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投資要點(diǎn)：
　　投資建議：首次覆蓋，給予“買(mǎi)入”評(píng)級(jí)。我們預(yù)計(jì)公司2025–2027年歸母凈利潤(rùn)為10.98/ 17.96 / 25.22億元，對(duì)應(yīng)同比增長(zhǎng)59.6% / 63.6% / 40.4%；對(duì)應(yīng)PE為87.5x / 53.5x/ 38.1x。從PEG角度看，公司2025E-2027EPEG為1.3/0.8/0.9，綜合考慮其在薄膜沉積和混合鍵合工藝環(huán)節(jié)的技術(shù)壁壘及中長(zhǎng)期盈利彈性，我們認(rèn)為公司具備較高的中長(zhǎng)期配置性價(jià)比。
　　公司和行業(yè)情況：1）公司是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的前道薄膜沉積設(shè)備廠商，核心產(chǎn)品覆蓋PECVD、ALD、Flowable CVD、HDPCVD等多類工藝，已在先進(jìn)邏輯與存儲(chǔ)產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)規(guī)?；桓叮煌瑫r(shí)，公司前瞻布局混合鍵合及配套量檢測(cè)設(shè)備，切入異構(gòu)集成與三維集成核心環(huán)節(jié)，業(yè)務(wù)由單一沉積設(shè)備向“沉積+鍵合”雙引擎平臺(tái)化演進(jìn)；2）行業(yè)：薄膜沉積設(shè)備處于半導(dǎo)體前道設(shè)備體系的核心位置，市場(chǎng)規(guī)模與需求確定性較強(qiáng)。根據(jù)Maximize Market Research數(shù)據(jù)，2025年全球薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)340億美元，2020–2025年CAGR為13.3%，高于半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)整體增速。
　　關(guān)鍵假設(shè)點(diǎn)：1）全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)2025年預(yù)計(jì)達(dá)到340億美元。在晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)與國(guó)產(chǎn)替代推動(dòng)下，中國(guó)市場(chǎng)預(yù)計(jì)仍將保持全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)；三維集成設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)由2025年的81億美元增長(zhǎng)至2029年的284億美元，平均年復(fù)合增長(zhǎng)率CAGR達(dá)到37%。2）在國(guó)內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)持續(xù)推進(jìn)及后摩爾時(shí)代異構(gòu)集成加速滲透的背景下，薄膜沉積與混合鍵合作為前道及先進(jìn)封裝的關(guān)鍵設(shè)備環(huán)節(jié)，需求確定性較強(qiáng)，高端工藝設(shè)備價(jià)值量與技術(shù)壁壘持續(xù)提升，其中PECVD約占整體沉積工藝價(jià)值量33%、ALD約11%、PVD/LPCVD合計(jì)約30%，高端沉積工藝占比逐步提升。
　　有別于市場(chǎng)的認(rèn)識(shí)：HBM、Chiplet與三維堆疊加速落地，芯片間互連密度和界面質(zhì)量要求顯著提升，沉積與鍵合工藝在系統(tǒng)性能中的重要性持續(xù)上升，使相關(guān)設(shè)備需求具備獨(dú)立于制程節(jié)點(diǎn)的成長(zhǎng)邏輯。
　　股價(jià)表現(xiàn)的催化劑：1）薄膜沉積設(shè)備訂單持續(xù)放量；2）ALD、Flowable CVD等新品驗(yàn)證轉(zhuǎn)入規(guī)模交付；3）混合鍵合設(shè)備實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)導(dǎo)入；4）毛利率修復(fù)快于預(yù)期；5）晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏上修或資本開(kāi)支回暖。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：下游資本開(kāi)支波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)、新產(chǎn)品驗(yàn)證及放量不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)、技術(shù)迭代與競(jìng)爭(zhēng)加劇風(fēng)險(xiǎn)、毛利率與費(fèi)用率波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)。