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平臺(tái)化布局三大設(shè)備平臺(tái)，國產(chǎn)替代與國際化雙輪驅(qū)動(dòng)：屹唐股份成立于2015年，是一家專注于集成電路前道核心裝備的高端制造企業(yè)。公司致力于干法去膠（Dry Strip）、干法刻蝕和等離子體表面處理（Dry Etchand Plasma Surface Treatment）及快速熱處理（RTP）等關(guān)鍵設(shè)備的研發(fā)與制造，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于先進(jìn)晶圓制造工藝，客戶涵蓋中芯國際、臺(tái)積電、三星、英特爾等全球領(lǐng)先的集成電路制造企業(yè)。在“半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代”趨勢(shì)下，公司憑借技術(shù)積累與平臺(tái)化布局，已成長為全球前道設(shè)備領(lǐng)域具有代表性的中國企業(yè)。
　　公司在干法去膠設(shè)備技術(shù)積累深厚，全球市占率第二：公司干法去膠產(chǎn)品歷經(jīng)三十余年研發(fā)與應(yīng)用沉淀，核心產(chǎn)品涵蓋Suprema？、Hydrilis？HMR及Optima？系列，具備工藝窗口寬、顆粒污染小、成本結(jié)構(gòu)優(yōu)等顯著特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于晶圓制造前道去膠工藝環(huán)節(jié)，適配DRAM、3DNAND、邏輯芯片等多類晶圓平臺(tái)，并已形成從常規(guī)去膠、選擇性去膠到先進(jìn)刻蝕后清洗的完整產(chǎn)品譜系。2023年公司干法去膠設(shè)備以34.60%的全球市場(chǎng)份額位居全球第二，僅次于韓國廠商PSK。
　　快速熱處理設(shè)備（RTP）技術(shù)先進(jìn)，市場(chǎng)份額位居全球第二：公司核心產(chǎn)品包括Helios？系列（常規(guī)RTP）與Millios系列（毫秒級(jí)退火），針對(duì)先進(jìn)邏輯芯片、DRAM和存儲(chǔ)器件量產(chǎn)而設(shè)計(jì)。設(shè)備采用晶圓雙面加熱、氬氣水壁電弧燈與閃光燈退火等核心技術(shù)，能夠有效控制先進(jìn)制程中的熱應(yīng)力和圖形保形性問題。設(shè)備性能參數(shù)處于國際主流水平，在10nm及以下節(jié)點(diǎn)具有良好兼容性，已在DRAM、3DNAND等存儲(chǔ)產(chǎn)線及高性能邏輯芯片產(chǎn)線完成驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。2023年公司RTP設(shè)備以13.05%的市場(chǎng)份額位居全球第二。
　　平臺(tái)化技術(shù)布局刻蝕設(shè)備，擠入全球前十：公司干法刻蝕和等離子體表面處理產(chǎn)品布局以paradigmE、Novyka？、RENA-E？、HydrilisXT系列及Escala？表面處理和材料改性設(shè)備為主，覆蓋通用刻蝕、選擇性刻蝕及原子層級(jí)表面處理等多類場(chǎng)景。產(chǎn)品具備優(yōu)異的等離子均勻性、刻蝕一致性與器件兼容性。設(shè)備已在晶圓制造前道工藝中實(shí)現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用，成功進(jìn)入多家國內(nèi)外頭部客戶供應(yīng)鏈，具備強(qiáng)適配能力與國產(chǎn)替代潛力。2023年，公司以0.21%的市占率位列全球干法刻蝕設(shè)備市場(chǎng)第九，在泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材料三大國際巨頭合計(jì)83.95%的高度壟斷市場(chǎng)中躋身少數(shù)具備量產(chǎn)能力的廠商之列。
　　盈利預(yù)測(cè)：我們預(yù)計(jì)屹唐股份2025-2027年歸母凈利潤分別為6.5/8.5/12.2億元，2025-2027年當(dāng)前股價(jià)對(duì)應(yīng)動(dòng)態(tài)PE分別為109/84/58倍；公司去膠設(shè)備&快速熱處理設(shè)備業(yè)務(wù)全行業(yè)領(lǐng)先，因此給予一定估值溢價(jià)，首次覆蓋給予“增持”評(píng)級(jí)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：產(chǎn)品進(jìn)展不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)，下游需求不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)，市場(chǎng)競爭加劇風(fēng)險(xiǎn)。