，公司收入結構逐漸多元化，并成為未來毛利率改善主要來源。
　　有別于市場的認識：市場多將關注點放在國產替代進程上，但我們認為未來三年公司業(yè)績的關鍵驅動力更可能來自先進邏輯及高層數(shù)3DNAND在深寬比、均勻性與材料結構上的持續(xù)演進，由此帶來刻蝕與薄膜沉積環(huán)節(jié)的結構性SAM提升；在這兩條工藝主線中，公司產品已進入核心制程驗證與批量應用階段，具備相對更明確的受益基礎。
　　股價表現(xiàn)的催化劑：公司薄膜沉積產品線放量；公司先進工藝驗證進展加速；中國主流晶圓廠資本開支上修；AI驅動算力存力投資上行。
　　風險提示：先進工藝驗證不及預期風險、下游晶圓廠擴產不達預期風險、競爭加劇及價格壓力風險、新產品良率爬坡不及預期風險。