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23年?duì)I收/凈利高增，維持“增持”評(píng)級(jí)
　　2023年公司實(shí)現(xiàn)營收62.64億元（yoy+32.15%），歸母凈利17.86億元（yoy+52.67%）；扣非歸母凈利潤預(yù)計(jì)11.91億元（yoy+29.58%）。23年非經(jīng)常性損益約5.94億元，較上年同期的2.50億元增加約3.44億元，主要系公司于2023年出售了部分持有的拓荊科技股票，產(chǎn)生稅后凈收益約4.06億元。我們預(yù)計(jì)公司2024-2026年歸母凈利潤分別為22.9/27.0/32.9億元。可比公司24年Wind一致預(yù)期PE均值為40倍，考慮公司刻蝕設(shè)備訂單飽滿，LPCVD、ALD等新產(chǎn)品進(jìn)展較快及國產(chǎn)替代空間廣闊，給予公司24年45倍PE，目標(biāo)價(jià)166.50元，維持“增持”評(píng)級(jí)。
　　23年刻蝕設(shè)備收入/新增訂單均高增，薄膜沉積設(shè)備初步邁入市場
　　23年公司預(yù)計(jì)新增訂單約83.6億元，較22年新增訂單63.2億元增加約20.4億元，同比+32.3%。1）刻蝕設(shè)備：23年收入47.0億元，同比+49.4%，23年新增訂單約69.5億元，同比增長約60.1%；2）MOCVD設(shè)備：23年收入約4.6億元，同比-34.0%，23年新增訂單約2.6億元，受LED終端市場波動(dòng)影響，同比-72.2%。2023年公司CCP和ICP刻蝕設(shè)備在國內(nèi)主要客戶芯片生產(chǎn)線上的占有率均大幅提升；公司TSV硅通孔刻蝕設(shè)備逐漸應(yīng)用在先進(jìn)封裝和MEMS器件生產(chǎn)；且公司深度布局薄膜沉積業(yè)務(wù)，已實(shí)現(xiàn)多種LPCVD設(shè)備的研發(fā)交付及ALD設(shè)備的突破。
　　24年公司多產(chǎn)品開始投入市場驗(yàn)證,持續(xù)受益于半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化加速
　　公司計(jì)劃在24年推出超過10款新型薄膜沉積設(shè)備，在薄膜沉積領(lǐng)域擴(kuò)大產(chǎn)品覆蓋度；公司新開發(fā)的硅和鍺硅外延EPI設(shè)備、晶圓邊緣Bevel刻蝕設(shè)備等多個(gè)新產(chǎn)品也計(jì)劃在24年投入市場驗(yàn)證；碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、Micro-LED等器件所需MOCVD設(shè)備取得良好進(jìn)展，24年將逐步進(jìn)入市場。同時(shí)，公司在南昌約14萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地正式投入使用、上海臨港約18萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地部分生產(chǎn)廠房開始投入使用，助力公司銷售快速增長。隨著海外對(duì)中國先進(jìn)半導(dǎo)體制程的出口限制加劇，中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模在全球占比有望逐年提升，具有技術(shù)優(yōu)勢的龍頭設(shè)備公司有望持續(xù)受益。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：半導(dǎo)體周期性波動(dòng)，新產(chǎn)品研發(fā)不及預(yù)期，國外技術(shù)管制風(fēng)險(xiǎn)。