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l事件
　　公司2026年第一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入29億元，同比增加34%，環(huán)比減少33%；歸母凈利潤(rùn)約9億元，同比增加197%，環(huán)比增加3%；扣非凈利約5億元，同比增加60%，環(huán)比減少28%。
　　l刻蝕高端產(chǎn)品持續(xù)放量，薄膜新品快速兌現(xiàn)增量
　　公司一季度營(yíng)收同比增長(zhǎng)34%，主要得益于1）公司針對(duì)先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運(yùn)量顯著提升；2）先進(jìn)邏輯器件中段關(guān)鍵刻蝕工藝和先進(jìn)存儲(chǔ)器件超高深寬比刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。此外，得益于此前高強(qiáng)度研發(fā)投入，公司為先進(jìn)存儲(chǔ)器件和邏輯器件開發(fā)的LPCVD、ALD等多款導(dǎo)體和介質(zhì)薄膜新品設(shè)備，已經(jīng)順利進(jìn)入市場(chǎng)，薄膜設(shè)備的覆蓋率不斷增加。
　　l高強(qiáng)度研發(fā)投入+平臺(tái)化加速完善，核心技術(shù)持續(xù)兌現(xiàn)
　　公司刻蝕基本盤穩(wěn)固，用于先進(jìn)存儲(chǔ)超高深寬比工藝的刻蝕設(shè)備已有300多臺(tái)反應(yīng)器實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)；薄膜設(shè)備LPCVD、ALD、EPI、PVDCuBS、PECVD等十余款產(chǎn)品快速放量；減壓EPI先進(jìn)制程進(jìn)入量產(chǎn)驗(yàn)證；持續(xù)保持國(guó)際氮化鎵基MOCVD領(lǐng)先地位，積極布局用于SiC和GaN基功率器件應(yīng)用的市場(chǎng)。公司新設(shè)備開發(fā)周期已縮至2年以內(nèi)，在研6大類、超20款新品，有望依托刻蝕基本盤、薄膜與EPI新增長(zhǎng)引擎以及平臺(tái)化協(xié)同，持續(xù)提升在先進(jìn)邏輯、存儲(chǔ)與新興半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的綜合競(jìng)爭(zhēng)力。
　　l投資建議
　　我們預(yù)計(jì)公司2026-2028年收入分別為156、185、213億元，歸母凈利潤(rùn)分別為34、43、53億元，最新收盤價(jià)對(duì)應(yīng)PE分別為68x、54x、44x，維持“買入”評(píng)級(jí)。
　　l風(fēng)險(xiǎn)提示
　　研發(fā)進(jìn)度不及預(yù)期、產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇、貿(mào)易摩擦加劇