>> 東吳證券-美光科技(MU.US)HBM構筑高彈性空間，技術升級疊加擴產(chǎn)共塑份額紅利-260527
| 上傳日期： |
2026/5/27 |
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| 1991KB |
| 格式： |
pdf 共31頁 |
來源： |
東吳證券 |
| 評級： |
買入 |
作者： |
張良衛(wèi) |
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存儲行業(yè)正在完成從"周期股"到"AI算力基礎設施"的估值范式切換，美光作為唯一兼具DRAM與NAND雙重彈性的美國本土廠商，是本輪AI推理周期最直接的受益者。FY26Q2營收238.6億美元、GAAP毛利率74.4%（環(huán)比+18.4pct）、Non-GAAPEPS 12.20美元顯著超Bloomberg一致預期，公司指引Q3毛利率進一步升至約81%，盈利兌現(xiàn)節(jié)奏遠快于此前周期復蘇。
推理時代來臨，RAG與企業(yè)級SSD構成NAND第二增長極。存儲需求從"訓練側一次性爆發(fā)"轉向"推理側持續(xù)性消耗"。RAG架構對向量數(shù)據(jù)庫的依賴直接帶動了高性能企業(yè)級SSD的需求，KVCache卸載至SSD成為NAND新增量。FY26Q2美光NAND營收50億美元（QoQ+82%），數(shù)據(jù)中心SSD份額連續(xù)四年提升；Micron 9650（PCIe Gen6）已率先量產(chǎn)，讀取性能較Gen5翻倍。
深度綁定核心算力平臺，HBM4率先量產(chǎn)搶占下一代主導權。美光正憑借極強的產(chǎn)品執(zhí)行力迅速重塑AI存儲的競爭格局。公司2026年HBM產(chǎn)能已全面售罄，且專為英偉達Vera Rubin平臺設計的HBM4已于26年Q1率先量產(chǎn)出貨，總帶寬超2.8TB/s。疊加全球首發(fā)的1γ（1-gamma）EUV先進制程，美光在高壁壘的AI存儲賽道持續(xù)領跑，中長期有望迎來“量價齊升”與“份額擴張”，實現(xiàn)經(jīng)營業(yè)績的高速增長。
AI擠壓效應重塑供給端，存儲供需結構性錯配。龐大的AI算力需求不僅拉動了HBM需求的爆發(fā)，其對晶圓的極高消耗量正在嚴重擠占傳統(tǒng)DRAM的有效供給。同時，NAND端原廠向高層QLC轉產(chǎn)也導致了總體產(chǎn)能的結構性收緊。在AI需求強勁拉動與傳統(tǒng)產(chǎn)能受控的雙重夾擊下，存儲芯片大盤的供需緊缺或將延續(xù)數(shù)年。美光將全面享受行業(yè)價格中樞上移帶來的高額紅利。
盈利預測與投資評級：公司作為美國本土存儲行業(yè)龍頭，DRAM與NAND在存儲行業(yè)中地位穩(wěn)固，HBM擴產(chǎn)或提供較大業(yè)績彈性，有望在AI驅動的基礎設施建設中持續(xù)受益。我們預計公司FY2026-FY2028年歸母凈利潤為678.1/1,109.1/1,154.4億美元，對應當前市值PE分別為14.9/9.1/8.8X?？紤]到公司HBM量價齊升與企業(yè)級SSD結構性擴張，業(yè)績兼具確定性與成長性，首次覆蓋給予“買入”評級。
風險提示：存儲行業(yè)周期再現(xiàn)風險；國產(chǎn)產(chǎn)能加速沖擊中低端市場；云廠商資本開支不及預期風險；股價短期波動風險。
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