>> 第一上海-臺積電(TSM.US)N2制程將大規(guī)模量產(chǎn)，先進封裝產(chǎn)能吃緊將外溢至下游OSAT廠商-260422
| 上傳日期： |
2026/4/22 |
大小： |
800KB |
| 格式： |
pdf 共7頁 |
來源： |
第一上海 |
| 評級： |
買入 |
作者： |
韓嘯宇,曹淩霽 |
| 下載權(quán)限： |
無限制-登錄即可下載 |
|
|
季度業(yè)績摘要：26Q1總收入11341.0億新臺幣，同比增長35.1%，折合359億美元，高於公司上季度指引中值的352億美元，也高於彭博一致預(yù)期的355.1億美元。其中晶圓收入9616.9億新臺幣，同比增長34.8%。本季度公司總成本3828.1億新臺幣，毛利率66.2，同比增長7.5pct。經(jīng)營利潤6590.0億新臺幣，同比增長61.9%。歸母淨利潤5728.0億新臺幣，同比增長71.6%，折合181.0億美元，高於一致預(yù)期的170.8億美元。攤薄後每ADR收益同比增長57.9%達3.49美元，高於一致預(yù)期的3.3美元。
N2制程今年將大規(guī)模量產(chǎn)，全年CapEx趨近于560億美元指引上限：Q1公司7納米及以下的先進制程貢獻收入74%，同比增長1pct，環(huán)比下滑3pct，其中3nm/5nm制程分別貢獻收入25%/36%。N2制程將在今年進入大規(guī)模量產(chǎn)，2026財年月產(chǎn)能有望達到10萬片。今年下半年N3制程毛利率有望達到並在後續(xù)超過公司整體毛利率水準，目前N3制程急單有望溢價50%-100%。2027-2028財年有望新增3座N3制程晶圓廠。2026財年資本開支有望趨近于560億美元。公司指引長期毛利率有望達56%及以上（此前為53%），長期ROE將超過20%。下一代A14制程計畫於2028年投產(chǎn)。
先進封裝產(chǎn)能吃緊，積極推進CoPoS研發(fā)：26Q1公司封測等其他業(yè)務(wù)收入1724.1億新臺幣，同比增長36.9%。預(yù)計2026/2027/2028年公司平均CoWoS月產(chǎn)能將實現(xiàn)同比50.4%/40%/30%達到10.3/14.4/18.7萬片，因需求高於供給15%-20%，部分收入將在未來兩年溢出至其他後道封裝公司。目前公司正在積極推進CoPoS封裝技術(shù)，即將晶片排列在大型方形基板上，不僅能有效提升產(chǎn)能，還能大幅優(yōu)化面積利用率與成本，2026年6月將建立首條試驗產(chǎn)線，2028年有望量產(chǎn)。
目標價480美元，維持買入評級：未來5年AI營收CAGR超58%，長期毛利率有望超56%。目前從資料中心到邊緣計算的全領(lǐng)域AI需求將持續(xù)為公司先進制程提供確定性的長期訂單，高效率的晶片製造技術(shù)不斷提升公司溢價能力。先進封裝後端工藝及測試需求已溢出至其他OSAT廠商。我們調(diào)整2026-2028年淨利潤預(yù)測至25281/32858/39749億新臺幣，三年複合增速32.3%。採用DCF法估值，WACC為9.0%，長期增長率為3.0%，調(diào)整目標價480美元，買入評級。
風險：半導(dǎo)體週期風險，先進制程及先進封裝投產(chǎn)不及預(yù)期等
|
|
