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事件：英偉達計劃在新一代GPU芯片的CoWoS工藝中以碳化硅取代硅中介層，預計2027年導入。
　　英偉達高階GPU均采用CoWoS結構，后續(xù)高性能版本散熱需求更高：英偉達GPU芯片從H100到B200均采用CoWoS封裝（芯片-晶圓-基板）技術。CoWoS通過將多個芯片（如處理器、存儲器等）高密度地堆疊集成在一個封裝內(nèi)，顯著縮小了封裝面積，并大幅提升了芯片系統(tǒng)的性能和能效。但隨著GPU芯片功率增大，將眾多芯片集成到硅中介層容易導致更高的散熱需求。
　　 SiC憑借其高熱導率和高工藝窗口，有望顯著提升CoWoS結構散熱并降低封裝尺寸：①單晶碳化硅是一種具有高導熱性的半導體，其熱導率達到490 W/m·K，比硅高出2–3倍，是高性能CoWoS結構中介層的理想材料。②與硅中介層相比，單晶SiC還具有更好的耐化學性，因此可以通過刻蝕制備出更高深寬比的通孔，進一步縮小CoWoS封裝尺寸。美國尼爾森科學采用的350 μm碳化硅能夠制備出109:1的碳化硅中介層，顯著高于常規(guī)硅中介層的17:1深寬比。
　　 SiC新應用場景打開，帶來增量市場：以當前英偉達H1003倍光罩的2,500 mm2中介層為例，假設12英寸碳化硅晶圓可生產(chǎn)21個3倍光罩尺寸的中介層，2024年出貨的160萬張H100若未來替換成碳化硅中介層，則對應76,190張襯底需求。臺積電預計2027年推出7×光罩CoWoS來集成更多處理&存儲器，中介層面積增至1.44萬mm2，對應更多襯底需求。
　　晶盛積極擴產(chǎn)6&8寸襯底產(chǎn)能，已具備12寸能力：公司目前已經(jīng)攻克12英寸碳化硅晶體生長中的溫場不均、晶體開裂等核心難題，實現(xiàn)了12英寸超大尺寸晶體生長的技術突破，成功長出12英寸導電型碳化硅晶體。
　　盈利預測與投資評級：我們維持公司2025-2027年歸母凈利潤預測為10.1/12.5/15.4億元，當前股價對應動態(tài)PE分別為46/37/30倍，考慮到公司多業(yè)務仍具備成長性，維持“買入”評級。
　　風險提示：碳化硅導入CoWoS工藝不及預期，技術研發(fā)不及預期。