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一、需求框架：Agent時(shí)代上下文擴(kuò)張，KVCache膨脹，拉動(dòng)存儲(chǔ)需求
　　進(jìn)入Agent階段后，AI上下文擴(kuò)張推高KVCache用量，從而帶動(dòng)存儲(chǔ)需求增長(zhǎng)。據(jù)鈦媒體報(bào)道，在AI推理場(chǎng)景中，為了加速模型響應(yīng)、避免重復(fù)計(jì)算，系統(tǒng)需要將KVCache保留在高速存儲(chǔ)中。但隨著上下文窗口的急劇擴(kuò)大，KVCache的規(guī)模已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了HBM和DRAM的承載能力。
　　二、分級(jí)存儲(chǔ)：HBM承載活躍數(shù)據(jù)，DRAM和NAND承接緩沖和低頻數(shù)據(jù)
　　Agent場(chǎng)景下，KVCache和上下文數(shù)據(jù)規(guī)模已超出單一介質(zhì)承載能力，存儲(chǔ)架構(gòu)需按數(shù)據(jù)訪問頻率分級(jí)布局?；钴S數(shù)據(jù)由高速介質(zhì)HBM承載，緩沖數(shù)據(jù)和冷數(shù)據(jù)下沉至大容量的DRAM和NAND中。
　　1.HBM承載活躍KVCache。AI數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)架構(gòu)第一層為HBM，緊貼GPU、速度最快，但典型容量較小，難以承載Agent場(chǎng)景下持續(xù)膨脹的KVCache，需要向外層存儲(chǔ)溢出。
　　2.DRAM承擔(dān)二級(jí)緩沖職能。具體而言，DRAM連接至CPU，容量通常是HBM的數(shù)倍，作為HBM外溢KVCache的二級(jí)承接層。
　　3.NAND承擔(dān)冷數(shù)據(jù)存儲(chǔ)職能。基于NAND顆粒的SSD承載歷史KVCache及數(shù)據(jù)湖的海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，容量可達(dá)HBM的千倍左右。
　　三、競(jìng)爭(zhēng)格局：SK海力士深度綁定臺(tái)積電，三星具備自有晶圓廠，美光占據(jù)北美本土優(yōu)勢(shì)
　　1.SK海力士深度綁定臺(tái)積電。據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫報(bào)道，SK海力士HBM4的核心芯片采用1b DRAM，基底裸片采用臺(tái)積電12納米工藝。
　　2.三星具備自有晶圓廠。據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫報(bào)道，三星核心芯片采用1c DRAM，基底裸片采用自家代工4納米工藝，傳輸速度可達(dá)11.7Gbps。
　　3.美光占據(jù)北美本土供應(yīng)優(yōu)勢(shì)。據(jù)芯智訊資料，美光作為三大存儲(chǔ)廠商中唯一的北美廠商，計(jì)劃將約40%的DRAM產(chǎn)能落地美國(guó)本土。產(chǎn)品方面，美光近日發(fā)布其HBM4產(chǎn)品，帶寬是上一代HBM3e的兩倍以上。此外，美光正率先在業(yè)內(nèi)挑戰(zhàn)圖形內(nèi)存（GDDR）堆疊技術(shù)，效仿HBM的堆疊方式提升GDDR性能。
　　四、投資建議
　　看好海外存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展機(jī)遇，建議關(guān)注SK海力士、三星和美光等廠商的存儲(chǔ)供應(yīng)價(jià)值。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　AI模型競(jìng)爭(zhēng)激烈，AI應(yīng)用競(jìng)爭(zhēng)激烈