>> 華金證券-集成電路行業(yè)快報：CoWoS或迎量／價／需三振，L路線有望為主流-250101
| 上傳日期： |
2025/1/2 |
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| 370KB |
| 格式： |
pdf 共5頁 |
來源： |
華金證券 |
| 評級： |
領先大市 |
作者： |
孫遠峰,王海維 |
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投資要點
據(jù)中國臺灣媒體《自由財經(jīng)》報道，自2025年1月起，臺積電將對其3nm、5nm及CoWoS工藝的代工價格進行上調(diào)，預計漲幅將在5%到20%之間。
CoWoS或迎來量/價/需求齊升，CoWoS-S轉(zhuǎn)向CoWoS-L趨勢明顯。（1）量：根據(jù)DIGITIMESResearch數(shù)據(jù)，受云端AI加速器需求旺盛推動，2025年全球?qū)oWoS及類似封裝產(chǎn)能的需求或?qū)⒃鲩L113%。主要供應商臺積電、日月光科技控股（包括矽品精密工業(yè)、SPIL）和安靠正在擴大產(chǎn)能。根據(jù)DIGITIMESResearch報告，到2025年第四季度末，臺積電的月產(chǎn)能預計將增至6.5萬片以上12英寸晶圓當量，而安靠和日月光合用產(chǎn)能將增至1.7萬片晶圓；英偉達是臺積電CoWoS封裝工藝最大客戶，受惠于英偉達Blackwell系列GPU量產(chǎn)，臺積電將從2025年第四季開始由CoWoS-S轉(zhuǎn)為CoWoS-L制程，使CoWoS-L成為臺積電CoWoS技術(shù)的主要制程；英偉達對CoWoS-L工藝需求可能會從2024年的3.2萬片晶圓大幅增加至2025年的38萬片晶圓，同比增長1018%。根據(jù)DIGITIMESResearch預計，2025年第四季CoWoS-L將占臺積電CoWoS總產(chǎn)能的54.6%，CoWoS-S為38.5%，CoWoS-R則為6.9%。（2）價：根據(jù)半導體創(chuàng)芯網(wǎng)數(shù)據(jù)，臺積電3nm和5nm制程技術(shù)的價格將上升5%到10%，CoWoS工藝將漲價15%到20%（供不應求），這一調(diào)整既源于AI領域?qū)τ嬎隳芰Φ男枨蠹ぴ?，也顯示了制程技術(shù)成本的不斷上升。（3）需求：根據(jù)半導體縱橫數(shù)據(jù)，英偉達占CoWoS整體供應量比重超過50%，A100、H100及BlackwellUltra等產(chǎn)品均會采用CoWoS封裝，2025年英偉達將會推廣采用CoWoS-L技術(shù)的B300和GB300系列。AMD的MI300采用臺積電SoIC（3D）和CoWoS（2.5D）兩種封裝技術(shù)。此外，博通、微軟、亞馬遜、谷歌對于CoWoS也存有一定需求。
CoWoS-L確保良好的系統(tǒng)性能同時避免大型硅中介層良率損失。CoWoS-L中介層包括多個本地硅互連（LSI）芯片和全域再分布層（RDL），形成一個重組中介層（RI），以取代CoWoS-S中的單片硅中介層。LSIChiplet與CoWoS-S相比保留了亞微米級銅互連、硅通孔（TSV）和嵌入式深溝電容器（eDTC），以確保良好系統(tǒng)性能，同時避免大型硅中介層良率損失問題。此外，在RI中引入穿絕緣體通孔（TIV）作為垂直互連，以提供比TSV更低的插入損耗路徑。CoWoS-L目前已成功實現(xiàn)采用3倍掩模尺寸（約2500平方毫米）的插接器，搭載多個SoC/芯片模組和8個HBM方案。LSI制造有兩種路線，LSI-1和LSI-2，主要區(qū)別在于互連金屬方案：1）在制造LSI-1時，首先在300毫米硅芯片上制造TSV和一層單大馬士革銅金屬(M1)。然后，用未摻雜硅酸鹽玻璃（USG）作為介電層的雙大馬士革銅形成互連結(jié)構(gòu)。在LSI-1金屬方案中，雙大馬士革銅工藝提供的最小金屬寬度/空間為0.8/0.8μm，厚度為2μm。2）LSI-2具有相同的TSV結(jié)構(gòu)和M1金屬方案。制造出M1層后，通過半新增工藝（SAP），以聚酰亞胺（PI）為介質(zhì)層的銅RDL形成互連結(jié)構(gòu)。SAP銅RDL的最小寬度/空間為2/2μm，厚度為2.3μm。
投資建議：ChatGPT依賴大模型、大數(shù)據(jù)、大算力支撐，其出現(xiàn)標志著通用人工智能的起點及強人工智能的拐點，未來算力將引領下一場數(shù)字革命，xPU等高端芯片需求持續(xù)增長。先進封裝為延續(xù)摩爾定理提升芯片性能及集成度提供技術(shù)支持，隨著Chiplet封裝概念持續(xù)推進，先進封裝各產(chǎn)業(yè)鏈（封測/設備/材料/IP等）將持續(xù)受益。建議關注：封測：通富微電、長電科技、華天科技、甬矽電子、偉測科技；設備：北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、華峰測控、長川科技、中科飛測、華海清科、華封科技（未上市）；材料：華海誠科、鼎龍股份、深南電路、興森科技、艾森股份、上海新陽、聯(lián)瑞新材、飛凱材料；EDA：華大九天、廣立微、概倫電子；IP：芯原股份。
風險提示：下游需求復蘇低于預期；先進封裝技術(shù)研發(fā)不及預期；人工智能發(fā)展不及預期；系統(tǒng)性風險。
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