>> 上海證券-電子行業(yè)周報(bào)：美光EUV DRAM已開(kāi)啟導(dǎo)入，AI驅(qū)動(dòng)先進(jìn)制程產(chǎn)能快速擴(kuò)張-250701
| 上傳日期： |
2025/7/1 |
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| 375KB |
| 格式： |
pdf 共3頁(yè) |
來(lái)源： |
上海證券 |
| 評(píng)級(jí)： |
增持 |
作者： |
方晨,王紅兵 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
此報(bào)告為加密報(bào)告 |
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核心觀點(diǎn)
市場(chǎng)行情回顧
過(guò)去一周（06.23-06.27），SW電子指數(shù)上漲4.61%，板塊整體跑贏滬深300指數(shù)2.66個(gè)百分點(diǎn)，從六大子板塊來(lái)看，其他電子Ⅱ、元件、半導(dǎo)體、消費(fèi)電子、電子化學(xué)品Ⅱ、光學(xué)光電子漲跌幅分別為7.88%、6.66%、4.55%、3.99%、3.53%、3.49%。
核心觀點(diǎn)
受AI推動(dòng)，預(yù)計(jì)到2028年先進(jìn)芯片制造產(chǎn)能將增長(zhǎng)69%。美國(guó)加州時(shí)間2025年6月25日，SEMI發(fā)布最新的《300毫米晶圓廠展望報(bào)告（300mm Fab Outlook）》。報(bào)告指出，全球前端半導(dǎo)體供應(yīng)商正在加速擴(kuò)張，以支持生成式人工智能（AI）應(yīng)用的激增需求。根據(jù)報(bào)告，全球半導(dǎo)體制造行業(yè)預(yù)計(jì)將保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)勢(shì)頭，預(yù)計(jì)從2024年底到2028年，產(chǎn)能將以7%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的每月1110萬(wàn)片晶圓。推動(dòng)這一增長(zhǎng)的關(guān)鍵因素是先進(jìn)工藝產(chǎn)能（7納米及以下）的持續(xù)擴(kuò)張，預(yù)計(jì)將從2024年的每月85萬(wàn)片晶圓增長(zhǎng)到2028年的歷史新高140萬(wàn)片晶圓，增長(zhǎng)約69%，復(fù)合年增長(zhǎng)率約為14%，是行業(yè)平均水平的兩倍。SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“AI繼續(xù)成為全球半導(dǎo)體行業(yè)的變革力量，推動(dòng)先進(jìn)制造產(chǎn)能的顯著擴(kuò)張。AI應(yīng)用的迅速普及正在刺激整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的強(qiáng)勁投資，凸顯了其在推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新和滿足先進(jìn)芯片激增需求方面的關(guān)鍵作用。”
根據(jù)SMEI預(yù)計(jì)，先進(jìn)工藝產(chǎn)能將從2025年到2028年保持強(qiáng)勁的14%復(fù)合年增長(zhǎng)率，從2025年的每月98.2萬(wàn)片晶圓開(kāi)始，同比增長(zhǎng)15%。預(yù)計(jì)行業(yè)將在2026年達(dá)到一個(gè)重要的里程碑，產(chǎn)能首次突破100萬(wàn)片晶圓，達(dá)到每月116萬(wàn)片晶圓。2nm及以下工藝的產(chǎn)能部署在整個(gè)預(yù)測(cè)期內(nèi)顯示出更激進(jìn)的擴(kuò)張，產(chǎn)能從2025年的每月不到20萬(wàn)片晶圓，急劇增長(zhǎng)到2028年的每月超過(guò)50萬(wàn)片晶圓，反映了在先進(jìn)制造中AI應(yīng)用推動(dòng)的強(qiáng)勁市場(chǎng)需求。
美光1γ制程LPDDR5X良率提升速度超越上代，正式進(jìn)入EUVDRAM制程時(shí)代。6月27日，美光在最新的財(cái)報(bào)電話會(huì)議中宣布，已開(kāi)始向客戶提供采用導(dǎo)入極紫外光（EUV）光刻技術(shù)的新一代1γ（1-gamma）制程的首批LPDDR5X內(nèi)存樣品。這也顯示美光已正式進(jìn)入EUVDRAM制程時(shí)代。美光CEOSanjay Mehrotra指出，目前1γDRAM技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)展非常順利，良率爬升速度甚至超越1？（1-beta）節(jié)點(diǎn)紀(jì)錄。美光在本季完成多項(xiàng)關(guān)鍵產(chǎn)品里程碑，包括首批基于1γ制程的LPDDR5 DRAM認(rèn)證樣品出貨。據(jù)介紹，1γ制程是美光第六代10nm級(jí)制程節(jié)點(diǎn)，擁有業(yè)界最快的10.7 Gbps速率，與前一代1相比性能提升15%、功耗降低20%。此外，1γ的位密度增加30%，隨著良率提升有望進(jìn)而降低生產(chǎn)成本。展望未來(lái)，美光計(jì)劃全面導(dǎo)入第六代10nm級(jí)1γ制程，涵蓋DDR5、LPDDR5X、GDDR7及數(shù)據(jù)中心相關(guān)內(nèi)存產(chǎn)品線。Mehrotra強(qiáng)調(diào)，將在所有DRAM產(chǎn)品在線導(dǎo)入1γ制程，發(fā)揮此領(lǐng)先技術(shù)的最大效益。雖然美光尚未透露有多少層使用EUV技術(shù)，但推測(cè)可能主要用于原本需繁復(fù)多重曝光的關(guān)鍵層。美光已在日本啟用首臺(tái)EUV設(shè)備，并開(kāi)始量產(chǎn)1γ DRAM，未來(lái)也將在日本與中國(guó)臺(tái)灣擴(kuò)大EUVDRAM產(chǎn)能。
投資建議
維持電子行業(yè)“增持”評(píng)級(jí)，我們認(rèn)為電子半導(dǎo)體2025年或正在迎來(lái)全面復(fù)蘇，產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局有望加速出清修復(fù)，產(chǎn)業(yè)盈利周期和相關(guān)公司利潤(rùn)有望持續(xù)復(fù)蘇。我們當(dāng)前建議關(guān)注：半導(dǎo)體設(shè)計(jì)領(lǐng)域部分超跌且具備真實(shí)業(yè)績(jī)和較低PE/PEG的個(gè)股，AIOTSoC芯片建議關(guān)注中科藍(lán)訊和炬芯科技；模擬芯片建議關(guān)注美芯晟和南芯科技；建議關(guān)注驅(qū)動(dòng)芯片領(lǐng)域峰岹科技和新相微；半導(dǎo)體關(guān)鍵材料聚焦國(guó)產(chǎn)替代邏輯，建議關(guān)注電子材料平臺(tái)型龍頭企業(yè)彤程新材、鼎龍股份、安集科技等；碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈建議關(guān)注天岳先進(jìn)。
風(fēng)險(xiǎn)提示
中美貿(mào)易摩擦加劇、終端需求不及預(yù)期、國(guó)產(chǎn)替代不及預(yù)期。
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