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核心觀點
　　公司采用IDM模式，專注于硅半導體及化合物半導體。據公司公告，公司是國內主要的綜合型半導體設計與制造（IDM）企業(yè)之一。公司專注于硅半導體以及化合物半導體產品的設計、制造和封裝，向客戶提供高質量的硅基集成電路、分立器件和化合物半導體器件（LED芯片和成品，SiC、GaN功率器件）產品。
　　2025年、26Q1業(yè)績穩(wěn)健增長，各產品線經營向好。（1）2025年業(yè)績及歸因：據公司公告，2025年業(yè)績：2025年公司營收為130.52億元，同比+16.32%；歸母凈利潤為3.99億元，同比+81.27%；扣非歸母凈利潤為3.72億元，同比+47.82%。2025年，公司集成電路的營業(yè)收入為49.24億元，同比增長約20%，公司集成電路營業(yè)收入增加的主要原因是：公司IPM模塊、MEMS傳感器產品、32位MCU電路、快充電路、ASIC電路、車規(guī)級模擬電路等產品的出貨量明顯加快。2025年，公司功率半導體和分立器件產品的營業(yè)收入達到63.79億元，同比增長約17%。其中，公司應用于汽車、光伏的IGBT和SiC的營業(yè)收入達到32.73億元，同比增長約43%。2025年，公司發(fā)光二極管產品的營業(yè)收入為7.65億元，同比基本持平。（2）2026年第一季度業(yè)績及歸因：據公司公告，2026年第一季度公司營收為35.19億元，同比+17.31%；歸母凈利潤為2.09億元，同比+40.57%；扣非歸母凈利潤為1.58億元，同比+8.80%。2026年第一季度，公司憑借通過長期堅持IDM發(fā)展模式所建立的產品品類豐富、生產鏈條完備、產能規(guī)模領先、品牌卓越的競爭優(yōu)勢，積極搶抓市場機遇，持續(xù)加大對大型白電、電動汽車、新能源、通訊和算力、工業(yè)等高門檻市場的拓展力度，使公司總體營收繼續(xù)保持了較快的增長勢頭。同時，公司通過持續(xù)的技術提升和成本費用管控，規(guī)模優(yōu)勢進一步顯現，產品綜合毛利率較2025年四季度有所回升。
　　英偉達提出800VDC架構，SiC、GaN功率元器件受益于SST技術。（1）英偉達提出重建800VDC供電架構，其中應用到SST固態(tài)變壓器技術。據英偉達官網，英偉達提出構建800VDC生態(tài)系統以實現高效且可擴展的AI工廠。在傳統54V直流低電壓下提供高功率在物理和經濟角度來看不切實際。其所需的大電流將導致較高的電阻損耗，并且不可持續(xù)地消耗大量的銅纜。下一代AI工廠將從交流供電過渡到800V直流供電。800V直流供電架構具備以下優(yōu)勢：800V直流端到端集成、節(jié)省銅的消耗和成本、提升電能轉換效率、使供電架構更加簡化且可靠。據英偉達官網，未來的800V直流架構將采用中壓整流器或固態(tài)變壓器。（2）伊頓電氣發(fā)布MVSST固態(tài)變壓器2.0，將SiC模塊應用于SST固態(tài)變壓器。據伊頓電氣，2026年6月3日，在IDCE 2026上海國際數據中心產業(yè)展覽會上，伊頓重磅發(fā)布MVSST固態(tài)變壓器2.0。依托“中壓直入+直流輸出”技術路線，伊頓MVSST固態(tài)變壓器2.0重構能源路徑，開啟全直流供電新紀元，以“從電網到芯片（Grid-to-Chip）”的端到端方案，為AI智算、超算、大型園區(qū)數據中心引入800VDC供電架構打造核心引擎，樹立行業(yè)“算電協同”發(fā)展新標桿。據伊頓電氣，MVSST固態(tài)變壓器2.0系統采用創(chuàng)新全SiC模塊和先進拓撲結構，降低開關和能量轉換損耗，配套精細化功率調控算法抑制無功損耗；內置高頻隔離變壓器，進一步提升功率密度，全鏈效率高達98.5%，單臺設備年節(jié)約電費超52萬元。（3）英偉達與英諾賽科就800VDC架構展開合作，后者提供GaN電源解決方案。據英諾賽科，2025年8月，英諾賽科與英偉達合作推動800VDC電源架構在AI數據中心的規(guī)?；涞?。公司的第三代半導體GaN具備出色的高頻、高效率與高功率密度等特性，為英偉達的800VDC架構提供從800V輸入到GPU終端，覆蓋15V到1200V的全鏈路GaN電源解決方案。
　　公司SiC功率元器件產能爬坡，規(guī)劃投資擴產高端模擬芯片。（1）SiC功率元器件產能爬坡。據公司2025年年報，公司已提高12英寸模擬集成電路芯片和IGBT芯片生產能力。公司6英寸SiC功率器件芯片生產線正在持續(xù)上量，8英寸SiC功率器件芯片生產線也已通線。公司IPM功率模塊封裝測試生產線的生產能力已提高到4000萬只/月。預計士蘭IPM模塊的出貨量還將保持20-30%的較快增長。持續(xù)優(yōu)化器件性能、提高功率密度、降低成本、高壓1200V的IPM模塊、SiC器件和GaN器件的應用、拓展汽車用市場是士蘭IPM模塊今后發(fā)展的主要方向。2025年四季度，士蘭微電子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產線項目（廈門士蘭集宏一期，規(guī)劃投資額70億人民幣）順利實現通線，預計2026年下半年將實現正式投產。（2）規(guī)劃投資擴產高端模擬芯片。據公司2025年年報，公司瞄準車規(guī)級模擬電路和算力服務器相關的電源電路，繼續(xù)加大力度推進12寸模擬工藝平臺的研發(fā)與量產爬坡。公司規(guī)劃在廈門建設12英寸高端模擬電路芯片生產線。項目規(guī)劃總投資200億元，計劃分兩期建設：一期投資100億元人民幣，二期投資約100億元。兩期建設完成后，將形成年產54萬片12英寸高端模擬電路芯片的產能。
　　公司推出的產品應用于AI服務器電源領域。據公司2025年年報，公司應用于服務器的DrMOS電路、Efuse電路、多項控制器電路已在客