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東興證券-首席周觀點(diǎn):2025年第4周-250123
上傳日期:
2025/1/24
大小:
621KB
格式:
pdf 共10頁(yè)
來源:
東興證券
評(píng)級(jí):
--
作者:
--
下載權(quán)限:
無(wú)限制-登錄即可下載
電子行業(yè):先進(jìn)封裝行業(yè):CoWoS五問五答
Q1:CoWoS是什么?CoWoS嚴(yán)格來說屬于2.5D先進(jìn)封裝技術(shù),由CoW和oS組合而來:先將芯片通過Chip on Wafer(CoW)的封裝制程連接至硅晶圓,再把CoW芯片與基板(Substrate)連接,整合成CoWoS。核心是將不同的芯片堆疊在同一片硅中介層實(shí)現(xiàn)多顆芯片互聯(lián)。CoWoS自2011年經(jīng)臺(tái)積電開發(fā)后,經(jīng)歷5次技術(shù)迭代;臺(tái)積電將CoWoS封裝技術(shù)分為三種類型——CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L,不同類型在技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用有所區(qū)別。
Q2:CoWoS的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)?CoWoS的目前具有:高度集成、高速和高可靠性、高性價(jià)比等優(yōu)勢(shì)。但與此同時(shí)CoWoS面臨:制造復(fù)雜性、集成和良率挑戰(zhàn)、電氣挑戰(zhàn)、散熱的挑戰(zhàn)。
Q3:產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀?后摩爾時(shí)代,先進(jìn)制程工藝演進(jìn)逼近物理極限,先進(jìn)封裝(AP)成了延續(xù)芯片新能持續(xù)提升的道路之一。2025年中國(guó)先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模將超過1100億元,年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)26.5%。CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)主要應(yīng)用于AI算力芯片及HBM領(lǐng)域。英偉達(dá)是CoWoS主要需求大廠,在臺(tái)積電的CoWoS產(chǎn)能中,英偉達(dá)占整體供應(yīng)量比重超過50%。目前,HBM需要CoWoS等2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)來實(shí)現(xiàn),HBM的產(chǎn)能將受制于CoWoS產(chǎn)能,同時(shí)HBM需求激增進(jìn)一步加劇了CoWoS封裝的供不應(yīng)求情況。
Q4:中國(guó)大陸主要有哪些企業(yè)參與?目前國(guó)內(nèi)長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技等企業(yè)參與。長(zhǎng)電科技擁有高集成度的晶圓級(jí)WLP、2.5D/3D、系統(tǒng)級(jí)(SiP)封裝技術(shù)和高性能的Flip Chip和引線互聯(lián)封裝技術(shù);通富微電超大尺寸2D+封裝技術(shù)及3維堆疊封裝技術(shù)均獲得驗(yàn)證通過;華天科技已掌握了SiP、FC、TSV、Bumping、Fan-Out、WLP、3D等集成電路先進(jìn)封裝技術(shù),持續(xù)推進(jìn)FOPLP封裝工藝開發(fā)和2.5D工藝驗(yàn)證。
Q5: CoWoS技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)?CoWoS-L有望成為下一階段的主要封裝類型。CoWoS-L結(jié)合了CoWoS-S和InFO技術(shù)的優(yōu)點(diǎn),使用中介層與LSI芯片進(jìn)行芯片間互連,并使用RDL層進(jìn)行功率和信號(hào)傳輸,從而提供最靈活的集成。在電氣性能方面,CoWoS平臺(tái)引入第一代深溝槽電容器(eDTC)是用于提升電氣性能,通過連接所有LSI芯片的電容,CoWoS-L搭載多個(gè)LSI芯片,可以顯著增加RI上的總eDTC電容。
投資建議:隨著大算力時(shí)代的蓬勃興起,先進(jìn)封裝是提升芯片性能的關(guān)鍵技術(shù)路徑,AI加速發(fā)展驅(qū)動(dòng)先進(jìn)封裝CoWoS需求旺盛,先進(jìn)封裝各產(chǎn)業(yè)鏈將持續(xù)受益;受益標(biāo)的:長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技、艾森股份、天承科技、華大九天、廣立微、概倫電子。
風(fēng)險(xiǎn)提示:下游需求放緩、技術(shù)導(dǎo)入不及預(yù)期、客戶導(dǎo)入不及預(yù)期、貿(mào)易摩擦加劇
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