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電子板塊觀點(diǎn)：我國全面掌握功率芯片高能氫離子注入技術(shù)，又一“卡脖子”環(huán)節(jié)得到解決，打破半導(dǎo)體離子注入設(shè)備和工藝的國外壟斷；目前存儲(chǔ)模組庫存水位較高，疊加消費(fèi)電子需求復(fù)蘇不及預(yù)期，價(jià)格或?qū)⒂兴袎?，進(jìn)一步影響模組廠毛利率水平；當(dāng)前電子行業(yè)供需處底部平衡回暖階段，行業(yè)估值處于歷史低位，建議關(guān)注AIOT、AI驅(qū)動(dòng)、設(shè)備材料、消費(fèi)電子周期筑底板塊四大投資主線。
　　我國全面掌握功率芯片高能氫離子注入技術(shù)，又一“卡脖子”環(huán)節(jié)得到解決，打破國外壟斷。近日，國家原子能機(jī)構(gòu)核技術(shù)（功率芯片質(zhì)子輻照）研發(fā)中心暨國家電力投資集團(tuán)公司下屬核力創(chuàng)芯（無錫）科技有限公司完成了首批高能氫離子注入芯片產(chǎn)品交付，產(chǎn)品性能指標(biāo)比肩國際先進(jìn)水平，表明我國全面掌握功率芯片高能氫離子注入技術(shù)，解決了我國功率芯片產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵“卡脖子”的一環(huán)。目前國內(nèi)首條功率芯片高能氫離子注入生產(chǎn)線已建成投運(yùn)，實(shí)現(xiàn)100%技術(shù)自主和裝備零部件國產(chǎn)化，并完成首批800片芯片交付，且首批交付的芯片經(jīng)歷了累計(jì)近1萬小時(shí)的工藝和可靠性測試驗(yàn)證。功率芯片廣泛應(yīng)用于軍工、新能源、航空航天、軌道交通、特高壓輸變電等領(lǐng)域，是電力電子設(shè)備的核心，而離子注入作為和光刻、刻蝕共稱芯片制造三大關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一的技術(shù)，對(duì)于提高電力電子設(shè)備性能、效率和可靠性至關(guān)重要，氫離子注入更是實(shí)現(xiàn)離子注入的高精尖技術(shù)。先前，我國氫離子注入核心技術(shù)及裝備缺失，國產(chǎn)功率芯片可靠性難以突破，制約我國功率芯片產(chǎn)業(yè)高端化發(fā)展。國家原子能機(jī)構(gòu)充分發(fā)揮核技術(shù)優(yōu)勢，瞄準(zhǔn)功率芯片氫離子注入關(guān)鍵技術(shù)，依托加速器、材料輻照等核領(lǐng)域技術(shù)優(yōu)勢，為半導(dǎo)體離子注入設(shè)備和工藝的全面國產(chǎn)替代奠定了基礎(chǔ)。
　　目前存儲(chǔ)模組庫存水位較高，疊加消費(fèi)電子需求復(fù)蘇不及預(yù)期，價(jià)格或?qū)⒂兴袎骸４鎯?chǔ)器模組廠從2023年第三季度后開始積極增加DRAM庫存，到2024年第二季度庫存水位已上升至11-17周。然而終端消費(fèi)電子需求未如預(yù)期回溫，如智能手機(jī)領(lǐng)域已出現(xiàn)整機(jī)庫存過高的情況，筆電市場也因?yàn)橄M(fèi)者期待AIPC新產(chǎn)品而延遲購買，因此以消費(fèi)產(chǎn)品為主的存儲(chǔ)器現(xiàn)貨價(jià)格開始走弱，第二季度價(jià)格環(huán)比下跌超過30%。根據(jù)TrendForce，2024年第二季度模組廠在消費(fèi)類NANDFlash零售渠道的出貨量大幅年減40%，反映出全球消費(fèi)性存儲(chǔ)器市場正面臨挑戰(zhàn)。今年上半年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)出貨下滑超出市場預(yù)期，這預(yù)示著下半年的需求不會(huì)大幅回溫，終端產(chǎn)品價(jià)格難以提高，導(dǎo)致模組廠利潤進(jìn)一步被壓縮，影響其毛利率水平。展望第四季度，目前還未明確觀察到AI手機(jī)或AIPC新應(yīng)用能夠有效帶起全面換機(jī)潮，因此DRAM價(jià)格或?qū)⒗^續(xù)承壓。2025年，如果消費(fèi)性需求持續(xù)疲軟，存儲(chǔ)價(jià)格上漲的幅度也將低于預(yù)期。
　　電子行業(yè)本周跑輸大盤。本周滬深300指數(shù)上漲1.32%，申萬電子指數(shù)下降0.17%，行業(yè)整體跑輸滬深300指數(shù)1.49個(gè)百分點(diǎn)，漲跌幅在申萬一級(jí)行業(yè)中排第27位，PE(TTM)38.59倍。截止9月20日，申萬電子二級(jí)子板塊漲跌：半導(dǎo)體(-0.53%)、電子元器件(-2.41%)、光學(xué)光電子(+1.28%)、消費(fèi)電子(+0.37%)、電子化學(xué)品(+0.92%)、其他電子(+1.01%)。
　　投資建議：行業(yè)需求在緩慢回暖，價(jià)格逐步恢復(fù)到正常水平；海外壓力下國產(chǎn)化力度依然在不斷加大，行業(yè)估值歷史分位較低，逢低可緩慢布局。建議關(guān)注：（1）受益海外需求強(qiáng)勁AIOT領(lǐng)域的樂鑫科技、恒玄科技、瑞芯微、晶晨股份。（2）AI創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)板塊，算力芯片關(guān)注寒武紀(jì)、海光信息、龍芯中科，光器件關(guān)注源杰科技、長光華芯、中際旭創(chuàng)、新易盛、光迅科技、天孚通信。（3）上游供應(yīng)鏈國產(chǎn)替代預(yù)期的半導(dǎo)體設(shè)備、零組件、材料產(chǎn)業(yè)，關(guān)注中船特氣、華特氣體、安集科技、鼎龍股份、晶瑞電材、北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技、華海清科、富創(chuàng)精密、新萊應(yīng)材。（4）消費(fèi)電子周期有望筑底反彈的板塊。關(guān)注CIS的韋爾股份、思特威、格科微，射頻的卓勝微、唯捷創(chuàng)芯，存儲(chǔ)的兆易創(chuàng)新、東芯股份、江波龍、佰維存儲(chǔ)，模擬芯片的圣邦股份、艾為電子、思瑞浦，功率板塊的新潔能、揚(yáng)杰科技。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：（1）下游需求復(fù)蘇不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)；（2）地緣政治風(fēng)險(xiǎn)；（3）研發(fā)進(jìn)展不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)。