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中泰證券-電子行業(yè)Chiplet:提質(zhì)增效,助力國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體彎道超車(chē)-230324
上傳日期:
2023/3/24
大小:
1576KB
格式:
pdf 共26頁(yè)
來(lái)源:
中泰證券
評(píng)級(jí):
--
作者:
王芳
,
楊旭
,
游凡
行業(yè)名稱(chēng):
電子
下載權(quán)限:
此報(bào)告為加密報(bào)告
Chiplet定義:將單顆SoC“化整為零”為多顆小芯片(Chip),將多顆Chips進(jìn)行封裝的技術(shù)??煞譃椋?br> 1)MCM:Multi-Chip Module,多芯片組件。MCM將多顆裸芯片連接于同一塊基板(陶瓷、硅、金屬基板),并封裝到同一外殼。往下可細(xì)分為金字塔堆疊MCM和TSV(硅通孔)堆疊MCM。
2)InFO:Integrated Fan-Out,集成扇出封裝。InFO指集成多顆進(jìn)行扇出型封裝,所謂扇出( Fan-Out ),指Die表面的觸點(diǎn)擴(kuò)展到Die的覆蓋面積之外,增加了凸點(diǎn)布置的靈活性并增多了引腳數(shù)量。InFO與MCM的區(qū)別在于InFO強(qiáng)調(diào)扇出封裝。
3)2.5DCoWoS:Chip on Wafer on Substrate,即從上往下為小芯片-interposer(轉(zhuǎn)接板,硅wafer或其他材料)-IC載板。其與InFO區(qū)別在于,2.5DCoWoS多了一層interposer,InFO通常無(wú)interposer。
需注意,以上三種封裝并無(wú)嚴(yán)格界限,其區(qū)別在于每一種形式側(cè)重的封裝要素不同。
Chiplet優(yōu)勢(shì):
性能提升:3D堆疊。通過(guò)堆疊,可以實(shí)現(xiàn)單位面積上晶體管數(shù)量增加,從而提高算力。
存儲(chǔ)限制:類(lèi)似“外掛”,提升存儲(chǔ)容量;
異構(gòu)互聯(lián):芯片復(fù)雜度、集成度可以進(jìn)一步提升。傳統(tǒng)形式下單顆芯片面積很難超過(guò)800平方毫米。
研發(fā)周期:Chiplet可以使得核心芯片(chip)共用,縮短設(shè)計(jì)周期;
成本優(yōu)化:不同功能芯片實(shí)現(xiàn)成本最優(yōu)制程匹配。
風(fēng)險(xiǎn)提示
Chiplet滲透不及預(yù)期;
美國(guó)制裁加??;
國(guó)內(nèi)Chiplet相關(guān)技術(shù)突破不及預(yù)期;
研究報(bào)告中使用的公開(kāi)資料可能存在信息滯后或更新不及時(shí)的風(fēng)險(xiǎn)
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