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在海外市場(chǎng)，我們關(guān)注技術(shù)升級(jí)或后道封裝技術(shù)迭代下的投資機(jī)會(huì)。
　　中國(guó)大陸地區(qū)，我們關(guān)注先進(jìn)制程核心零部件和國(guó)產(chǎn)率較低的材料機(jī)會(huì)。
　　維持北方華創(chuàng)和中微的“買(mǎi)入”評(píng)級(jí)；維持芯源微“持有”評(píng)級(jí)。
　　我們參加了2026年3月25日至27日在上海舉辦的SEMICONChina 2026活動(dòng)，主要結(jié)論如下：
　　半導(dǎo)體設(shè)備公司逐步成長(zhǎng)為平臺(tái)型公司。根據(jù)SEMICONChina 2026，北方華創(chuàng)發(fā)布多款產(chǎn)品，包括新一代12英寸電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備、12英寸混合鍵合設(shè)備以及高深寬比TSV電鍍（ ECP ）設(shè)備等。中微公司推出ICP等離子體刻蝕設(shè)備以及MicroLED量產(chǎn)MOCVD設(shè)備等品。我們認(rèn)為半導(dǎo)體前道設(shè)備公司有望滲透至先進(jìn)封裝和量測(cè)等設(shè)備，有助于在下游客戶產(chǎn)品交付中獲取更強(qiáng)話語(yǔ)權(quán)。根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)觀察，刻蝕機(jī)、薄膜沉積、清洗設(shè)備、氧化擴(kuò)散設(shè)備上國(guó)產(chǎn)化率30%—40%，但是光刻機(jī)、量檢測(cè)、離子注入等環(huán)節(jié)仍高度依賴進(jìn)口。
　　半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化率不一。根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)觀察，半導(dǎo)體材料整體國(guó)產(chǎn)化率偏低，但在部分品類實(shí)現(xiàn)突破，滬硅產(chǎn)業(yè)、立昂微、中環(huán)股份等國(guó)產(chǎn)化率突破10%，逐步進(jìn)入主流晶圓廠。ArF、KrF高端光刻膠國(guó)產(chǎn)化率5%—10%，彤程新材、南大光電、上海新陽(yáng)等持續(xù)突破。濕電子化學(xué)品、特種氣體、濺射靶材在在成熟制程中廣泛應(yīng)用,但是在先進(jìn)制程中，國(guó)產(chǎn)化率仍然較低。
　　半導(dǎo)體零部件呈現(xiàn)出高端不足，低端過(guò)剩的格局。根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)觀察，截至2025年底，成熟制程（14nm+）零部件國(guó)產(chǎn)化率已超50%且面臨過(guò)剩，而先進(jìn)制程（<7nm）核心件國(guó)產(chǎn)化率仍<10%卻供不應(yīng)求。靜電吸盤(pán)、液冷UQD快速接頭、ALD前驅(qū)體輸送系統(tǒng)、原子級(jí)沉積/刻蝕控制件成為當(dāng)前一級(jí)市場(chǎng)投資的熱點(diǎn)。在后道封裝領(lǐng)域，隨著玻璃基板商業(yè)化與HBM4量產(chǎn)催生全新零部件品類，我們認(rèn)為傳統(tǒng)硅基基板配套體系或出現(xiàn)替代。我們認(rèn)為在玻璃基板激光切割、脆性材料真空吸附以及混合鍵合領(lǐng)域可以關(guān)注投資機(jī)會(huì)。
　　維持北方華創(chuàng)和中微的“買(mǎi)入”評(píng)級(jí)；維持芯源微的“持有”評(píng)級(jí)。我們對(duì)北方華創(chuàng)的估值為34倍2026EP/E，考慮到公司的產(chǎn)品矩陣擴(kuò)展有助于公司提高盈利的可預(yù)見(jiàn)性。我們的目標(biāo)估值對(duì)應(yīng)65倍2026年預(yù)期P/E，這是因?yàn)槲覀兏春霉?026-27年的收入和利潤(rùn)增長(zhǎng)潛力。風(fēng)險(xiǎn)提示：下游需求不及預(yù)期，美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)一步限制，半導(dǎo)體設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)加劇。