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AI算力芯片放量，SoC測(cè)試機(jī)進(jìn)入量?jī)r(jià)齊升周期。AI/HPC芯片向先進(jìn)制程、Chiplet及先進(jìn)封裝持續(xù)演進(jìn)，測(cè)試步驟和測(cè)試時(shí)長(zhǎng)顯著增加。全球SoC測(cè)試機(jī)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)由2023年的33億美元增長(zhǎng)至2026年的91億美元，2023-2026ECAGR達(dá)40%。
　　國(guó)產(chǎn)算力崛起帶動(dòng)國(guó)內(nèi)SoC測(cè)試需求快速提升。當(dāng)前海外SoC測(cè)試需求已以AI芯片為主，而國(guó)內(nèi)仍以手機(jī)芯片為主。隨著華為昇騰、寒武紀(jì)、海光等國(guó)產(chǎn)算力芯片持續(xù)放量，中國(guó)AI芯片測(cè)試需求占比有望快速提升，帶動(dòng)國(guó)產(chǎn)測(cè)試設(shè)備需求增長(zhǎng)。
　　自主可控趨勢(shì)強(qiáng)化，測(cè)試機(jī)國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。全球測(cè)試機(jī)市場(chǎng)長(zhǎng)期由愛德萬(wàn)和泰瑞達(dá)主導(dǎo)，其中愛德萬(wàn)市占率達(dá)65%。美國(guó)持續(xù)升級(jí)半導(dǎo)體限制疊加中日關(guān)系變化，自主可控重要性進(jìn)一步提升。按2025年市場(chǎng)測(cè)算，僅測(cè)試機(jī)領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代空間即超過(guò)百億元。
　　先進(jìn)封裝擴(kuò)產(chǎn)帶來(lái)測(cè)試設(shè)備增量需求。盛合晶微、長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技等頭部封測(cè)廠持續(xù)擴(kuò)張先進(jìn)封裝產(chǎn)能。測(cè)試機(jī)通常為封測(cè)廠資本開支占比最高設(shè)備之一，先進(jìn)封裝擴(kuò)產(chǎn)將持續(xù)拉動(dòng)測(cè)試設(shè)備需求增長(zhǎng)。
　　HBM推動(dòng)存儲(chǔ)測(cè)試機(jī)進(jìn)入新周期。HBM采用多層DRAM堆疊及TSV結(jié)構(gòu)，新增KGSD、TSV、CoW等測(cè)試環(huán)節(jié)，測(cè)試復(fù)雜度顯著提升。隨著AI訓(xùn)練卡對(duì)HBM需求快速增長(zhǎng)，存儲(chǔ)測(cè)試機(jī)迎來(lái)需求擴(kuò)張與技術(shù)升級(jí)雙重驅(qū)動(dòng)。
　　投資建議：我們基本維持公司2026-2028年歸母凈利潤(rùn)分別為21.5/30.4/41.5（原值22.8/31.2/42.3）億元，2026-2028年當(dāng)前股價(jià)對(duì)應(yīng)動(dòng)態(tài)PE分別為66/47/34倍；公司的SoC測(cè)試設(shè)備和存儲(chǔ)測(cè)試設(shè)備技術(shù)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，未來(lái)將受益于半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程的不斷推進(jìn)，綜合來(lái)看成長(zhǎng)性較為突出，維持“買入”評(píng)級(jí)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：封測(cè)設(shè)備需求不及預(yù)期，技術(shù)研發(fā)不及預(yù)期，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇。