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算力需求上行，CoWoP搭配HDI推動(dòng)PCB高端化、低成本化：隨著算力需求不斷攀升，PCB行業(yè)加速向高端化、低成本化發(fā)展。CoWoP（Chip on Wafer on PCB）工藝應(yīng)運(yùn)而生，通過(guò)省略傳統(tǒng)封裝基板，將芯片直接封裝至PCB板上，簡(jiǎn)化工藝流程，縮短傳輸距離并降低傳輸損耗，有望成為下一代主流封裝技術(shù)。HDI（High DensityInterconnect，高密度互連）技術(shù)憑借其高密度布線能力，成為CoWoP的關(guān)鍵支撐。HDI板線寬從CoWoS-P工藝的20-30μm降低至CoWoP工藝的10μm，需采用mSAP（15μm）或SAP（10μm以下）工藝實(shí)現(xiàn)精細(xì)布線，滿足芯片與PCB之間的高密度互連需求。
　　 MSAP與SAP工藝是實(shí)現(xiàn)HDI的關(guān)鍵工藝，新增高價(jià)值量先進(jìn)電鍍?cè)O(shè)備需求。：MSAP（改良半加成法）和SAP（半加成法）工藝是實(shí)現(xiàn)高密度互連（HDI）的關(guān)鍵技術(shù)，尤其在CoWoP工藝中發(fā)揮重要作用。①M(fèi)SAP工藝通過(guò)在超薄基銅上選擇性電鍍加厚線路，再通過(guò)差分蝕刻去除未電鍍的基銅，實(shí)現(xiàn)微米級(jí)線寬/線距。其絕緣基板沉銅工藝需要高均勻性化學(xué)鍍銅，高價(jià)值量水平電鍍&MVCP設(shè)備需求有望放量。②SAP工藝則通過(guò)在絕緣基板上沉銅、圖形電鍍、蝕刻等方式實(shí)現(xiàn)線路制造，能夠?qū)崿F(xiàn)更精細(xì)的線寬線距（10μm以下）。SAP工藝在MSAP設(shè)備需求外，還需高精度圖形電鍍?cè)O(shè)備，用于加厚線路部分的銅層。
　　電鍍?cè)O(shè)備龍頭技術(shù)底蘊(yùn)深厚，有望充分受益于HDI電鍍?cè)O(shè)備量?jī)r(jià)齊升：公司針對(duì)HDI（高密度互連）領(lǐng)域布局了高價(jià)值量的水平電鍍?cè)O(shè)備和MVCP設(shè)備，有望充分受益于HDI電鍍?cè)O(shè)備需求的增長(zhǎng)：①水平鍍?nèi)弦辉O(shè)備：相比垂直電鍍，水平電鍍?cè)诟呖v橫比通孔和微盲孔領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢(shì)，更適用于高階HDI。公司設(shè)備已通過(guò)頭部客戶驗(yàn)證，0到1國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程可期。②MVCP（移載式垂直連續(xù)電鍍）設(shè)備：公司MVCP電鍍線寬/線距最小可達(dá)8μm，能夠滿足MSAP工藝的高精度要求，有望加速完成國(guó)產(chǎn)替代。③脈沖電鍍?cè)O(shè)備：相比傳統(tǒng)的直流電鍍，脈沖電鍍具備更好的深孔電鍍能力和表面均勻性，充分滿足高端HDI高縱橫比微孔填充需求，市場(chǎng)前景廣闊。
　　盈利預(yù)測(cè)與投資評(píng)級(jí)：我們維持公司2025-2027年歸母凈利潤(rùn)預(yù)測(cè)為1.47/1.85/ 2.24億元，當(dāng)前股價(jià)對(duì)應(yīng)動(dòng)態(tài)PE分別為97/77/64倍，我們看好公司成長(zhǎng)性，維持“增持”評(píng)級(jí)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：CoWoP工藝產(chǎn)業(yè)化不及預(yù)期，設(shè)備研發(fā)&出貨進(jìn)度不及預(yù)期。