>> 申萬宏源-電子行業(yè)點評：支持DDR5 CPU發(fā)布在即，重點關(guān)注瀾起科技與聚辰股份-221102
| 上傳日期： |
2022/11/4 |
大?。?/td>
| 566KB |
| 格式： |
pdf 共3頁 |
來源： |
申萬宏源 |
| 評級： |
看好 |
作者： |
楊海燕,寧柯瑜 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
此報告為加密報告，僅限高級會員查看 |
|
|
本期投資提示：
DDR技術(shù)標準持續(xù)迭代，每世代產(chǎn)品生命周期約為5年，目前處于滲透率提升的前夕。在DDR產(chǎn)品生命周期方面，每代標準替換周期約為4~6年，需要提前2~3年進行研發(fā)，并且每代標準下分為多個子代，平均12~18個月子代進行一次升級。支持DDR5的CPU發(fā)布是滲透率提升的關(guān)鍵。AMD將于11月發(fā)布Genoa第四代EPYC服務(wù)器CPU；Intel官網(wǎng)指引新一代Sapphire Rapids已達到發(fā)布資格，有望提前發(fā)布。
DDR4及DDR5內(nèi)存接口芯片按功能可分為兩類。一是寄存緩沖器（RCD），用來緩沖來自內(nèi)存控制器的地址、命令、控制信號；二是數(shù)據(jù)緩沖器（DB），用來緩沖來自內(nèi)存控制器或內(nèi)存顆粒的數(shù)據(jù)信號。RCD與DB組成套片，可實現(xiàn)對地址、命令、控制信號和數(shù)據(jù)信號的全緩沖。內(nèi)存模組配套芯片是內(nèi)存模組上負責串行檢測（SPD）、電源管理（PMIC）、溫度傳感（TS）的配套芯片，服務(wù)器端與PC端均有應(yīng)用。根據(jù)2020年7月JEDEC發(fā)布的DDR5標準，DDR5內(nèi)存模組上除了內(nèi)存顆粒及可能需要的內(nèi)存接口芯片外，還需要三種配套芯片，分別是SPD、PMIC和TS。并與DDR4相比，DDR5將原本位于主板上的PMIC芯片移動至內(nèi)存模組上。
內(nèi)存接口芯片需求=服務(wù)器出貨量×每臺服務(wù)器CPU用量×每塊CPU所需內(nèi)存條數(shù)量×（每條內(nèi)存條所需DB和RCD數(shù)量+每條內(nèi)存條內(nèi)存配套芯片數(shù)量）*價格。1）根據(jù)IDC數(shù)據(jù)，未來5年服務(wù)器出貨量復合增速6%。2）超過85%的服務(wù)器為2路服務(wù)器，預(yù)計未來小幅提升的趨勢。3）服務(wù)器中內(nèi)存比特數(shù)的需求是不斷提升，在內(nèi)存密度無法持續(xù)提升的前提下，內(nèi)存條數(shù)量不斷的增長，未來5年內(nèi)存條數(shù)量復合增速為5%。4）DDR5升級帶來DB芯片及內(nèi)存模組配套芯片（SPD+PMIC+TS）的增量需求。LRDIMM配置由1顆RCD+9顆DB提升為1顆RCD和10顆DB。RDIMM和LRDIMM的配套芯片采用1顆SPD+2顆TS+1顆PMIC的標準，這對于瀾起是增量產(chǎn)品（DDR4世代公司沒有產(chǎn)品參與）。PC/NB也需要1顆SPD+1顆PMIC，在DDR5的中后期會配套RCD，這是除服務(wù)器外的增量。5）根據(jù)我們的模型預(yù)測，滲透率早期DDR5的RCD價格有望達到2倍的增長，即使后續(xù)逐步降價，也將高于DDR4的價格。
競爭格局：內(nèi)存接口芯片三分天下，配套芯片競爭格局存在差異。目前全球僅三家廠商從事內(nèi)存接口芯片業(yè)務(wù)，分別為瀾起、Rambus以及IDT（IDT于2019年被日本瑞薩電子收購后戰(zhàn)略重心調(diào)整）。2016年IDT、瀾起科技、Rambus的市占率分別為67%、29%和4%，2021年瀾起的市占率接近0%，Rambus市占率提升至約20%。SPD和TS芯片主要由瀾起科技和IDT供應(yīng)，PMIC競爭激烈，參與方為為瀾起科技、瑞薩電子、三星電子、德州儀器、芯源。
核心標的：瀾起科技、聚辰股份。
風險：下游服務(wù)器需求不及預(yù)期風險；DDR5滲透率增長不及預(yù)期風險；相關(guān)公司新產(chǎn)品研發(fā)失敗風險。
|
|
