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DRAM：各料號(hào)價(jià)格企穩(wěn)，看好DDR5滲透機(jī)遇。根據(jù)DRAMexchange，上周（1212-1218）DRAM 18個(gè)品類現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比漲跌幅為-0.1%~+1.7%，平均漲跌幅為-0.1%，前值為+0.5%。上周18個(gè)料號(hào)有5個(gè)上漲，2個(gè)料號(hào)下跌，11個(gè)料號(hào)持平。從結(jié)構(gòu)上看，本周DDR4漲幅仍較為領(lǐng)先，而DDR5料號(hào)價(jià)格環(huán)比企穩(wěn)。隨著生產(chǎn)成本降低，以及三大原廠資源配置，南亞預(yù)計(jì)DDR5明年中將可超越DDR4成為DRAM主流。而瀾起科技亦預(yù)計(jì)DDR5第二子代RCD芯片的出貨量將在明年持續(xù)提升。我們認(rèn)為，由于在下行周期DDR4與DDR5的價(jià)差進(jìn)一步縮小，疊加24年手機(jī)、PC、服務(wù)器領(lǐng)域的需求復(fù)蘇預(yù)期，DDR5的滲透率與價(jià)格有望實(shí)現(xiàn)雙增，看好DDR5滲透機(jī)遇。
　　NAND：顆粒價(jià)格略有下跌，NANDWafer高位企穩(wěn)。上周（1211-1218）NAND顆?，F(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-3.3%~+2.4%，31個(gè)品類平均漲跌幅為0.3%，前值為-0.5%。其中10個(gè)型號(hào)價(jià)格持平，5個(gè)型號(hào)價(jià)格上漲，16個(gè)型號(hào)價(jià)格下跌。而NANDWafer價(jià)格周漲幅為+0.3%，漲勢(shì)較此前略有減弱。目前NANDWafer價(jià)格高昂，推漲部分嵌入式及行業(yè)產(chǎn)品價(jià)格。
　　模組：西部數(shù)據(jù)預(yù)期漲價(jià)55%，模組端有望在24年開(kāi)啟上漲周期。近期存儲(chǔ)成品端漲幅有所放緩，部分原廠也放緩了NANDWafer漲價(jià)節(jié)奏。目前市場(chǎng)仍處庫(kù)存消耗階段，后續(xù)仍需觀望實(shí)際需求的改善。但從長(zhǎng)期看，西部數(shù)據(jù)近日對(duì)客戶發(fā)出漲價(jià)通知函，強(qiáng)調(diào)未來(lái)幾個(gè)季度NANDFlash產(chǎn)品的價(jià)格將采取周期性調(diào)漲方式，預(yù)期累計(jì)將上漲55%。此外，西部數(shù)據(jù)還指出，公司硬盤(pán)（HDD）產(chǎn)品會(huì)也每周審查定價(jià)，預(yù)計(jì)明年上半年價(jià)格會(huì)上漲。我們認(rèn)為，模組端漲價(jià)趨勢(shì)具較強(qiáng)確定性，有望在24年開(kāi)啟上漲周期。
　　相關(guān)標(biāo)的：
　　存儲(chǔ)模組：江波龍（進(jìn)軍企業(yè)級(jí)&信創(chuàng)市場(chǎng)）、佰維存儲(chǔ)（研發(fā)封測(cè)一體化）、朗科科技（韶關(guān)數(shù)據(jù)中心逐步落地）、德明利（NAND主控+模組）等
　　存儲(chǔ)芯片：建議關(guān)注兆易創(chuàng)新（NOR+DRAM龍頭）、東芯股份、普冉股份等DDR5配套：瀾起科技、聚辰股份等
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：下游需求不及預(yù)期、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇、全球貿(mào)易摩擦風(fēng)險(xiǎn)。