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核心觀點(diǎn)
　　本周核心觀點(diǎn)與重點(diǎn)要聞回顧
　　HBM：SK海力士成立AIInfra以加強(qiáng)HBM開發(fā)，HBM產(chǎn)業(yè)鏈有望持續(xù)受益。SK海力士成立AIInfra組織，以加強(qiáng)其在高帶寬內(nèi)存（HBM）業(yè)務(wù)這一高價值產(chǎn)品領(lǐng)域的競爭力。我們認(rèn)為，SK海力士本次人事調(diào)整意味著存儲大廠對于HBM的重視性逐步加深，HBM產(chǎn)業(yè)鏈有望持續(xù)受益。
　　AI可穿戴：2024全球個人智能音頻設(shè)備總出貨量或?qū)⑼仍鲩L3.3%，AI可穿戴設(shè)備市場有望持續(xù)發(fā)展。根據(jù)Canalys報(bào)告，2023第四季度全球個人智能音頻設(shè)備出貨量將恢復(fù)增長，2024年總出貨量或?qū)⒃鲩L3.3%。我們認(rèn)為，AI可穿戴市場將持續(xù)發(fā)展，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望持續(xù)受益。
　　存儲芯片：CFM預(yù)計(jì)2024年存儲價格有望進(jìn)一步上漲，存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈有望持續(xù)受益。根據(jù)CFM報(bào)告，中長期來看，2024年存儲價格有進(jìn)一步上漲的預(yù)期。在市場需求復(fù)蘇緩慢的市況下，存儲原廠通過計(jì)劃性的供應(yīng)，推動存儲價格逐步回升。我們認(rèn)為，存儲芯片價格有望繼續(xù)回升，存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈有望持續(xù)受益。
　　先進(jìn)封裝：英特爾在3D堆疊CMOS晶體管方面取得突破，先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)鏈有望持續(xù)受益。根據(jù)IT之家，英特爾展示3D堆疊CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管方面取得的突破。我們認(rèn)為，隨著汽車電子、AI等產(chǎn)業(yè)發(fā)展，先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)鏈有望持續(xù)受益。
　　市場行情回顧
　　本周（12.11-12.15），A股申萬電子指數(shù)下跌1.01%，整體跑贏滬深300指數(shù)0.7pct，跑贏創(chuàng)業(yè)板綜指數(shù)0.55pct。申萬電子二級六大子板塊漲跌幅由高到低分別為：消費(fèi)電子(-0.11%)、電子化學(xué)品II(-0.63%)、半導(dǎo)體(-0.78%)、其他電子II(-1.02%)、元件(-1.48%)、光學(xué)光電子(-2.4%)。從海外市場指數(shù)表現(xiàn)來看，整體繼續(xù)維持強(qiáng)勢，海內(nèi)外指數(shù)漲跌幅由高到低分別為：費(fèi)城半導(dǎo)體(9.08%)、納斯達(dá)克(2.85%)、臺灣電子(2.11%)、恒生科技(2.02%)、道瓊斯美國科技(1.45%)、申萬電子(-1.01%)。
　　投資建議
　　本周我們繼續(xù)看好受益先進(jìn)算力芯片發(fā)布的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、受益AI賦能的智能可穿戴產(chǎn)業(yè)鏈、以存儲、封裝為代表的半導(dǎo)體周期復(fù)蘇主線。
　　HBM：受益于英偉達(dá)與AMD的先進(jìn)算力芯片發(fā)布，HBM產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來加速成長，建議關(guān)注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠科等；
　　AI可穿戴：受益于AI+可穿戴帶來的創(chuàng)新體驗(yàn)和銷量提升，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望加速受益，建議關(guān)注漫步者、博碩科技、科大訊飛、國光電器、領(lǐng)益智造等；
　　存儲芯片：存儲板塊目前存在三因素共振：供應(yīng)端推動NAND產(chǎn)品漲價；庫存逐漸回到正常水位；AI帶動HBM與DDR5需求上升。建議關(guān)注東芯股份、江波龍、深科技、德明利、兆易創(chuàng)新等；
　　先進(jìn)封裝：半導(dǎo)體大廠持續(xù)布局先進(jìn)封裝，產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)公司有望受益并迎來加速成長，建議關(guān)注甬矽電子、晶方科技、藍(lán)箭電子、通富微電、長電科技等。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預(yù)期、國產(chǎn)替代不及預(yù)期等。