>> 東吳證券-半導體設備行業(yè)2025年報&2026年一季報總結(jié)：前后道設備商業(yè)績持續(xù)高增，看好先進產(chǎn)能擴產(chǎn)&設備國產(chǎn)化率提升-260519
| 上傳日期： |
2026/5/19 |
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| 3252KB |
| 格式： |
pdf 共67頁 |
來源： |
東吳證券 |
| 評級： |
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作者： |
周爾雙,李文意 |
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AI驅(qū)動先進邏輯與存儲擴產(chǎn)，資本開支進入新一輪上行周期。在AI算力需求爆發(fā)背景下，全球半導體設備市場規(guī)模持續(xù)創(chuàng)新高。先進邏輯端，F(xiàn)inFET向GAA/CFET演進，5nm及以下制程單位產(chǎn)能設備投資額顯著提升，單萬片/月產(chǎn)能投資額較28nm提升數(shù)倍；存儲端，HBM帶動DRAM高階制程升級，3DNAND向400層以上堆疊演進，單萬片產(chǎn)能投資額同步提升。中國大陸晶圓產(chǎn)能全球占比仍低于銷售占比，邏輯與存儲龍頭資本開支維持高位，疊加兩大存儲廠商上市融資在即，擴產(chǎn)動能具備持續(xù)性，支撐前道設備景氣度中長期上行。
制程迭代推動設備結(jié)構(gòu)升級，刻蝕與薄膜沉積價值量提升。先進制程結(jié)構(gòu)復雜化帶動圖形化環(huán)節(jié)投資強度提升。邏輯端GAA結(jié)構(gòu)、存儲端高層數(shù)3D堆疊，對高深寬比刻蝕（HAR）、高選擇比刻蝕（ALE）以及ALD等原子級沉積技術提出更高要求。刻蝕與薄膜沉積在前道設備中的價值占比位居前三，且隨制程演進呈提升趨勢。多重曝光、先進金屬材料替代及新型結(jié)構(gòu)引入，使設備數(shù)量與工藝復雜度同步提升，設備投資呈現(xiàn)“技術節(jié)點越先進、單位投資越高”的乘數(shù)效應，核心平臺型設備商與細分龍頭有望持續(xù)受益。
外部制裁強化自主可控邏輯，國產(chǎn)替代進入加速階段。美國、荷蘭、日本持續(xù)強化對14nm及以下先進制程設備出口限制，中國大陸作為全球最大設備需求市場，進口依賴度較高的涂膠顯影、清洗、量檢測、光刻等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率仍低于25%。在政策支持與大基金三期落地背景下，國內(nèi)晶圓廠擴產(chǎn)將更加傾向國產(chǎn)設備采購。測算顯示半導體設備整體國產(chǎn)化率已由2017年的13%提升至2024年的20%，預計2025年達22%，仍具備廣闊提升空間。平臺型廠商覆蓋面擴大、技術持續(xù)突破，將在先進制程與先進封裝領域獲得更大份額。
投資建議：看好前后道半導體設備+零部件廠商，重點推薦前道平臺化設備商【北方華創(chuàng)】【中微公司】，低國產(chǎn)化率環(huán)節(jié)設備商【芯源微】【中科飛測】【精測電子】，薄膜沉積設備商【拓荊科技】【微導納米】，去膠、熱處理&刻蝕設備龍頭【屹唐股份】，后道封裝測試設備【華峰測控】【長川科技】【邁為股份】；零部件環(huán)節(jié)【新萊應材】【富創(chuàng)精密】【晶盛機電】【英杰電氣】【漢鐘精機】。
風險提示：半導體行業(yè)投資不及預期，設備國產(chǎn)化進程不及預期，技術迭代及工藝路線變化風險
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