>> 信達證券-半導體行業(yè)美光科技FY24Q2業(yè)績點評：第二財季營收超預期，HBM3E開始量產-240321
| 上傳日期： |
2024/3/21 |
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| 格式： |
pdf 共6頁 |
來源： |
信達證券 |
| 評級： |
看好 |
作者： |
莫文宇 |
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事件：當地時間3月20日，美光發(fā)布FY24Q2財報，實現(xiàn)營業(yè)收入58.2億美元（彭博一致預期53.5億美元），環(huán)比+23.2%，同比+57.7%；毛利率（Non-GAAP）為20.0%（彭博一致預期13.6%），環(huán)比+19.2pct，同比+51.4pct；凈利潤（Non-GAAP）為4.8億美元，環(huán)比同比大幅扭虧；攤薄EPS（Non-GAAP）0.42美元（彭博一致預期-0.24美元），環(huán)比增加1.37美元，同比增加2.33美元。
FY24Q3業(yè)績指引：公司預計實現(xiàn)營收64~68億美元，中值66億美元；公司預計毛利率25%~28%，中值26.5%；公司預計攤薄EPS（Non-GAAP）0.38~0.52美元，中值0.45美元。
分產品看：DRAM營收42億美元，占比71%，環(huán)比+21%，bit出貨量環(huán)比增加低個位數百分比，ASP環(huán)比增長16%~19%；NAND營收16億美元，占比27%，環(huán)比+27%，bit出貨量環(huán)比增加低個位數百分比，ASP環(huán)比增長超30%。
行業(yè)展望：預計2024年DRAM/NAND行業(yè)供不應求。公司預計2024年DRAM需求增長接近長期CAGR，NAND增長約15%。公司預計FY24供給小于需求，庫存減少，DRAM和NAND產能將比FY22峰值低兩位數百分比。HBM3E的晶圓消耗約為DDR5的3倍，且公司預計HBM4的份額將高于HBM3E。
資本開支：公司預計24財年CAPEX在75~80億美金，維持此前指引不變，略高于23財年。公司預計24財年WFE支出同比下降，在中國、印度和日本的項目繼續(xù)推進。
HBM3E開始貢獻收入，2024年HBM產能已售罄。從終端市場來看：（1）數據中心：HBM3E已量產，并在FQ2確認第一筆收入，將搭載到H200上，公司預計FY24有望收入數億美金，從FQ3開始HBM將推動DRAM的收入和毛利率增長。公司2024年產能已經售罄，2025年大部分產能分配完，公司預計2025年HBM份額與DRAM份額一致。公司本月初送樣12Hi HBM3E產品，容量36GB，預計2025年提高產量。128GBModules完成驗證，256GBMRDIMM開始送樣，數據中心SSD收入占比創(chuàng)紀錄。（2）PC：公司預計2024年出貨量增速為中低個位數，下一代AIPC不斷增長并在25年滲透率顯著提升。（3）手機：公司預計2024年出貨量增速為中低個位數，AI手機中DRAM容量提升50%~100%，第二代1β LP5x正送樣。（4）汽車：保持強勁增長，L2+ ADAS提升單車存儲容量。（5）工業(yè)：經銷商庫存、訂單和需求能見度有所改善。
建議關注：（1）模組：江波龍/德明利/佰維存儲/朗科科技等；（2）HBM：香農芯創(chuàng)/通富微電/賽騰股份/雅克科技等；（3）DDR5：瀾起科技/聚辰股份；（4）設計：兆易創(chuàng)新/東芯股份/普冉股份/北京君正等。
風險因素：下游需求恢復不及預期；國內廠商技術突破不及預期；AIPC、AI手機推出進展不及預期
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