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業(yè)績摘要：2026Q2公司營收238.6億美元，同比增加196.3%，高于彭博一致預期197.4億美元。毛利率為74.4%，同比增長37.6個百分點；經營利潤161.4億美元，同比增長810.0%，營業(yè)利潤率67.6%；GAAP凈利潤137.6億美元，Non-GAAP凈利潤140.2億美元，同比增長58.8%。NonGAAP攤薄EPS達12.1美元，高于彭博一致預期的9.0美元。26Q3收入指引中值335億美元，同比增加260.2%，超彭博一致預期的270億美元，毛利率指引81.0%，攤薄EPS中值18.9美元。
　　 AI需求重構存儲周期，內存產品供給端嚴重受限：本季度DRAM營收同比增長206.5%達187.8億美元；NAND營收同比增長169.4%達50.0億美元。目前市場從數(shù)據(jù)中心到端側AI的內存需求全方位爆發(fā)，但晶圓廠潔凈室資源有限導致未來兩年供給都將呈現(xiàn)極度緊張狀態(tài)。HBM4已于Q1開始量產出貨，預計良率爬坡將快于HBM3E，下一代HBM4E將于2027年量產。公司指引2026年DRAM bit和NAND bit的出貨量均有望同比增長約20%。預計2026/2027財年公司DRAM收入將同比增長217%/56%達898/1403億美元，HBM收入將同比增長138%/80.0%達126/227億美元。
　　首簽五年期戰(zhàn)略長協(xié)訂單，未來兩年資本開支強勁增長：Q2公司簽署首份五年期戰(zhàn)略合作訂單，其中包含明確的多年銷量及價格承諾，標志著存儲行業(yè)的強周期性特征逐步轉變?yōu)楦呖梢姸鹊挠Ｊ?。公司指?026財年資本開支將超250億美金（前值為200億美金），用于Tongluo收購及美國工廠建設，2027財年資本開支同比增長將超100億美元。
　　北美唯一存儲原廠商，積極加速技術迭代及產能擴張：作為美國唯一DRAM及NAND制造商，公司長期訂單仍有戰(zhàn)略保障。2026財年公司將受益于DRAM 1-alpha和NANDG9節(jié)點的技術迭代帶來的顯著的效率提升及成本下降，DRAM 1-delta節(jié)點將加大EUV的使用優(yōu)化潔凈室生產效率。
　　目標價626美元，買入評級：我們認為未來公司將受益于：1）AI及傳統(tǒng)服務器內存需求增長帶動HBM及DRAM量價齊升；2）NAND擴產謹慎，利潤率將大幅上漲。預計2026–2028財年公司營收分別為1150/1804/1900億美元，三年CAGR為137.3%；凈利潤分別為700/1113/1142億美元。考慮到這輪AI帶動的存儲行業(yè)周期將持續(xù)更長的時間，我們給予美光2026財年10XPE的估值，對應目標價626美元，給予買入評級。
　　風險因素：AI需求不及預期；HBM4產能爬坡及良率不及預期；DRAM和NAND供過于求時間早于預期。