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 1，第二代半導(dǎo)體在光電等領(lǐng)域的應(yīng)用日漸成熟，國內(nèi)上中下游產(chǎn)業(yè)布局趨于完善，下游市場規(guī)模將快速增長。第二代半導(dǎo)體砷化鎵和磷化銦具有電子遷移率高、光電性能好等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于5G通信、數(shù)據(jù)中心、新一代顯示、無人駕駛、可穿戴設(shè)備、航天等領(lǐng)域。第二代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈包括上游襯底制造、外延加工，中游IC設(shè)計(jì)、制造、封測，以及下游應(yīng)用等環(huán)節(jié)，各環(huán)節(jié)均有國產(chǎn)廠商涉及，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)布局趨于完善。根據(jù)ResearchInChina，2018-2025年全球砷化鎵元器件市場總產(chǎn)值將由95.19億美元增長至近160億美元，CAGR近7.7%；根據(jù)kbvresearch，2017-2027年全球磷化銦元器件市場規(guī)模將由37億美元增長至76億美元，2021-2027年CAGR為9.7%。
　　 2，砷化鎵產(chǎn)業(yè)上游的襯底和外延環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘高，襯底和外包外延市場較為集中。襯底是外延層半導(dǎo)體材料生長的基礎(chǔ)，在芯片中起到承載和固定的關(guān)鍵作用；外延層是在襯底上生長一層單晶層，可提高器件設(shè)計(jì)的靈活性和器件的性能。因其位錯(cuò)密度、電阻率均勻性、平整度、表面顆粒度等核心性能指標(biāo)將影響器件的良率和成本，襯底和外延環(huán)節(jié)存在較高技術(shù)壁壘。1）襯底方面，根據(jù)北京通美招股書援引Yole數(shù)據(jù)，2019年全球砷化鎵襯底市場規(guī)模約為2億美元，預(yù)計(jì)到2025年將達(dá)3.48億美元，2019-2025年CAGR為9.67%，主要生產(chǎn)商包括Freiberger、Sumitomo和北京通美，2019年市占率分別為28%、21%和13%。2）外延方面，根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2018年全球GaAs外延片市場規(guī)模為11億美元，其中射頻、傳感應(yīng)用多采用外包外延模式，通信、LED市場多采用垂直整合生產(chǎn)模式，外延廠商和IDM廠商均多數(shù)采用MOCVD法。
　　 3，砷化鎵芯片制造領(lǐng)域IDM與代工模式并行，下游光電子、射頻和LED應(yīng)用驅(qū)動(dòng)市場規(guī)模擴(kuò)大。在砷化鎵外延片的基礎(chǔ)上進(jìn)行加工、封裝、測試后制成砷化鎵芯片，可用于終端應(yīng)用領(lǐng)域的器件制造。砷化鎵終端應(yīng)用可分為光電子、射頻、LED和光伏四大領(lǐng)域，根據(jù)Yole，2025年全球GaAs晶圓市場光電子、射頻、LED和光伏應(yīng)用領(lǐng)域份額分別為18%、28%、53%和1%，制造環(huán)節(jié)IDM和代工兩種商業(yè)模式并存。具體來看，砷化鎵光電子市場規(guī)模的增長主要由VCSEL的需求拉動(dòng)；砷化鎵射頻器件應(yīng)用主要依靠基站PA和手機(jī)PA帶動(dòng)；Mini LED和MicroLED大幅拓寬LED顯示技術(shù)的應(yīng)用場景，為砷化鎵帶來新的需求增長空間。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：技術(shù)迭代風(fēng)險(xiǎn)，市場競爭超預(yù)期，宏觀經(jīng)濟(jì)波動(dòng)。