>> 聯(lián)訊證券-揚杰科技(300373)碳化硅半導(dǎo)體業(yè)務(wù)將成爆發(fā)點-150528
| 上傳日期： |
2015/5/29 |
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作者： |
丁思德 |
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產(chǎn)品主要應(yīng)用于消費類電子、汽車電子、智能電網(wǎng)、光伏、LED、通訊等領(lǐng)域。
憑借先進的技術(shù)和高品質(zhì)產(chǎn)品，公司積累了大量優(yōu)質(zhì)客戶，包括人和光伏、臺達電源、云意電氣、美的制冷設(shè)備等直接客戶，以及上海榮威、長安福特、美的、海信、飛利浦、國家電網(wǎng)、南方電網(wǎng)等多行業(yè)的間接終端客戶。海外市場方面，產(chǎn)品遠銷韓國、臺灣、德國、美國、印度、俄羅斯、意大利、日本等20多個國家和地區(qū)。
2、積極布局碳化硅（SiC）等第三代半導(dǎo)體功率器件。2015年3月，公司與西安電子科技大學（“西電”）簽訂《成立“第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化工程技術(shù)中心”協(xié)議書》，開展第三代半導(dǎo)體材料與器件的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用研究工作。西電擁有寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)國家重點學科實驗室，郝躍院士研究團隊在國內(nèi)此領(lǐng)域的領(lǐng)軍團隊，近年來攻克多項國際國內(nèi)第三代功率器件技術(shù)難題，為未來產(chǎn)品化做出多項實質(zhì)性貢獻。
2015年4月28日，公司通過增資和股權(quán)轉(zhuǎn)讓方式取得國宇電子38.87%股權(quán)，與中國電子科技集團公司第五十五研究所在碳化硅芯片和模塊產(chǎn)品方面建立緊密合作關(guān)系。五十五所自建所五十年來，取得科研成果3000多項，其中獲國家級獎項60多項，省、部級以上獎項560多項。
先后為中國首次載人交會對接任務(wù)天宮一號、神舟九號和長征二號F研制配套做出貢獻。預(yù)計未來有望以揚杰科技為平臺、以國宇電子為紐帶展開一系列資本運作。
3、碳化硅半導(dǎo)體時代來臨。隨著電子產(chǎn)品的迅速發(fā)展，常規(guī)的硅半導(dǎo)體、砷化鎵等器件越來越無法滿足高溫、熱導(dǎo)率、抗輻射性等需求。以碳化硅（SiC）、氮化鎵為代表的寬帶隙半導(dǎo)體材料由于具備禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特性，使其在光電器件、高頻大功率器件等方面倍受青睞，被譽為前景廣闊的第三代半導(dǎo)體材料。尤其碳化硅器件可以再200攝氏度的高溫環(huán)境下工作。與IGBT、硅器件相比，碳化硅器件具有更高的電流密度、更低的功率損耗，碳化硅器件能夠提高電源轉(zhuǎn)化效率。未來有望在功率器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)對硅的迅速替代，碳化硅半導(dǎo)體時代已然來臨。
碳化硅未被行業(yè)廣泛應(yīng)用的原因主要在于單晶制備難度大、成本高。單晶生長技術(shù)和薄膜生長技術(shù)的不斷突破和發(fā)展，目前美國科銳（Cree）已經(jīng)能夠制備出6.0英寸的晶片，預(yù)計2016年將上升致8.0英寸。國內(nèi)目前最先進的工藝能夠達到4.0英寸。碳化硅器件新增應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒅饕性贚ED、新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等行業(yè)。研究機構(gòu)IHS IMS Research 預(yù)測，SiC和GaN半導(dǎo)體市場未來10年平均增速將達到18%；Yole Developpement對SiC器件市場更為樂觀，預(yù)測將保持38%的年增長率。隨著國際電子產(chǎn)業(yè)繼續(xù)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移，我國半導(dǎo)體技術(shù)工藝逐步提升，行業(yè)面臨較大的成長空間。但是我國分立器件集中度偏低、企業(yè)規(guī)模普遍較小，未來隨著資本市場的不斷成熟，行業(yè)內(nèi)橫向并購將會迎來一個高潮。
4、盈利預(yù)測及評級。公司收入平均年增長率保持在30%以上，主要受益于功率二極管和分立器件芯片?？紤]到公司在碳化硅領(lǐng)域的強勢布局，碳化硅業(yè)務(wù)將成公司新業(yè)績增長點。預(yù)計公司2015-2017年凈利潤增速分別為39%、40%和39%，EPS分別為0.93、1.31和1.82元，上一交易日收盤股價對應(yīng)PE分別為71、50和36倍；考慮到公司碳化硅領(lǐng)域超預(yù)期的可能較大，給予公司"增持"評級。
5、風險提示：1）碳化硅器件遭遇技術(shù)難題；2）下游應(yīng)用領(lǐng)域認證周期變長；3）系統(tǒng)性風險。
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