>> 華泰證券-科技行業(yè)動態(tài)點評：英偉達芯片內(nèi)存降配報道的潛在影響-260608
| 上傳日期： |
2026/6/8 |
大小： |
691KB |
| 格式： |
pdf 共6頁 |
來源： |
華泰證券 |
| 評級： |
增持 |
作者： |
黃樂平,陳旭東,何翩翩 |
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SemiAnalysis于6月4日報告指出，英偉達將計劃于3Q26開售的新一代AI服務(wù)器VeraRubinNVL72的CPU側(cè)內(nèi)存用量減半。盡管報告說明該調(diào)整由三大原廠存儲供給緊張所驅(qū)動，仍引發(fā)投資人對“AI存儲需求見頂”的擔憂，6月5日，美光、閃迪、西部數(shù)據(jù)、希捷等美股存儲板塊普跌（閃迪-11.2%、美光-9.5%、西部數(shù)據(jù)-8.5%、希捷-6.6%）?；趯ο嚓P(guān)報告的分析，我們認為：1）降配本質(zhì)上是供給端硬約束下原廠產(chǎn)能配給的“果”，而非算力需求走弱的“因”，若降配，直接影響相當于2026/2027年全球DRAM需求分別下降約1.6%/4.2%；2）若降規(guī)屬實，我們?nèi)灶A計2027年存儲供需缺口降規(guī)前約-7%、降規(guī)后約-3%，存儲上行周期不改；3）我們認為短期回調(diào)提供高擁擠交易再平衡良機，繼續(xù)看好SK海力士在HBM保持份額領(lǐng)先、三星憑IDM一體化能力在HBM4擴大份額。
降規(guī)細節(jié)：僅砍CPU側(cè)系統(tǒng)內(nèi)存，算力內(nèi)存路徑不改
如圖表1，據(jù)SemiAnalysis，降規(guī)僅針對CPU側(cè)DRAM：英偉達將VeraRubinNVL72的CPU側(cè)系統(tǒng)內(nèi)存（SOCAMM）單模塊由192GB降至96GB，單機柜系統(tǒng)DRAM由約55.3TB減半至27.6TB，GPU側(cè)HBM4（72×288GB≈20.7TB/柜）維持不變。拉長看（圖表2），英偉達HBM沿Hopper→Blackwell→Rubin持續(xù)抬升，單GPU容量由80/141GB升至192、288GB，2027年RubinUltra將切換至HBM4E、單GPU達1TB；而CPU側(cè)系統(tǒng)內(nèi)存在GB200/GB300時代為Grace板載LPDDR5X（約17TB/柜），至Rubin改用可插拔SOCAMM模塊、本應(yīng)躍升至約55TB/柜——正是這一跳變疊加供給緊張，被降配回約28TB。
若需求下調(diào)，DRAM供需缺口仍約-3%，存儲上行周期不變
自下而上（圖表3），按VRNVL72出貨2026年約3萬柜、2027年約10萬柜、單柜削減約27.6TB的假設(shè)，我們測算如果降配，會影響DRAM需求約2026E-1.6%、2027E-4.2%；原192GB方案下Rubin SOCAMM本應(yīng)占2027年全球DRAM需求約8.4%，減半后回落至約4.2%。映射到供需平衡（圖表4），我們測算2027缺口由降規(guī)前-7.3%收斂至降規(guī)后-3.2%，仍供不應(yīng)求，大周期未逆轉(zhuǎn)。我們認為被砍bit本就因供給硬約束難以兌現(xiàn)，緊缺以降配而非斷貨形式被內(nèi)部消化，原廠定價權(quán)與盈利韌性穩(wěn)固。
DRAM降規(guī)對推理性能的影響與價值再分配
從STCO（系統(tǒng)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化）視角，規(guī)格生變伴隨供應(yīng)鏈價值重洗。系統(tǒng)DRAM由約1.5TB降至768GB/Vera CPU，壓縮了CPU側(cè)承載KVCache的容量上限；高吞吐、大Batch低交互場景的并發(fā)與吞吐將受限，高交互/小Batch基本不受影響。CSP可能的彌補措施包括：一是更早、更多啟用NVMe offloading，以大容量企業(yè)級SSD承接下沉的KVCache（Rubin單柜NAND已較GB200增約250%至約2,016TB），利好鎧俠、閃迪等；二是采用更高帶寬的Scale-Up/Scale-Out互連方案、跨節(jié)點彌補單機內(nèi)存不足，利好光通信與互連環(huán)節(jié)。
風險提示：AI進展不及預期；宏觀經(jīng)濟和地緣；半導體周期下行；研報涉及的未上市/未覆蓋個股，系客觀信息整理，不代表團隊對該公司推薦/覆蓋。本報告基于當前新聞/信息分析，相關(guān)判斷存在假設(shè)前提，未來實際情況可能與本報告假設(shè)或結(jié)論存在偏差。
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