>> 德邦證券-半導體行業(yè)點評：SK海力士HBM3E良率已接近80%，HBM供不應求-240523
| 上傳日期： |
2024/5/24 |
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| 格式： |
pdf 共3頁 |
來源： |
德邦證券 |
| 評級： |
優(yōu)于大市 |
作者： |
陳蓉芳,陳瑜熙 |
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事件：5月21日，SK海力士高層Kwon Jae-soon表示，SK海力士的HBM3E良率接近80%。
SK海力士HBM3E良率接近80%，HBM供不應求。SK海力士高層Kwon Jaesoon表示，SK海力士的HBM3E良率接近80%。他強調(diào)SK海力士今年重點是生產(chǎn)8層堆疊HBM3E。SK海力士CEO郭魯正5月2日宣布，公司HBM今年已經(jīng)全部售罄，明年也基本售罄，并且預計在今年5月提供世界最高性能的12層堆疊HBM3E產(chǎn)品的樣品，并準備在第三季度開始量產(chǎn)。同時，美光CEOSanjayMehrotra也表示HBM產(chǎn)能今年已經(jīng)全部售罄，并且預計其HBM產(chǎn)品在第三財季可為美光DRAM業(yè)務以及整體毛利率帶來正面貢獻。
HBM具有高帶寬+高容量+低延時+低功耗的特點，先進封裝將核心受益。HBM是將多個DDR芯片堆疊在一起后，再和GPU封裝合成，通過增加帶寬，擴展內(nèi)存容量，組成DDR組合陣列，以此實現(xiàn)讓更大的模型、更多的參數(shù)留在離核心計算更近的地方，從而減少內(nèi)存和存儲解決方案所帶來的延遲。與傳統(tǒng)DRAM芯片相比，HBM具有高帶寬、高容量、低延時與低功耗等優(yōu)勢，可以加快AI數(shù)據(jù)處理速度。同時，HBM多層堆疊技術有望促進相關設備和材料的需求。據(jù)量子位微信公眾號，英偉達H200首搭141GB的HBM3E內(nèi)存和4.8TB/s的帶寬，相比H100，其內(nèi)存容量和帶寬有了明顯的增加（H100內(nèi)存容量為80GB和3.35TB/s帶寬）。
需求側(cè)：HBM供不應求，TrendForce預計24年市場規(guī)模翻倍、達近百億美元。
SK海力士：24Q1業(yè)績大超預期，實現(xiàn)凈利潤1.92萬億韓元，遠超市場預期9166.9億韓元。早在今年2月，SK海力士管理層就表示，今年HBM生產(chǎn)配額已經(jīng)全部售罄。
美光：24財年第二財季實現(xiàn)營收58.2億美元，高于公司此前指引區(qū)間51-55億美元，實現(xiàn)非GAAP口徑下調(diào)整后營業(yè)利潤2.04億美元。第二財季是公司向英偉達H200供應的HBM3E首個創(chuàng)收季度。該產(chǎn)品今年已賣斷貨，排到明年的訂單已占用大部分明年可供貨源。
三星：與AMD簽署4萬億韓元的HBM3E供貨協(xié)議。今年2月，正在加緊擴展HBM產(chǎn)能的三星也發(fā)布了業(yè)界容量最大的36GBHBM3E 12H芯片。英偉達表示正在對三星的芯片進行資格認證，以用于AI服務器產(chǎn)品。
供給側(cè)：頭部存儲廠商正進行軍備競賽，加大擴產(chǎn)。
SK海力士：公司預計2030年HBM出貨量達每年一億顆，預計今年的總資本支出將超過2024年最初計劃。近期海力士表示計劃斥資146億美元在韓國構(gòu)建新的存儲芯片產(chǎn)能，擴大包括HBM在內(nèi)的下一代DRAM的產(chǎn)能，以應對快速增長的AI需求。同時4月初宣布將斥資38.7億美元在印第安納州西拉斐特市建立一座先進封裝廠和人工智能產(chǎn)品研發(fā)中心。
三星：目前正供應12層堆疊HBM3E內(nèi)存——36GBHBM3E 12HDRAM樣品，計劃今年二季度量產(chǎn)。三星8層堆疊的HBM38H已開始初步量產(chǎn)。此外，公司耗資105億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設備，以擴大HBM產(chǎn)能。公司預計2024年HBM產(chǎn)能將增至去年的2.9倍。
投資建議：建議關注HBM產(chǎn)業(yè)鏈：賽騰股份、通富微電、聯(lián)瑞新材、華海誠科、香農(nóng)芯創(chuàng)、精智達等。
風險提示：技術升級迭代和研發(fā)失敗風險；市場需求不及預期風險；行業(yè)周期影響和業(yè)績波動風險；全球貿(mào)易摩擦風險。
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