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主要觀點(diǎn)
　　N型擴(kuò)產(chǎn)速度加快，預(yù)計(jì)TOPCon22年底產(chǎn)能超過90GW，異質(zhì)結(jié)22年產(chǎn)能近6GW。22年是N型量產(chǎn)元年，TOPCon與HJT產(chǎn)能規(guī)劃與投產(chǎn)進(jìn)展超預(yù)期。目前TOPCon規(guī)劃產(chǎn)能近230GW，預(yù)計(jì)22年底超過90GW建成/投產(chǎn)。HJT規(guī)劃產(chǎn)能超170GW，預(yù)計(jì)22年量產(chǎn)近6GW。
　　TOPCon電池成本高出PERC約5分/W，降本需求迫切。經(jīng)我們測算，TOPCon電池總成本高出PERC5分/W，非硅成本高于PERC約3分/W，異質(zhì)結(jié)與PERC成本差距更大。由于硅片和銀漿成本占比較高，我們認(rèn)為未來薄片化和降低銀漿耗量是降本主要方向。
　　薄片化難點(diǎn)在于需要平衡成本、效率與良率。硅片厚度下降，單KG硅棒出片數(shù)提升，攤薄硅片成本。但是硅片減薄導(dǎo)致電池開路電壓（Voc）和填充因子（FF）有所提高，同時(shí)短路電流（Isc）下降，轉(zhuǎn)換效率也有可能降低。而鈍化可以降低薄片化對短路電流的影響，所以異質(zhì)結(jié)出色的雙面對稱鈍化結(jié)構(gòu)可以支撐更薄的硅片，甚至薄片化同時(shí)實(shí)現(xiàn)效率提高。另外，薄片化同時(shí)需要關(guān)注碎片率提高以及硅片隱裂問題，保證組件可靠性。目前PERC主流硅片厚度在150μm左右，TOPCon和異質(zhì)結(jié)均可以應(yīng)用130μm硅片。
　　銀漿降本包括接觸式金屬化工藝：MBB、SMBB、0BB。MBB通過降低細(xì)柵的截面積和線長降低銀耗。MBB技術(shù)可節(jié)省異質(zhì)結(jié)25%-35%正面銀漿耗量，同時(shí)提升轉(zhuǎn)換效率約0.2%。SMBB技術(shù)讓焊帶和細(xì)柵直接匯聯(lián)，降低主柵寬度，增加?xùn)啪€數(shù)量，減少銀漿耗量約8mg/W。無主柵技術(shù)印制細(xì)柵而不印制主柵，可以降低80%銀漿耗量。
　　非接觸式金屬化工藝：（1）激光轉(zhuǎn)?。涸谌嵝酝腹獠牧仙贤扛矟{料，采用高功率激光束高速圖形化掃描，將漿料從柔性透光材料上轉(zhuǎn)移至電池表面，形成柵線。柵線寬度可達(dá)15-25μm，減少銀漿30-45%。
　　（2）銅電鍍：銅電鍍過程類似于半導(dǎo)體中光刻工藝。銅電鍍可以取代銀漿，同時(shí)縮短線寬、增加光照面積，提高轉(zhuǎn)換效率。
　　采用低成本金屬漿料：銀包銅漿料用銀覆蓋銅，既保留白銀的優(yōu)點(diǎn)又防止銅氧化和復(fù)合物產(chǎn)生。因?yàn)殂y包銅在高溫環(huán)境下活性失效，所以只能用于低溫異質(zhì)結(jié)路線，可以降低電池成本約30%。
　　投資建議
　　（1）薄片化：薄片化趨勢驅(qū)動金剛線細(xì)線化發(fā)展。建議關(guān)注頭部企業(yè)，推薦高測股份。
　?。?）金屬化：我們建議關(guān)注光伏激光設(shè)備龍頭：帝爾激光；直寫光刻技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)：芯碁微裝；電鍍設(shè)備龍頭：東威科技。
　?。?）低成本漿料：我們建議關(guān)注蘇州固锝、帝科股份。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　光伏行業(yè)政策波動風(fēng)險(xiǎn)，行業(yè)競爭加劇，技術(shù)進(jìn)步不及預(yù)期。